Способ определения дозы ионов дляпОдАВлЕНия жЕСТКиХ цилиНдРичЕСКиХМАгНиТНыХ дОМЕНОВ Советский патент 1981 года по МПК G11C11/14 

(54) СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ДОЗЫ ИОНОВ ДЛЯ ПОДАВЛЕНИЯ ЖЕСТКИХ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ МАГНИТНЫХ ДОМЕНОВ

и неимплантироваиной областями пленки феррит-граната.

Так как в сформированном участке концентраация линейно увеличивается в направлении оси Y, величина полей колланса будет изменяться в том же самом нанравлении.

На чертеже приведена схема эксперимента и распределение дозы в образпеОбразец облучался сканирующим ионным пучком относительно оси Y, угол сканирования - 6°. Имплантировались ионы аргона, с энергией 150 кэВ, дозой 10 см и плотностью ионного тока в пучке 10 мкА/см На расстоянии I - 3 мм от имплантируемой пленки I находился экран 2, которым закрывалась часть образца: Вследствие уелоВИЙ, в пленке феррит-граната после имплантации получены 3 различные области: необлученная - I, облученнаая с максимальной дозой фо-III и неоднородно облученная II. Область П.; вследствие неоднородного облучения при сканировании ионного пучка относительно оси Y/ формируют с линейно изменяющейся дозой (фиг. 16)

Ф(У) Фо,СМ-2(1)

где d - ширина области И, фв- максимум дозы ионного облучения, У - координата, направленная по касательной к поверхности. Эксперимент проводился на пленке ферритграната состава (Bi Тт) з(РеОа) sO i В неимплантированном образце интервал полей коллапса составлял 3,5 Э, что свидетельствует о наличии жестких ЦМД. В неравномерно имплантированной области II, ширина которой 80 мкм, в направлении, перпендикулярном линии раздела между областями 1 и 11, наблюдалось плавное изменение интервала полей коллапса ЦМД. Измерения полей коллапса ЦМД проводились в трех участках области II : О - 27 мкм, 27 - 54 мкм и 54 - 80 мкм (точка -отсчета от линии раздела между 1Г и III областями; в направлении области 1). ЦМД коллапсировали в пределах магнитных полей смещения 0,9; 0,7 и 0,6 Э соответственно. Видно, что наименьший интервал полей коллапса ЦМД имеет участок 54 - 80 мкм, что соответствует средней дозе равной 7-10 -см. Таким образом, определенная доза является опт(4мальной с точки зрения подавления жестких ЦМД в данном материале, при выбранных фиксированной энергии и типе ионов.

Предлагаемый способ дает положительный эффект, который заключается в следующем;

а)отпадает надобность смены образцов (или последовательного маскирования) и перестройки измерителя дозы на другую программу, что сокращает время;

б)имплантация только одного образца за один процесс выгодно с экономической точки зрения;

в)ввиду того, что в одной гранатовой пленке создан слой с непрерывным изменением концентрации дефектов, дозу, при которой имеет место подавление жестких ЦМД, определяют с более высокой точностью.

Формула изобретения

Способ определения дозы ионов для по: 1авления жестких цилиндрических магнитных доменов, основанный на имплантации пленки феррит-граната ионами фиксированной энергии, измерении полей коллапса и фиксации дозы имплантированных ионов, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и упрощения способа, имплантациь пленки феррит-граната осуществляют с линейно изменяющейся дозой ионов и определяют степень подавления жестких цилиндрических магнитных доменов в направлении, перпендикулярном линии раздела между имплантированной и неимплантированной областями пленки феррит-граната.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Nolfe R., North J. С. Suppression of hard bubbles in magnetic garnet films by io implantation.-Bell sSyst. Tech. J., 1972, V. 51, p. 1436- 1440.

2.Nolfe R., North J. C., Lai Y. P. Suppression of hard bubbles in magnetic garnets films by ion implantation. Dependence on ion species, dose, energy and annealing.-Appl. Phys. Lett., 1973, v. 22, No 12. p. 683 - 686.

Ионный пучок