Кассета Советский патент 1981 года по МПК H01L21/77 

Описание патента на изобретение SU809436A1

(54) КАССЕТА

Похожие патенты SU809436A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ С ЛИНЗООБРАЗНЫМИ ПРОФИЛЯМИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1999
  • Кибирев С.Н.
  • Ярош А.М.
  • Ресненко О.А.
  • Биркен Б.А.
  • Савуков Л.Ф.
RU2169985C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПЛАСТИН ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ И ОПТИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ 2005
  • Ковальчук Михаил Валентинович
  • Каневский Владимир Михайлович
  • Тихонов Евгений Олегович
  • Дерябин Александр Николаевич
RU2337429C2
СПОСОБ ПРЕДЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ПОЛИРОВАННЫХ ПОДЛОЖЕК ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ 2006
  • Каневский Владимир Михайлович
  • Тихонов Евгений Олегович
  • Дерябин Александр Николаевич
RU2345443C2
СПОСОБ БЕСПУСТОТНОГО СРАЩИВАНИЯ ПОДЛОЖЕК 2002
  • Камаев Г.Н.
  • Дрофа А.Т.
  • Булычева Т.В.
RU2244362C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНОПОЛИРОВАННЫХ ПЛАСТИН ИЗ КАРБИДА КРЕМНИЯ 2006
  • Каневский Владимир Михайлович
  • Тихонов Евгений Олегович
  • Дерябин Александр Николаевич
RU2345442C2
АВТОМАТИЧЕСКАЯ ЛИНИЯ ДЛЯ ОКОНЧАТЕЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ ЗУБЬЕВ КОЛЕС 1969
SU240463A1
СПОСОБ УТОНЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР 1990
  • Тюнькова З.В.
  • Савостьянова Н.В.
  • Башевская О.С.
  • Рогов В.В.
  • Белов Н.И.
SU1766212A1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОШАБЛОННЫХ ЗАГОТОВОК 2005
  • Никитин Сергей Алексеевич
RU2305918C2
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОДГОТОВКИ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ К МОНТАЖУ 1991
  • Куперштох П.И.
  • Урусова Г.П.
  • Макаров В.И.
RU2022499C1
СПОСОБ ДОВОДКИ ОРИЕНТАЦИИ ПОДЛОЖЕК ДЛЯ ЭПИТАКСИИ АЛМАЗА 2012
  • Ральченко Виктор Григорьевич
  • Большаков Андрей Петрович
  • Ашкинази Евгений Евсеевич
  • Рыжков Станислав Геннадиевич
  • Польский Алексей Викторович
  • Конов Виталий Иванович
RU2539903C2

Иллюстрации к изобретению SU 809 436 A1

Реферат патента 1981 года Кассета

Формула изобретения SU 809 436 A1

Изоб-ретение относится к кассетам применяемым, например, в микроэлектронном производстве для термообрабо ки полупроводниковых пластин в высо кочастотной плазме. Известна кассета для размещения пластин при проведении диффузии легирующей примеси в пластины кремния при высокой температуре, содержа11;ая два основания, между которыми разме щаются обрабатываемые пластины, прл жим и ограничители пластин l . Недостатком кассеты является отсутствие свободного доступа реагент к обрабатываемым поверхностям пласти и получения фасок по их периметру, необходимых для дальнейшей обработки их методом шлифовки, полировки и доводки пластин при подготовке к one рации фотолитографии. Цель изобретения - повышение выхода годных. Поставленная цель достигается тем, что кассета, преимущественно для обработки полупроводниковых пластин в высокочастотной плазме, содержащая прижим и два основания, между которыми расположены ограничители для пластин, снабжена выполненными по форме полупроводниковых пластин экранами, на торцах которых выполнены фаски, а ограничители для пластин установлены с возможностью поворота и фиксации. На фиг. 1 изображено устройство, общий вид; на фиг. 2 - сечение А-А на фиг. 1, момент загрузки пластин, на фиг. 3 - то же, момент центрирования пластин и экранов после их загрузки; на фиг. 4 - то же, положение пластин, экранов и ограничителей после подготовки устройства к работе. Устройство состоит из верхнего 1 и нижнего 2 оснований, стяжек 3, ограничителей 4 для пластин 8, прижима 5, фиксаторов б и экранов 7. Установка пластин в кассету происходит следующим образом. Прижим 5 отводят вверх до упора в верхнее основание 1, ограничители 4 пластин поворачивают, устанавливают в положение (фиг.2) и фиксируют фиксаторами 6. Затем поочередно устанавливают до упора в ограничители 4 пластин экраны 7 и пластины 8, после чего их центрируют ограничителя f фиг. З) и зажимайт прижимом 5. После прижатия пластин ограничители. 4 отводят в положение (фиг.4) и фиксируют фиксаторами 6.

Предлагаемое устройство обеспечивает центровку пластин и экранов, а также за счет свободного доступа реагента к-: обрабатываемым поверхностям пластин, обусловленного наличием фа;сок и отводом от торцов пластин их ограничителей, позволяет получать на обрабатываемых пластинах фаски размером 0,7 20, наличие которых увеличивает процент годных при дальнейших операциях шлифовки, полировки и доводки полупроводниковых пластин и повышает качество их поверхностей перед oпepaцил Iи фотолитографии. Формула изобретения

Кассета, преиг тущественно для обработки полупроводниковых пластин в

высокочастотной плазме, содержащая прижим и два основания, между которыми расположены ограничители для пластин, отличающаяся тем/ что, с целью повышения выхода годных, она снабжена выполненными по форме полупроводниковых пластин экранами, на торцах которых выполнены фаски., а ограничители для пластин установлены с возможностью поворота и фиксации.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1. Патент США № 3956036, кл. 148-188, опублик. -11.05.76 (прототип) .

J

А-А

А-А

(Put. 3

SU 809 436 A1

Авторы

Мытарев Николай Михайлович

Корзинкин Вячеслав Степанович

Воробьев Вячеслав Лаврентьевич

Журавов Владимир Дмитриевич

Даты

1981-02-28Публикация

1979-04-26Подача