Электротехническое стекло Советский патент 1982 года по МПК C03C3/12 

Описание патента на изобретение SU929609A1

(5) ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКОЕ СТЕКЛО

Похожие патенты SU929609A1

название год авторы номер документа
Электротехническое стекло 1981
  • Исматов Абдулла Ахмедович
  • Раимбаев Султан Азимович
  • Исматов Кабыл Юлчиевич
  • Ким Опора Валентиновна
SU986884A1
Стекло для толстопленочных резисторов 1987
  • Гулямов Баходир Мансурович
  • Исматов Абдулла Ахмедович
  • Ильганаев Владимир Борисович
  • Исматов Кабыл Юлчиевич
SU1595803A1
Электротехническое стекло 1979
  • Раимбаев Султан Азимович
  • Исматов Кабыл Юлчиевич
  • Кулигин Вячеслав Александрович
SU796195A1
СТЕКЛО ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОНАГРЕВАТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 1994
  • Максимов Н.Н.
RU2089519C1
Стекло 1982
  • Исматов Абдулла Ахмедович
  • Гулямов Баходир Мансурович
  • Исматов Турсунмурод Ахматович
SU1066950A1
Стекло 1983
  • Исматов Абдулла Ахмедович
  • Гулямов Баходир Мансурович
  • Исматов Турсунмурот Ахматович
SU1162760A1
Стекло для защиты полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия 1984
  • Халилев Владимир Девлетович
  • Мазо Лев Давидович
  • Авраменко Елена Николаевна
SU1248971A1
Стекло 1982
  • Исматов Абдулла Ахмедович
  • Гулямов Баходир Мансурович
  • Исматов Турсунмурад Ахматович
SU1101430A1
Электротехническое стекло 1990
  • Щепочкина Юлия Алексеевна
SU1805100A1
Стекло 1983
  • Немкович Ирина Константиновна
  • Невар Ольга Валентиновна
  • Рабыкина Лариса Владимировна
  • Колосова Наталья Николаевна
  • Байкова Екатерина Михайловна
SU1180360A1

Реферат патента 1982 года Электротехническое стекло

Формула изобретения SU 929 609 A1

I

Изобретение относится к составам электротехнических стекол, предназначенных для полумения стеклоизделий с электронной природой проводимости, и быть использовано, например, в качестве стеклосвязки токопроводящих слоев керметных резисторов.

Известно электротехническое стекло следующего состава, вес. %: - 77; А2/) 0,2 - 1; МпО 10 RjO 0«5 - 23 D3Недостатком известного стекла является отсутствие сочетания таких свойств, как: кристаллизационная устойчивость, химическая стойкость, хорошая смачиваемость к металлам и их окислам,возможность регулирования электропроводностью сте1:ол и их порошков в широких пределах. По этой причине очень узок технический диапазон применения известных стекол в электротехнических изделиях.

Наиболее близким к изобретению по технической сущности и достигаемому результату является элект1эотехническое стекло следующего состава, масс. %: H.li 29,3; 18,9; МЯО 26,4; ВаО U,3

Варку-стекла производят в воздушной атмосфере при 1350tlO C. Удельное сопротивление его 10 Ом/см, устойчив к кристаллизации, имеет хорошую смачиваемость к порошку, используется в резистивных керметных слоях в качестве связки 2j.

Недостатками известного стекла являются его низкая электропроводность и невозможность ее увеличения (стеклообразование невозможно при больших содержаниях МпО) и высокая температура оплавления.

Цель изобретения - увеличение электропроводности до 10 -10 Ом-см и уменьшение температуры оплавления. 3 Поставленная цель достигается тем, что известное электротехничес кое стекло, включающее Hub, SfOg, BjOj, )t, ВаО, дополнительно- со держит V Ои при следующем соотношечии компонентов, мол. %: НпО 32,0 - 57,0; 5чОа 0,5 - 5,5; BjO 27 х- 1,5 10; ВаО «,5 7,0; VaOg i,0 - 13,0. Кроме того, с целью снижения температуры варки, электротехничес кое стекло содержит ZhO 5,0-6,0 мол Взвешенные в определенных количествах компоненты смешивают в фар форовой ступке мокрым способом и просушивают в сушильном шкафу, пос чего засыпают в корундизовые тигли и варят в печах с силитовыми ронагревателями при 1200 - выдержкой 30 - kS мин в воздушной :.атмосфере. В табл.1 приведены конкретные составы предлагаемых (1 - i|) сте50

5,5 31

3

6,5

it

32

0,5 3i 10

,5 13

6 Основные физико-технические характеристики предлагаемых стекол (ll - ) представлены в табл.2. Положительным эффектом предлагаемого стекла является возможность изготовления из него конструктивных элементов с высокой плотностью поверхностного электрического тока, так как марганцевые полупроводниковые стекла обладают только поверхностной электронной проводимостью, а также использования мелкодисперсного порошка стекла качестве полупроводникового связующего материала, например, в токопроводящих слоях керметных резисторов - в этом случае шкала номинальных значений (при удовлетворительном ТКС) резистивной композиции Может быть расширена до субнизкоомных значений, недоступных при использовании немарганцевых полупроводниковых сдекол. Экономический эффект от внедре- . ния стекла на одном предприятии составляет 220 тыс. руб. в год. Т а б л и ц а 1

, ... Формула изобретения

i. Электротехническое стекло,

включающее MnO/S O, д ВаО,о тлимающееся тем, что, с целью увеличения электоопроаоцности от 10 Ом и уменьшения температуры оплавления, оно дополнительно содержит VjOy при следующем соотношении компонентов, мол. %: МпО 32,0 - 57,0; . 0,5 5,5;,BiOj 27,0 - З,0; дел 1,5 10,0; ВаО f,5 - 7,0; VaOj 5,0 - 13,

2.-Электротехническоестекло по п. 1, отличающееся тем, что, с целью снижения температуры варки, оно дополнительно содержит 2ijiO 5,0 - 6,0 мол. %.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Авторское свидетельство СССР Н 59«35, кл. С 03 С 3/0, 1973.2. Гранулят стекла марки С56-1. ТХО. 027.025 ТУ, 1971 (ототип).

SU 929 609 A1

Авторы

Исматов Абдулла Ахмедович

Раимбаев Султан Азимович

Исматов Кабыл Юлчиевич

Максудова Вазира Эргашевна

Даты

1982-05-23Публикация

1980-06-17Подача