Тара для полупроводниковых пластин Советский патент 1980 года по МПК H01L21/77 

(54) ТАРА ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН

1

Изобретение относится к электронной технике, в частности к технологии производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, и может быть использовано для межоперационного хранения и транспортировки полупроводниковых пластин в процессе производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Известна защитная тара, состоящая из стопы пластин из синтетического материала, в которых выштампованы кюветы. В кавдой кювете размещена одна полупроводниковая пластина. Кюветы образуют стопу таким образом, что дно вышележащей кюветы служит крьшкой для нижележащей.. Края днищ кювет скошены так, что они образуют замкнутую ячейку чечевицеобразной формы. Собранная стопа помещена в защитный пакет, непроницаемый для газа l .

Недостатком этой тары является осуществление герметизации с помощью дополнительного защитного газонепроницаемого пакета. Кроме того, после вскрытия пакета все пластины оказываются раг герметизированными

f Л1А

|0ад4 ШЕМ§||

Известна также тара, содержащая основание и крьшку, соединенные замком-фиксатором 1.23 .

Однако при вскрытии такой тары все пластины также оказываются разгерметизированными.

Цель изобретения - повышение надежности герметизации и расширение функциональных возможностей.

10

Указанная цель достигается тем, что тара для полупроводниковых пластин, содержащая основание и крынку, соединенные замком-фиксатором, снабжена расположенным между основанием

15 и крышкой дополнительным основанием и дополнительной крышкой, размещенной над основной, на дополнительном основании и основной крышке выполнены гнезда для пластин, причем в основании они выполнены незамкнутыми по наружной стороне основания, а замок-фиксатор в виде эластичного тороидгшьного кольца размещен мехсду основными основанием и крышкой по

25 их периметру.

На фиг. 1 схематично изображена тара для полупроводниковых пластин; на фиг. 2 - то же, вид сверху; на фиг. 3 - сечение А-А на фиг. 2.

30

Тара для полупроводниковых пластин содержит дополнительное основание 1 с гнездами 2 для пластин 3, расположенными по его периферии, и крьЕИку 4.

С цельй повышения надежности, удобства эксплуатации и обеспечения возможности доступа к любому из гнезд без вскрытия остальных, гнезда 2 выполнены незамкнутыми по наружной стороне дополнительного основания 1. Кры-; шка 4 выполнена дискообразной. Диаметр .крышки 4 больше диаметра основания 1. Дополнительное основание .1 установлено на дисковое основание 5 с дйамет- реал, равным диаметру крышки 4 .Крышка 4, основание 1 и основание 5 скрепленй друг с другом при помощи трех винтов 6 и гаек 7, что позволяет, быстро собрать и разобрать тару. ;

Обращенные к основанию 1 кромки 8, 9 крышки 4 и основания 5 охваче Ш Ь И Тяжением резиновым тороидальным кольцом 10. диаметр резинового , тороидального кольца 10 йа 2-3 мм больше толщины основания 1, что обеспечивает герметизацию всего объема между основанием 4 и крышкой 5 за счет обжатия их кромок 8, 9, обращенных к основанию 1, резиновым коль. дом fOV .: . :

- На резиновом тороидальном кольце 10 выполнены радиальные выступы (отростки) 11 для открытия доступа в гнезда 2 путем нажатия на эти выступы по направлению стрелки (фшг. 1). Число выступов 11 соответствует числу гнезд 2.

В крышке 4 выполнены гнезда 12 дли неочищенных пластин, которые не. герметично закрыты дополнительной крьЕПкой 13. Число гнезд 12 равно числу гнезд 2. Дополнительная крышка 13 имеет вырезы 14, при помощи котбрах после поворота по стрелке В

(фиг. 2) Она фикбйруется и удерживается винтами б с .фигурной головкой.. Для удобства работы и сокращения времени разгерметизации тары основание 5, крышка 4 и дополнительная крышка 13 выполнены из прозрачного материала (наг1рйШр, 0рТ с1 ёЙЛа йли . полистирола). ЭТО позволяет визуально, без разгерметизации гнезд 2, установить, какое из гнезд 2 свободно или какую из пластин 3 следует вынуть из тары.

Для обеспечения осушенной атмосферы в герметичных ячейках основание 5 выполнено с полостью 15, а основание 1-е полостью 16, заполнены йулйрованным влагопоглотителем 17. б6йа3 У§ йяая камера соёдйн дами 2 канавками 18.Для йёкл1ю 1ёНия Проникновения частиц пыли влагопоглотитедя 17 в канавках 18 размещены пористые кольцевые прокладки ISV

Дляуменьшения возможности пере мёЩений полупроводниковых пластин 3

дно гнезд 2 выполнено наклонным к центру основания 1. Кроме того, в дне гнезда 2 созданы пазы 20 для введения пинцета, за,хватывающего пластину 3, и уменьшения площади контакта пластины 3 с дном гнезда.2. Форма деталей тары позволяет получать их методом литья или прессования, что снижает стоимость тары.

Тара обеспечивает надежную герметизацию внутреннего объема, так как тороидсшьное резиновое кольцо, надетое с натяжением, плотно охватывает кроМки.

Конструкция тары удобна в эксплуатации. При нажатии на выступ на резйновоЙтopoидaJ;Iьнoм кольце происходит вскрытие одного гнезда, а после освобождения выступа тара самопроизвольно герметизируется за счет

упругости резины без участия рабочего. Это сокращает время соединения объема гнезда с наружной средой. Использованй15 прозрачных материалов для деталей тары обеспечивает визуашьное определение наличия пластин в той

или иной ячейке, а их форма позволяет производить установку тары в стопу. Кроме того, наличие дополнительных гнезд для пластин, находящихся в неочищенном состоянии (например,

после снятия фоторезиста) , позволяет

длительное время сохранять чистоту гнёзд в основании 1 без использования дополнительной тары.

Наличие влагопоглотителя во внутреннем объеме тары постоянно обеспечивает осушенную атмосферу вокруг полупроводниковой пластины, а это повышает разрешающую способность фотолитографий за счет уменьшения клина проявления фоторезиста,

Хранение полупроводниковых пластин в обеспыленной и осушенной атносфере позволяет повысить процент выхода годных кристалловинтегргипьных схем.

Формула изобретения

Тара для полупроводниковых, пластин , содер5каЩая Основание и крьзшку, соединенные замком-фиксатором, о т0.л и чающа я с я тем, что, с целью повышейия надежности герметизации и расширения функциональных возможностей, она снабжена расположенным мёжД у основанием и крыщ5 кой дополнительным основанием и дополните;г1ьной крышкой, размещенной .Нс1д основной, на дополнительном основании и основной крышке выполнены гнезда для пластин, причем в основании они выполнены незамкнутыми по наружной стороне основания, а замокфиКсатОр в Виде эластичного тороидаль Нйго кольца азмеЬ1ен между основными осно:ванием и крышкой по их пери- метру,

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент Франции № 23199711, кл. Н 01 L 23/10, 1977.

2. ОСТ. 11.ТТО 418001. Приборы полупроводниковые и схемы интегральные. Тара межоперационная герметичная, 1971, с. 4 (прототип).

18 19 2 3 6 12