Способ контроля однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке Советский патент 1985 года по МПК G11C11/14 

со

00

сд

О5 СО Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при контроле качества доменосодержащих материалов, применяющихся в запоминающих устройствах. Целью изобретения является повыщение точности контроля однородности ионноимплантированного слоя. В основу изобретения положен экспериментально обнаруженный факт, что после ионной имплантации пороговое значение напряженности перемагничивающего поля, при котором начинается вращение намагниченности, снижается более чем в 3 раза, в то время как поле коллапса ЦМД изменяется не более чем на 5%. Это позволяет значительно повысить чувствительность при контроле однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке, если регистрировать не поле коллапса ЦМД Но, а напряженность импульсного поля Ни, при котором начинается процесс вращения намагниченности. Цредложенный способ контроля однородности ионно-имплантированного слоя в доменосодержащей пленке осуществляют следующим образом. На намагниченную до насыщения доменосодержащую пленку воздействуют импульсным магнитным полем. Регистрация вращения намагниченности обеспечивается использованием магнитооптического эффекта Фарадея для визуализации областей с обратной намагниченностью и применением импульсного лазера в качестве источника света для подсветки пленки в некоторый момент времени через 20-200 не после приложения импульсного магнитного поля. В таблице приведены значения Но и Ни при поле смещения ,5 кА/м для нескольких точек образца, имплантированных с разной дозой. В качестве образца были использованы ионно-имплантированные пленки ферритграната с диаметром ЦМД 5 мкм. Но, кА/м 10,5 10,7 10,8 10,9 10,6 10,7 10,6 10,5 Н, кА/м 65,6 48,0 32,8 25,0 26,4 32,8 48,0 65,0 Приведенные результаты показывают, что предложенный способ обеспечивает более высокую чувствительность при контроле однородности ионно-имплантированного слоя вследствие более сильного изменения Ни. Кроме того, в предложенном способе контроля однородности ионно-имплантированного слоя нужно регистрировать не изолированные ЦМД, а области с обратной намагниченностью, имеющие на 1-2 порядка большие размеры, чем диаметр изолированного ЦМД, поэтому он применим к материалам с субмикронными ЦМД.

СПОСОБ КОНТРОЛЯ ОДНОРОДНОСТИ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННОГО СЛОЯ В ДОМЕНОСОДЕРЖАЩЕЙ ПЛЕНКЕ, основанный на воздействии на доменосодержащую пленку магнитным полем и поляризованным светом, отличающийся тем, что, с целью повышения точности контроля, воздействие магнитным полем на доменосодержащую пленку осуществляют путем ее намагничивания до насыщения и приложения в противоположном направлении импульсного магнитного поля, регистрируют локальное значение напряженности импульсного магнитного поля, при котором начинается процесс вращения намагниченности, и по разбросу этих значений в разных участках доменосодержащей пленки судят об однородности ионно-имплантированного слоя.