Устройство для химической обработкииздЕлий Советский патент 1981 года по МПК B08B9/02 B08B3/10 

Изобретение относится к химической обработке изделий и может быть использовано для обработки (обезжиривания/ травления и т.д.) наружной и внутренней поверхностей изделий, например труб.

Известно устройство для химической обработки изделий, содержащее ванну с шлюз-уплотнителем, выполненным в виде слоя ферромагнитных частиц (ФМЧ), размещениях в источнике магнитного поля, причем ванна снабжена механизмом для осевого перемещения изделий l . .

Недостатком известного устройства является малая рабочая зона а также большие габариты ванны (длина последней обязательно должна превьааать длину обрабатываемого изделия не менее, чем в 2 разф

Известно устройство, выполненное в виде камеры с ФМЧ, снабженной источником магнитного поля, который состоит из линейных магнитопроводов с общей обмоткой, выполненной в виде отдельных секций. Диаметрально противоположные секции обмотки соедаснены между собой в группы, причем соединение осуществлено таким образом, что

конец предьщущей группы одною из магнитопроводов соединен с началом последующей группы другого магнитопровода. Его рабочая зона соизмерима по длине с обрабатывае1 влм изделием 21

Однако траектория перемещения ФМЧ такова, что она не в полной, мере отвечает требованиям технологии хими- . ческой обработки изделий, так как отдельные участки наружной поверхности обрабатываемого изделия не подвергаются воздействию ФМЧ и, следоватепьно, качество поверхности изделия получается недостаточно высоким. Кроме того, отсутствует возможность обработки внутренней поверхности полых изделий, например труб.

. Цель изобретения - поЕфиаение ка-; чества обработки изделий.

Поставленная цель достигается Т1ем, что в устройстве, содержащем каилеру с ФКЧ, источник магнитного-поля, состоящий из линейных магнитопровсадов с, трехфазной секционированной обмоткой начала двух фаз обмотки находятся.на одном магнитопроводе, начала третьей фазы - на другом.

На фиг. 1 показано устройство,общий вид на фиг. 2 - разрез Л-А . Ij на фиг. 3 - схема соединения фаз обмотки к на фиг. 4-6 - графики годографов магнитного поля источника при разном соотношении Я/с} (Я -меж полюсное давление, с - расстояние между магнитопроводами}. Устройство содержит камеру 1, тор цовые крышки 2 и 3, ферромагнитные частицы 4, обрабаилваемое изделие 5, щеточник магнитного поля, выполненный в виде параллельно размоценных магнитопроводов 6 и 7, с общей трехфазной обмоткой. Фазы обмотки соединены сле дукщим образом: А-А -А-А-...-х, В-В-В-в-. ..-У и С-С-СтС-,. ., причем начало первой А и третьей С фаз на магнитопроводе 6, а концы их(х,е:) на магнитопроводе 7, начало второй фазы В - на магнитопроводе 7 и конец ее - на магнитопроводе 6. Чередование фаз принято следующим: А-С-В-А-С В-А. Устройство работает следующим образом. Через борцовую 2 в камеру подается необходимое количество ФМЧ 4. После этого трехфазное напряжение подается на секционированную обмотку источника. При заданном чередовании фаз обмотки, вдоль каждого из магнитопроводоБ 6 и 7 образуются бегущие магнитные поля, направление магнит ных потоков которых {Ф,;,и Oj) встречное .Силовое воздействие результирующего , встречно-бегущего магнитного поля на слой ФМЧ в известном устройстве будет наиболее эффективным только при оптимальном расстояни i между магнитопроводами (d } . Известно, что ,ча длине магнитопро врда, равной межпсхпюсному делению Я величина тока в обмотке меняется за период 2 Я , На фиг. 4 следует, что при сильнее сказываются высшие гармоники, искажающие характер поля в камер Мешое расстояние между магнитопро водами {при рассматриваемом соотношении Я/о ) приводит к наложению магнитных потоков Ф и Ф2 t что вызывает скапливание ФМЧ в отдельных мес тах рабочей камеры. На фиг. 5 представлены графики го дографов для соотношения (|ci . 3. Из графика следует, что магнитопроводы 6 и 7 раздвинуты на такое ра стояние, что магнитные потоки между собой практически не взаимодействуют и, следовательно, не оказывают влияния на ФМЧ. .Наиболее благоприятным является соотношение Л/d 3 (см. фиг. 6). Кру говая форма результирующего поля обе печивает распределение слоя ФМЧ в центральной части камеры вдоль его длины. После создания указанного слоя в камеру 1 загружается обрабатываемое изделие 5, например труба. Труба проходит через слой ФМЧ 4 в лоодапьном, направлении,причем определенная часть ФМЧ попадает в ее внутреннюю полость. Затем, в камеру 1 зашивают рабочий раствор, который за счет эффекта перемешивания осуществляет интенсивный обмен в местах снятия диффузионных , ограничений. Кроме химического воздействия на изделие 5, добавляется и механическое, обусловленное силовым воздействием ФМЧ, побуж,цаемым к интенсивному движению встречно-бегущим магнитны полем. После окончания обработки, рабочий раствор из камеры 1 сливается, обработанное изделие 5 через отверстие в торцовой крышке 3 извлекается наружу, а обмотка магнитопроводов обесточивается,.при этом ФМЧ собираются на дне 1. Далее, при поступлении очередного обрабатываемого изделия, цикл повторяется. Использование встречно-бегущего магнитного поля позволяет сконцентрировать С.ПОЙ ФМЧ в местах снятия диффузионных ограничений обрабатываемого изделия,... Устройство обеспечивает качественную обработку наружной и внутренней поверхности полых изделий.одновременно по всей длине; упрощает .схему управления источником, так как нет необходимости в систематическом переключении фаз обмотки для изменения направления магнитного поля. Обеспечивается возможность использования устройства в поточных линиях. Формула изобретения Устройство для химической обработки изделий, содержащее ванну для рабочей жидкости и-ферромагнитных частиц и линейные магнитопроводы с трехфазной секционной обмоткой, отличающееся тем, что, с целью повышения качества обработки, начала двух фаз обмотки расположены на одном магнитопроводе, начало .третьей фазы на другом. Источники информации принятые во внимание при экспертизе 1.Авторское свидетельство СССР по заявке № 2639369/22-02, кл, с 23 О- 3/04, 1978. 2.Авторское свидетельство СССР 9 592855, кл. С 21 О 9/08, 1978. 5i ШJЭ-Ш-Щ-ШJSL-Ш-JЭlШJЭJmJд a в с А в с А Г„ - . « I I IT I .II. . «т..... - I-Ц-« Р ХР Р и /t С 8 А С ff А Т5ГТШП1 ТТдГТСТТ©ПС-ГТЕ| f5 II 1 Par-л Sop Д у.; ;: .:. д:: лУ;г: -у.-пуу;- ---- У

i--o

-z

Фиг. Ч

-Z

u9.e