1
Предлагаемое изобретение относится к способу контроля дефектности диэлектрических пленок на металлических и полупроводниковых подложках и может быть использоваио для Контроля электропроводящих дефектов и пористости изолирующих пленок при производстве конденсаторов, полупроводниковых приборов, интегральных схем, для оценки качества слоев фоторезиста, диэлектрической пленочной изоляции.
Известен электрографический способ контроля пор и других электропроводящих дефектов диэлектрических пленок на полупроводниковых и металлических -подложках, заключающийся в том, что при пропускании тока в системе катод - подложка - диэлектрическая пленка - фотоэмульсионный слой фотобумаги, смоченной в деионизованной воде,- анод в эмульсионном слое образуется скрытое изображение дефектов.
При проявлении и закреплении эмульсионного слоя фотобумаги получается видимый отпечаток дефекта, характер изображения которого зависит от времени выдержки, напряжения и других .факторов.
Недостатками известного спосо-ба являются неосютеетствие конфигурации дефекта диэлектрической пленки отпечатку на фотобумаге, трудность в определении местоположения дефекта непосредственно на диэлектрической
пленке и подложка, малая разрешающая способность.
Целью изобретения является точное определение конфигурации дефектов, повышение
разрешающей способности.
Достигается она тем, что диэлектрическую пленку на проводящей подложке приводят в контакт с электролитом, электролитически осаждают металл на дефектах диэлектрической пленки, селективно травят ее и регистрируют по виду осажденного металла конфигурацию и распределение дефектов на проводящей подложке.
Диэлектрическую пленку приводят в контакт с электролитом, на который подают положительный потенциал. В качестве электролита (анода) применяют металл соответствующей соли, находящейся в электролите, или платину, н-а подложку (катод) подают отридательный потенциал. Пропускают электрический ток через систему катод-подложка-диэлектрическая пленка-электролит-анод. В результате этого в местах электропроводящих дефектов осаждается металл, который повторяет конфигурацию и распределение этих дефектов.
По конфигурации и распределению осажденного металла судят о дефектности диэлектрической пленки. Затем селективно травят диэлектрическую пленку и регистрируют конФи,3
гурацию и распределение металла на проводящей подложке. Так как электрический ток, проходящий через дефекты, пропорционален их сечению, то и количество осажденного металла пропорционально сечению дефектов. Диаметр ионов металла находящихся в электролите, то.раздо меньще сечения дефектов, поэтому металл осаждается в местах самых мелких дефектов. Разрещающая -способность увеличивается и может достигать до 10 дефектов на одном квадратном сантиметре, а .конфигурация и местоположение дефектов на диэлектрической пленке (подложке) может сохраняться неограниченное время.
В качестве электролита применяют стандартные электроЛИты для Меднения, лужения, никелирования и т. д.
4 Предмет изобретения
Способ контроля дефектности диэлектрических пленок на проводящих подложках спропуеканием электрического тока через исследуемую систему и регистрацией дефектов по виду осажденного металла, отличающийся тем, что, с целью точного определения конфигурации дефектов и повыщения разрещающей -способности способа, диэлектрическую пленку на проводящей подложке приводят в контакт с раствором электролита, производят электролитическое осаждение металла на дефектах диэлектрической пленки, селективно травят ее и
регистрируют по виду осажденного металла конфигурацию и распределение дефектов на проводящей подложке.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ дефектоскопии диэлектри-чЕСКиХ СлОЕВ | 1978 |
|
SU801153A1 |
Способ создания сенсора газов и паров на основе чувствительных слоев из металлсодержащих кремний-углеродных пленок | 2023 |
|
RU2804746C1 |
СПОСОБ КОНТРОЛЯ ДЕФЕКТНОСТИ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИЕВЫХ ПОДЛОЖКАХ | 1991 |
|
RU2033660C1 |
ПРИБОР НА ОСНОВЕ УГЛЕРОДОСОДЕРЖАЩИХ ХОЛОДНЫХ КАТОДОВ, РАСПОЛОЖЕННЫХ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКЕ, И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2014 |
|
RU2579777C1 |
Способ электрохимического локального осаждения пленок пермаллоя NiFe для интегральных микросистем | 2015 |
|
RU2623536C2 |
Способ электрохимического осаждения кремний-углеродных пленок на диэлектрические подложки | 2019 |
|
RU2711072C1 |
СХЕМНАЯ СТРУКТУРА С ПО МЕНЬШЕЙ МЕРЕ ОДНИМ КОНДЕНСАТОРОМ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 1992 |
|
RU2082258C1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ПОКРЫТИЙ ПЕНТАОКСИДА ТАНТАЛА НА ПОДЛОЖКЕ | 2012 |
|
RU2518257C1 |
Способ нанесения пленок титаната бария | 1990 |
|
SU1838455A3 |
БАТАРЕИ БИОМЕДИЦИНСКОГО УСТРОЙСТВА С ЭЛЕКТРООСАЖДЕННЫМИ КАТОДАМИ | 2017 |
|
RU2682482C1 |
Даты
1973-01-01—Публикация