Изобретение относится к способам, покрытия материалов металлами путем обработки поверхности растворами соединений металлов и может быть использовано для покрытия поверхности изделий металлическим индием Известен способ получения индиевых покрытий на токопроводящих подложках (стали) путем погружения подложки в кислый раствор, содержащий хлористый индий и хлористый аммоний 1. Однако известным способом получают индиевые покрытия только на метал лических подложках. Цель изобретения - расширение ассортиментапокрываемых индием материалов . Поставленная цель достигается тем, что используют раствор, содержа щий нитрат одновалентного индия и фторид аммония соответственно в качестве соли индия и галогенида щелочного металла, при рН 2,5-3,5. Способ осуществляют следующим образом. Пример 1. Готовят 1 М раствор нитрат аммония в воде подкисленной до рН 2,5 0,1 н. азотной кислотой. В полученном растворе растворяЮТ при перемешивании порошкообразный монохлорид индия в количестве соответствующем концентрации 1,5 . Отдельно готовят 0,5 М раствор фторида аммония. В раствор индия погружают стеклянную пластинку и приливают раствор фторида аммония в соотношении 1:1. Выдерживают пластинку в растворе в в течение 10 мин,Во время покрытия раствор не перемешивают. Затем пластинку извлекают из раст вора, промывают дистиллированной водой и сушат. Поверхность стекла по- . крыта зеркальной индиевой пленкой, толщина которой равна 70 нм. Пример 2.К250мм1М раствора г1ммония приливают 4,5 мл 0,1 н. НМО(до рН 3,5) и растворяют 0,55 монохлорид индия. К полученному раствору прибавляют 200 мл 0,5М раствора NH4F. Сразу погружают полиэтиленовую и тефлоновую пленки. В течение 15 мин пленки покрьшаются слоем металлического индия толщиной 40-50 нм. Таким образом, предлагаемый способ-позволяет наносить индиевые покрытия на нерастворимые в воде материалы вне зависимости от их элек3815тропроводности температуры плавления и смачиваемости поверхности. Формула изобретения Способ получения индиевых покрытий путем погружения подложки в кислый раствор, содержащий соль индия и галогенид щелочного металла, , отличающийся тем, чтос целью расширения ассортимента по0744крываемых материалов, процесс ведутпри рН 2,5-3,5 в растворе, содерЖсццем в качестве соли индия и галогенида щелочного металла соответственно нитрат одновсшентного индия и фторид аммония. Источники информации, принятые во внимание при «экспертизе 1. Ямпольский A.M. Электролитическое осаждение благородных и редких металлов. Ленинград, Машино строение, 1977, с. 74.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ГЕРМЕТИЗИРУЮЩАЯ КОМПОЗИЦИЯ | 2017 |
|
RU2722953C1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИЗДЕЛИЙ, ИМЕЮЩИХ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩЕЕ ПОКРЫТИЕ | 2006 |
|
RU2402385C2 |
ПРИГОТОВЛЕНИЕ ОБРАБАТЫВАЮЩЕЙ КОМПОЗИЦИИ И СИСТЕМА И СПОСОБ ПОДДЕРЖАНИЯ ВАННЫ ДЛЯ ОБРАБОТКИ, ОБРАЗОВАННОЙ ИЗ НЕЁ | 2017 |
|
RU2721259C1 |
СИСТЕМЫ И СПОСОБЫ ДЛЯ ОБРАБОТКИ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКИ | 2017 |
|
RU2728344C1 |
ОСАЖДЕНИЕ ИОНОВ МЕТАЛЛОВ НА ПОВЕРХНОСТИ ЭЛЕКТРОПРОВОДНЫХ ПОДЛОЖЕК | 2008 |
|
RU2486284C2 |
СИСТЕМЫ И СПОСОБЫ ДЛЯ ОБРАБОТКИ МЕТАЛЛИЧЕСКОЙ ПОДЛОЖКИ ПОСРЕДСТВОМ КОМПОЗИЦИИ ДЛЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ И ГЕРМЕТИЗИРУЮЩЕЙ КОМПОЗИЦИИ | 2017 |
|
RU2734961C2 |
КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ПРЕДВАРИТЕЛЬНОЙ ОБРАБОТКИ | 2017 |
|
RU2751038C2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ГАЛЬВАНИЧЕСКОГО ПОКРЫТИЯ ИНДИЕМ | 2023 |
|
RU2809766C1 |
Способ получения метеллического позитивного изображения | 1976 |
|
SU645118A1 |
Раствор для химического индирования | 1980 |
|
SU905318A1 |
Авторы
Даты
1981-03-23—Публикация
1978-11-15—Подача