Способ дефектоскопии диэлектри-чЕСКиХ СлОЕВ Советский патент 1981 года по МПК G01N27/24 

Изобретение относится к электронной технике, в частности к производству полупроводниковых приборов. При производстве полупроводниковых прибюров и интегральных схем предъявляются высокие требования к качеству маскирукядих и функциональных диэлектр ческих слоев, так как макродефекты этих слоев (поры, трещины, включения) оказывают значительное влияние на разброс параметров, надежность и выход годных полупроводниковых приборов. Известен способ контроля дефектности диэлектрических пленок на токолроводящих материалах, заключающийся в том, что диэлектрическую пленку на токопроводящей подложке приводят в контакт с раствором электролита, про изводят электролитическое осаждение металла на дефектах диэлектической пленки, селективно травят ее и регистрируют по виду осажденного метал ла конфигурацию и распределение дефе тов в пленке l. Недостатком данного способа является большая продолжительность процесса дефектоскопии во времени и раз рушение исследуемой пленки в процесс проведения дефектоскопии. Известен способ дефектоскопии диэлектрических слоев на токопроводящей подложке, заключающийся в пропускании тока через систему подложка - диэлектрический слой - фотоматериал , помещенные в электролит с последующим получением изображения дефектов в диэлектрическом слое на фотоматериале, При проведении процесса на подложку подают отрицательный потенциал, а в качестве электролита используют воду. При прохождении тока через систему, ионы серебра в фотоматериале восстанавливаются над порами и другими электропроводящими дефектами 2 , Недостатком способа является необходимость проведения процесса в темном помещении при неактиничном освещении, с последующей фотохимической обработкой фоторегистрирующего слоя по стандартной технологии. Цель изобретения - сокращение времени процесса дефектоскопии и возможность проведения его при актиничном освещении. Поставленная цель достигается тем, что в качестве электролита используют проявители фотоматериалов с величиной окислительно-восстановительного по