Диэлектрик для конденсатора Советский патент 1981 года по МПК H01G7/00 

Описание патента на изобретение SU873290A1

(54) ДИЭЛЕКТРИК ДЛЯ КОНДЕНСАТОРА

Похожие патенты SU873290A1

название год авторы номер документа
Диэлектрик для конденсатора 1980
  • Белова Лидия Алексеевна
  • Богатин Александр Соломонович
  • Богатина Валентина Николаевна
  • Гольцов Юрий Иванович
  • Гуля Николай Николаевич
  • Мальцев Василий Терентьевич
  • Прокопало Олег Иосифович
SU868850A1
Полупроводниковый керамический материал 1990
  • Гольцов Юрий Иванович
  • Шпак Лидия Алексеевна
  • Раевский Игорь Павлович
  • Суровяк Зигмунд
  • Юркевич Витолд Эдуардович
SU1730080A1
Пьезоэлектрический керамический материал 1976
  • Гольцов Юрий Иванович
  • Белова Лидия Алексеевна
  • Бугаян Ирина Асвадуровна
  • Прокапало Олег Иосифович
  • Черпилло Валерий Павлович
  • Мальцев Василий Терентьевич
SU608789A1
Шихта для изготовления керамического материала 1982
  • Дорохова Маргарита Петровна
  • Жуковский Вячеслав Иллиодорович
  • Ревина Людмила Евгеньевна
  • Сорокина Алла Мордковна
SU1035015A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНОГО КЕРАМИЧЕСКОГО КОНДЕНСАТОРА 1992
  • Раевский Игорь Павлович
  • Новиков Михаил Сергеевич
  • Губайдулина Ольга Аркадьевна
  • Петрухина Лариса Алексеевна
  • Куимов Александр Евгеньевич
  • Малицкая Мария Алексеевна
  • Ротенберг Борис Абович
  • Ганин Владимир Алексеевич
  • Пахомова Наталия Ивановна
RU2035777C1
Керамический материал для изготовления конденсаторов 1980
  • Колчин Владимир Владимирович
  • Михайлова Надежда Константиновна
  • Балашова Елена Михайловна
  • Сазонова Инна Сергеевна
SU927785A1
Шихта для изготовления керамического материала 1977
  • Пузырев Эдуард Игоревич
  • Шапиро Генриетта Мироновна
SU681024A1
Сегнетоэлектрический керамический материал на основе титаната бария-стронция 2020
  • Резниченко Лариса Андреевна
  • Хасбулатов Сидек Вахаевич
  • Садыков Хизир Амирович
  • Андрюшин Константин Петрович
  • Андрюшина Инна Николаевна
  • Глазунова Екатерина Викторовна
  • Дудкина Светлана Ивановна
  • Болдырев Никита Анатольевич
  • Вербенко Илья Александрович
RU2751527C1
Диэлектрический материал для конденсаторов переменной емкости 1989
  • Раевский Игорь Павлович
  • Богатин Александр Соломонович
  • Малицкая Мария Алексеевна
  • Богатина Валентина Николаевна
  • Нестеренко Александр Павлович
  • Шпак Лидия Алексеевна
SU1705898A1
Пьезокерамический материал 1976
  • Гольцов Юрий Иванович
  • Белова Лидия Алексеевна
  • Черпилло Валерий Павлович
  • Мальцев Василий Терентьевич
  • Прокопало Олег Иосифович
SU667530A1

Реферат патента 1981 года Диэлектрик для конденсатора

Формула изобретения SU 873 290 A1

Изобретение относится к диэлектри кам для конденсаторов, а именно к ди электрикам для конденсаторов перемен ной емкости, изменяющейся при измене нии частоты электрического напряжени и может быть использовано, в частное ти, в следящих фазовращателях, в широкополосных анализаторах фазы. Известен диэлектрик для конденсатора переменной емкости, изменяющийся при изменении частоты электрического напряжения и содержащий гетерогенную смесь эмульсионного полистирола и алюминиевой пудры. Быстроту изменения емкости такого конденсатора при изменении частоты электрического напряжения можно характеризовать частотным коэффициентом емкости К )/lg(), где С и С емкости конденсатора, измеренные при частотах электрического напряжения f . и fл соответственно. Чем большую величину имеет частотный коэффициент емкости, тем быстрей изменяется емкость конденсатора при изменении частоты электрического напряжения СП . Недостатком данного диэлектрика является малый частотный коэффициент емкости конденсатора; не превышающий 18%. Это не позволяет достаточно быстро изменять емкость конденсатора изменением частоты электрического напряжения, что в свою очередь не позволяет использовать конденсаторы с таким диэлектриком в следяпдсс фазовращателях. Наиболее близким по технической сущности является диэлектрик для конденсатора на основе станната бария , включающий добавку сурьмы С2. Недостаток этого диэлектрика заключается в малом частотном коэффициенте емкости, достигающем 21%. Цель изобретения - повышение частотного коэффициента емкости. Цель достигается тем, что диэлектрик для конденсатора на основе станната бария, включающий добавку сурьмы, дополнительно содержит стекло, при следующем соотношении компонентов, вес. %: Станнат бария, включаю1ДИЙ добавку сурьмы 85-95 Стекло5-15 при этом стекло содержит, вес.%: ВаО43-53 В О 45-50 Диэлектрик для конденсатора получают смешиванием исходного станната бария с добавкой сурьмы и стекла, предварительно измельченных до прохождения через сито 10000 отв./см, или операции измельчения и смешивания проводят совместно. Исходный .материал - станнат бария с добавкой сурьмы - получают обжигом смеси.окислов ВаО, SnO., , взятых в следующем соотношении, вес.%: ВаО.- 49,1; SuO - 48,2; 2,7 Температура обжига 1400-1450 0, врем вьщержки при этой температуре 2-3 ч Стекло .получают оплавлением окислов Wo л в платиновом тигле п Vv . температуре 1250-1300 С в течение 1-2 ч с последующей закалкой на воздухе. Для получения диэлектрика для конденсатора из смесей ст нната бари с добавкой сурьмы со стеклами, прессуют образцы, например, в виде дисков диаметром 12 мм и толщиной 2-3 м Обжигают образцы в камерной электрической печи при температуре 1050- 1250 С в воздущной атмосфере. Подъем температуры в печи осуществляют со. скоростью 200-250 град/ч, охлаждени со скоростью 80-120 град/ч (потери в весе образцов не превышают 0,5%). Полученные диски шлифуют до толщины 1 мм и наносят электроды на поверхность образцов методом вжигания сер ряной пасты.

Известньй

1 .102ЧО 610 1.. Пример . Получение диэлектрика для конденсатора. Состав ди.-.кпектрика, вес. % : {BaSnO)-, ( jjpjjg - УО, стекло - 10. Состав стекла, вес.%: ВаО - 46, - 49, WO - 5. Приготовление станната бария с добавкой сурьмы, стекла и диэле,ктрика для конденсатора из них проводится по описанной технологии. Температура обжига станната бария с добавкой сурьмы 1400 С, время выдержки 3 ч . Температура оплавления окислов для получения стекла 1300с, время оплавления 1 ч. Температура обжига образцов смеси станната бария с добаикой сурьмы со стеклом . Аналогично получают диэлектрики для конденсаторов составов, приведенных в табл. 1 и 2. Для характеристики конденсаторов с данными диэлектриками проведено измерение их емкости при различных частотах электрического напряжения. Измерения.проводят методом фазочувствительного вольтметра. Результаты испытаний и составы диэлектриков, использованных в опытах, приведены в табл. 1 и 2. Предлагаемый диэлектрик при содержании стекла 5-15 вес.% имеет частотный коэффициент емкости в пределах 98-65%. При меньшем или при большем содержании стекла частотный коэффициент емкости снижается. Оптимальным является следующее соотношение окислов в стекле, всс.%: ВаО - 46, .B/jpiij - 49, WOi, - 5 . При подходе к предельным соотношениям содержания окислов в стекле частотный коэффициент емкости конденсатора уменьшается. При выходе за предлагаемые пределы соотношения окислов в стекле частотный коэффициент емкости конденсатора достигает величин, которыми характеризуется известное устройство. Т а б л и ц а 1

Состав диэлектрика, вес.%

Стекло

100

98

95

10

90

15

85

20

80

Л: ВаО - 46, B,jOj - 49, WOj - 5.

Стекло состава, вес

Продолжение табл.1

Диэлектрическая проницаемость Sjj

Частотный

Плотность, коэффициент измерения при .г/см емкости. К, частоте электрического напряжения f, Гц

2-1С 1,5-10

21

1,1. ioi,o-io5

9,11о 7,9« 10 7,6-10

1,,9-10

31 5,Q.,1- ю 3,3-10 2,8- 10 2,6-10

1,0.оЧ,9-10

78 2,5.,8.l(f 1,2.,4-10 2,700

7,,7-10

82 1,2.1027,9-10 4,7102, 1,8-10

3,,8-10

65 7,6ЧО5,5.10 3,,2. 10 1,6-10 . .

N 3,5-103,0-10

18

2,4102,2-10 1,9- 101,6-10 1,5-10

Формула изобретения

Диэлектрик для конденсатора на основе станната бария, вюдачающий добавку сурьмы, отличающийс я тем, что, с целью повышения частотного коэффициента емкости, он дополнительнно: содержит стекло при следующем, соотношении компонентов, вес.% Станнат бария, включающий добавку сурьмы 85-95 Стекло5-15

Таблица 2

При этом стекло содержит, вес.%: ВаО43-53

%0 45-50

WO .2-7

Источники информации,

принятые во внимание при экспертизе

1.Авторское свидетельство СССР № 132721, кл. Н 01 G 7/06,30.09.592.Кристаллизация и свойства криталлов, вып. 1, Новочеркасск, 1974, с. 124 (прототип).

SU 873 290 A1

Авторы

Богатина Валентина Николаевна

Богатин Александр Соломонович

Гольцов Юрий Иванович

Прокопало Олег Иосифович

Белова Лидия Алексеевна

Бурланков Виктор Евгеньевич

Даты

1981-10-15Публикация

1979-12-20Подача