Электротехническое стекло Советский патент 1981 года по МПК C03C3/08 C03C3/30 

Описание патента на изобретение SU796195A1

(54) ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЕ СТЕКЛО Контрольные составы стекол пр|1веаены в табл. 1. Взвещениые в определенных количествах компоненты смешиваются в агатовых ступках мокрым способом. Стек по варят при 1250-1300 С с выдержкой 30-40 мин в восстановительной атмосфере. Основные характеристики стекол приведены в табл. 2. 7961 5 10 54 Как видно из табл. 2. опшмальными являются составы 2 и 5. Стекло можно использовать как самостоятельный электропроводящий функциональный элемент, так и в качестве связующего материала для керметных паст. Использование предлагаемого состава электротехнического стекла как связки в керметных резисторах позволяет значительно расширить шкалу номинальных жачений режсторов, снизить расход драгоценных токопроводяошх материалов и улучшить качество резисторов. Т а б л и ц а 1

Похожие патенты SU796195A1

название год авторы номер документа
Электротехническое стекло 1981
  • Исматов Абдулла Ахмедович
  • Раимбаев Султан Азимович
  • Исматов Кабыл Юлчиевич
  • Ким Опора Валентиновна
SU986884A1
Электротехническое стекло 1980
  • Исматов Абдулла Ахмедович
  • Раимбаев Султан Азимович
  • Исматов Кабыл Юлчиевич
  • Максудова Вазира Эргашевна
SU929609A1
Стекло для спаивания с металлами 1982
  • Медведева Галина Васильевна
  • Кузнецов Александр Иванович
  • Журавлев Григорий Ильич
SU1021663A1
РЕГУЛИРОВКА ДЛИНЫ ВОЛНЫ ИЗЛУЧЕНИЯ РЕДКОЗЕМЕЛЬНОГО ИОНА В СТЕКЛЕ НА ОСНОВЕ ФОСФАТА С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ОКСИДА ЦЕРИЯ 2013
  • Джордж Сими
  • Карли Натан
  • Пуциловски Салли
  • Хейден Джозеф
RU2636985C2
Легкоплавкое стекло для магнитных головок 1987
  • Максимов Н.Н.
  • Михайлова Л.А.
  • Соловьева Л.Н.
SU1441695A1
Стекло 1988
  • Кулигин Вячеслав Александрович
SU1608142A1
РАДИОПРОЗРАЧНЫЙ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ АВИАЦИОННОЙ ТЕХНИКИ 2010
  • Саркисов Павел Джибраелович
  • Орлова Людмила Алексеевна
  • Попович Наталья Васильевна
  • Михайленко Наталья Юрьевна
  • Уварова Наталья Евгеньевна
RU2440936C1
Стекло, преимущественно, для защиты толстопленочных резисторов 1991
  • Андронов Борис Николаевич
  • Журавов Владимир Дмитриевич
  • Молотков Виктор Алексеевич
  • Шумовский Вячеслав Иванович
  • Шахов Николай Васильевич
SU1806106A3
Стекло 1977
  • Больший Язеп Язепович
  • Седмалис Улдис Янович
SU692786A1
Стекло для спаивания с коваром 1979
  • Русак Василий Иванович
  • Зубков Виктор Михайлович
  • Протас Валентин Демьянович
  • Рябиков Владимир Трофимович
  • Васильченко Надежда Матвеевна
  • Павленко Александр Петрович
SU833595A1

Реферат патента 1981 года Электротехническое стекло

Формула изобретения SU 796 195 A1

7,0

10,0

18,0

20,0

4,0

7,0

8,0

9,0

20,0

24,0

31,0

28,0 5,0

9,0 Удельная электрониая проводимость при 20°С, Ом-, см-2,2-10- 8,3-10- Коэффидаеит линейного термического расширения в интервале , 20-300°С, град (57±5) 10 (59±5).10 Температура размягчения (дилатометрическая) °С 550±10

4,0

10,0

6,0

4,0

18,0 3,0 20,0 23,0 9,0

4,0

6,0

9,0 1,0

8,0 10,0

9,0 7,0

20,0 23,0 27,0 21,0 3,0

20,0 20,0 ,0

4,0

5,0

6,6 10,0

0,4

16,0

Таблица 2 2,7 10- 3,2-10- 1,610- 3,5-10 59±5)-10 (56,6±5) Ю (57±5)-10 (56±5).Ю . 515120 560+20580±20 615±10 Химическая устойчивость (гидролитический класс) не ниже СлабоОтнсюительно Устойчивость к крискристалли- устойчиво таллизации зовано

Способность к оплавлению стеклогранулята

Температура оплавления, °С

Адгезия к керамике оплавленного стекла

Формула изобретения

1. Электротехническое стекло, включаюшее SiOj, РегОз, ZnO, VjOs, отличаюшее с я тем, что, с целью уменьшения кристаллизационной способности, снижения коэффициента линейного термического расширения, оно дополнительно содержит 62Oj, CdO, AljOa при следующем соотношении ингредиентов, масс.%;

SiOj4 - 10

FejOj18-23

ZnO4-9

Хорошая УдовлетУдовлетУдовлеторошаяворительворительвсфительнаяная ная

830±20

815±20

840±20 760+20

790120

Удовлет- Удовлет- Хорошая Удовлеторошаяворитель- воритель-ворПтель

наянаяная

VjOs8-11

BjOj20-27

CdO 20 - 31

AljOs3-9

2. Стекло no п. 1, о т л и ч a Ю Ш e e с я тем, что оно содержит 0,4-16 масс.% BijOa. Источники информации,

принятые во в|{има11ие при экспертизе

1.Патент США N 3950176, кл. 106-47, 1976.2.Авторское свидетельство СССР N 349651, кл. С 03 С 3/10, 1972 (прототип). Слабо СлабоОтиоситель- Слабо кристалли- кристалли- но устойчи- кристалли зовано зоваиовоэовано

SU 796 195 A1

Авторы

Раимбаев Султан Азимович

Исматов Кабыл Юлчиевич

Кулигин Вячеслав Александрович

Даты

1981-01-15Публикация

1979-03-30Подача