(54) КАССЕТА
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ С ЛИНЗООБРАЗНЫМИ ПРОФИЛЯМИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 1999 |
|
RU2169985C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИН ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ОПТИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ | 2005 |
|
RU2337429C2 |
| СПОСОБ ПРЕДЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛИРОВАННЫХ ПОДЛОЖЕК ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ | 2006 |
|
RU2345443C2 |
| СПОСОБ БЕСПУСТОТНОГО СРАЩИВАНИЯ ПОДЛОЖЕК | 2002 |
|
RU2244362C2 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОПОЛИРОВАННЫХ ПЛАСТИН ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ | 2006 |
|
RU2345442C2 |
| АВТОМАТИЧЕСКАЯ ЛИНИЯ ДЛЯ ОКОНЧАТЕЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ЗУБЬЕВ КОЛЕС | 1969 |
|
SU240463A1 |
| СПОСОБ УТОНЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР | 1990 |
|
SU1766212A1 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОШАБЛОННЫХ ЗАГОТОВОК | 2005 |
|
RU2305918C2 |
| УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ПОЗИЦИОНИРОВАНИЯ И ФИКСИРОВАНИЯ БЛОКА ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ ДЛЯ ПРОВЕДЕНИЯ ПРОЦЕССОВ ОБРАБОТКИ ИХ ПОВЕРХНОСТИ | 2023 |
|
RU2816589C1 |
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОДГОТОВКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ К МОНТАЖУ | 1991 |
|
RU2022499C1 |
Изоб-ретение относится к кассетам применяемым, например, в микроэлектронном производстве для термообрабо ки полупроводниковых пластин в высо кочастотной плазме. Известна кассета для размещения пластин при проведении диффузии легирующей примеси в пластины кремния при высокой температуре, содержа11;ая два основания, между которыми разме щаются обрабатываемые пластины, прл жим и ограничители пластин l . Недостатком кассеты является отсутствие свободного доступа реагент к обрабатываемым поверхностям пласти и получения фасок по их периметру, необходимых для дальнейшей обработки их методом шлифовки, полировки и доводки пластин при подготовке к one рации фотолитографии. Цель изобретения - повышение выхода годных. Поставленная цель достигается тем, что кассета, преимущественно для обработки полупроводниковых пластин в высокочастотной плазме, содержащая прижим и два основания, между которыми расположены ограничители для пластин, снабжена выполненными по форме полупроводниковых пластин экранами, на торцах которых выполнены фаски, а ограничители для пластин установлены с возможностью поворота и фиксации. На фиг. 1 изображено устройство, общий вид; на фиг. 2 - сечение А-А на фиг. 1, момент загрузки пластин, на фиг. 3 - то же, момент центрирования пластин и экранов после их загрузки; на фиг. 4 - то же, положение пластин, экранов и ограничителей после подготовки устройства к работе. Устройство состоит из верхнего 1 и нижнего 2 оснований, стяжек 3, ограничителей 4 для пластин 8, прижима 5, фиксаторов б и экранов 7. Установка пластин в кассету происходит следующим образом. Прижим 5 отводят вверх до упора в верхнее основание 1, ограничители 4 пластин поворачивают, устанавливают в положение (фиг.2) и фиксируют фиксаторами 6. Затем поочередно устанавливают до упора в ограничители 4 пластин экраны 7 и пластины 8, после чего их центрируют ограничителя f фиг. З) и зажимайт прижимом 5. После прижатия пластин ограничители. 4 отводят в положение (фиг.4) и фиксируют фиксаторами 6.
Предлагаемое устройство обеспечивает центровку пластин и экранов, а также за счет свободного доступа реагента к-: обрабатываемым поверхностям пластин, обусловленного наличием фа;сок и отводом от торцов пластин их ограничителей, позволяет получать на обрабатываемых пластинах фаски размером 0,7 20, наличие которых увеличивает процент годных при дальнейших операциях шлифовки, полировки и доводки полупроводниковых пластин и повышает качество их поверхностей перед oпepaцил Iи фотолитографии. Формула изобретения
Кассета, преиг тущественно для обработки полупроводниковых пластин в
высокочастотной плазме, содержащая прижим и два основания, между которыми расположены ограничители для пластин, отличающаяся тем/ что, с целью повышения выхода годных, она снабжена выполненными по форме полупроводниковых пластин экранами, на торцах которых выполнены фаски., а ограничители для пластин установлены с возможностью поворота и фиксации.
Источники информации, принятые во внимание при экспертизе
J
А-А
А-А
(Put. 3
