Шихта для стеклокерамическогоМАТЕРиАлА Советский патент 1981 года по МПК C04B35/468 

(54) ШИХТА ДЛЯ СТЕКЛбКЕРАМИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА

Изобретение относится к радиоэлектронной технике и может быть непользовано для изготовления диэлектриков в производстве монолитных низкочастотных конденсаторов с электродами из неблагородных металлов и алюминия. . Известна шихта для стеклокерамического материала для конденсаторов термокомпенсирующих групп М 100 и М 1500 с электродс1ми из серебра. Температура спекания пакетов составляет 650-800С 1. Такая температура спекания исключает возможность применения в качестве электрода неблагородных недефицитных металлов, например алюмини Наиболее близкая к предлагаемой шихта для стеклокерамического материала, содержащая 85-99% порошка титаната бария и 0,5-10% стеклофритты, содержащей оксиды висмута, свинца 2. Однако и эта шихта не позволяет применять в качестве электродов-полу чаемых материалов недефицитный металл алюминий. Цель изобретения - обеспечение возможности получения конденсаторов пакетного типа с электродами из алюминия за счет снижения температуры их формования. Поставленная цель достигается за счет того, что шихта для стеклокерамического материёша, используе- . мого преимущественно для низкочастотных конденсаторов, содержащая порошки легкоплавкого стекла на основе оксида свинца и материала на основе титаната бария, содержит исходные компоненты в следующем соотношений, мае.%: Легкоплавкое стекло48,0-50,0 Материал на основе титаната бария50,0-52,0 Легкоплавкое стекло имеет следующий состав, мас.%: РЬО58,5-59,5 В-Оа8,5-9,5 jlol29,0-31.0 CuOl,5-2,fe При изготовлении материала компоненты измельчают .до цельной поверхности 8000-9000 , вз,вешивают в заданном соотношении и перемешивают в среде этилового спирта и

ацетона, взятых в соотношении 1:1 при отношении твердой.и жидкой фаз 3:40.

Диэлектрический материал наносят на алюминиевую фольгу методом электрофоретического осаждения из суспенФормула изобретения Шихта для стеклокерамического материала, используемого преимущественно для низкочастотных конденсаторов, содержащая порошки легкоплав кого стекла на основе оксида свинца и материал на основе титаната бария отличающаяся тем, что, .с целью обеспечения возможности получения конденсаторов пакетного типа с электродами из алюминия за счет .снижения температуры их формировани она содержит исходные компоненты в следующем соотношении, мас.%:

Легкоплавкое

48,0-50,0

стекло Материал на основе титаната

50,0-52,0, бария,

зии. Температура спекания конденсаторных пакетов составляет 430-20с.

В таблице приведены состав и свойства предлагаемых диэлектрических материалов.

причем легкоплавкое стекло имеет следующий состав, мас.%:

58,5-59,5 8,5-9,5

29,0-31,0 1,5-2,5

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

2.Заявка Франции 2139032, кл. С 04 В 35/00, опублик. 1973.