(5) ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЕ СТЕКЛО
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Электротехническое стекло | 1981 |
|
SU986884A1 |
Стекло для толстопленочных резисторов | 1987 |
|
SU1595803A1 |
Электротехническое стекло | 1979 |
|
SU796195A1 |
СТЕКЛО ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОНАГРЕВАТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | 1994 |
|
RU2089519C1 |
Стекло | 1982 |
|
SU1066950A1 |
Стекло | 1983 |
|
SU1162760A1 |
Стекло для защиты полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия | 1984 |
|
SU1248971A1 |
Стекло | 1982 |
|
SU1101430A1 |
Электротехническое стекло | 1990 |
|
SU1805100A1 |
Стекло | 1983 |
|
SU1180360A1 |
I
Изобретение относится к составам электротехнических стекол, предназначенных для полумения стеклоизделий с электронной природой проводимости, и быть использовано, например, в качестве стеклосвязки токопроводящих слоев керметных резисторов.
Известно электротехническое стекло следующего состава, вес. %: - 77; А2/) 0,2 - 1; МпО 10 RjO 0«5 - 23 D3Недостатком известного стекла является отсутствие сочетания таких свойств, как: кристаллизационная устойчивость, химическая стойкость, хорошая смачиваемость к металлам и их окислам,возможность регулирования электропроводностью сте1:ол и их порошков в широких пределах. По этой причине очень узок технический диапазон применения известных стекол в электротехнических изделиях.
Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является элект1эотехническое стекло следующего состава, масс. %: H.li 29,3; 18,9; МЯО 26,4; ВаО U,3
Варку-стекла производят в воздушной атмосфере при 1350tlO C. Удельное сопротивление его 10 Ом/см, устойчив к кристаллизации, имеет хорошую смачиваемость к порошку, используется в резистивных керметных слоях в качестве связки 2j.
Недостатками известного стекла являются его низкая электропроводность и невозможность ее увеличения (стеклообразование невозможно при больших содержаниях МпО) и высокая температура оплавления.
Цель изобретения - увеличение электропроводности до 10 -10 Ом-см и уменьшение температуры оплавления. 3 Поставленная цель достигается тем, что известное электротехничес кое стекло, включающее Hub, SfOg, BjOj, )t, ВаО, дополнительно- со держит V Ои при следующем соотношечии компонентов, мол. %: НпО 32,0 - 57,0; 5чОа 0,5 - 5,5; BjO 27 х- 1,5 10; ВаО «,5 7,0; VaOg i,0 - 13,0. Кроме того, с целью снижения температуры варки, электротехничес кое стекло содержит ZhO 5,0-6,0 мол Взвешенные в определенных количествах компоненты смешивают в фар форовой ступке мокрым способом и просушивают в сушильном шкафу, пос чего засыпают в корундизовые тигли и варят в печах с силитовыми ронагревателями при 1200 - выдержкой 30 - kS мин в воздушной :.атмосфере. В табл.1 приведены конкретные составы предлагаемых (1 - i|) сте50
5,5 31
3
6,5
it
32
0,5 3i 10
,5 13
6 Основные физико-технические характеристики предлагаемых стекол (ll - ) представлены в табл.2. Положительным эффектом предлагаемого стекла является возможность изготовления из него конструктивных элементов с высокой плотностью поверхностного электрического тока, так как марганцевые полупроводниковые стекла обладают только поверхностной электронной проводимостью, а также использования мелкодисперсного порошка стекла качестве полупроводникового связующего материала, например, в токопроводящих слоях керметных резисторов - в этом случае шкала номинальных значений (при удовлетворительном ТКС) резистивной композиции Может быть расширена до субнизкоомных значений, недоступных при использовании немарганцевых полупроводниковых сдекол. Экономический эффект от внедре- . ния стекла на одном предприятии составляет 220 тыс. руб. в год. Т а б л и ц а 1
, ... Формула изобретения
i. Электротехническое стекло,
включающее MnO/S O, д ВаО,о тлимающееся тем, что, с целью увеличения электоопроаоцности от 10 Ом и уменьшения температуры оплавления, оно дополнительно содержит VjOy при следующем соотношении компонентов, мол. %: МпО 32,0 - 57,0; . 0,5 5,5;,BiOj 27,0 - З,0; дел 1,5 10,0; ВаО f,5 - 7,0; VaOj 5,0 - 13,
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
Авторы
Даты
1982-05-23—Публикация
1980-06-17—Подача