Способ очистки деталей Советский патент 1981 года по МПК B08B5/00 

Описание патента на изобретение SU874231A1

(54) СПОСОБ ОЧИСТКИ ДЕТАЛЕЙ

Похожие патенты SU874231A1

название год авторы номер документа
Способ травления образцов пленочных полимерных материалов 1979
  • Багиров Мирза Ага Аюб Оглы
  • Осколонов Виктор Алексеевич
  • Волченков Евгений Яковлевич
  • Малин Валерий Павлович
  • Абрамов Рафик Хизгилович
SU877394A1
СПОСОБ ПРОВЕДЕНИЯ ГОМОГЕННЫХ И ГЕТЕРОГЕННЫХ ХИМИЧЕСКИХ РЕАКЦИЙ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПЛАЗМЫ 2002
  • Шарафутдинов Р.Г.
  • Карстен В.М.
  • Полисан А.А.
  • Семенова О.И.
  • Тимофеев В.Б.
  • Хмель С.Я.
RU2200058C1
СПОСОБ ПЛАЗМЕННОЙ ОБРАБОТКИ ДЕТАЛЕЙ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1993
  • Богатов Валерий Афанасьевич
  • Марахтанов Михаил Константинович
  • Хохлов Юрий Александрович
RU2063472C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СЧЕТЧИКА ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ 2020
  • Митрофанов Евгений Аркадьевич
  • Симакин Сергей Борисович
  • Шабалкин Алексей Вячеславович
RU2765146C1
СПОСОБ ПОДГОТОВКИ СЫРЬЯ ИЗ ЙОДИДОВ НАТРИЯ ИЛИ ЦЕЗИЯ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ НА ИХ ОСНОВЕ 2007
  • Волошко Александр Юрьевич
  • Кудин Александр Михайлович
  • Кудин Константин Александрович
  • Семиноженко Владимир Петрович
  • Софронов Дмитрий Семенович
  • Шишкин Олег Валерьевич
RU2363777C1
Способ изготовления МДП-структур на основе InAs 2015
  • Терещенко Олег Евгеньевич
  • Валишева Наталья Александровна
  • Девятова Светлана Федоровна
  • Аксенов Максим Сергеевич
RU2611690C1
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ МЕТАЛЛОСОДЕРЖАЩИХ ПОКРЫТИЙ НА КРУПНОРАЗМЕРНЫЕ ПОДЛОЖКИ В ВАКУУМЕ И УСТАНОВКА ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1992
  • Амелин А.Н.
  • Егоров Ю.И.
  • Коляскин А.В.
  • Остапенко В.В.
RU2062818C1
СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ НА МЕТАЛЛИЧЕСКУЮ ДЕТАЛЬ КОМПЛЕКСНОГО ПОКРЫТИЯ ДЛЯ ЗАЩИТЫ ДЕТАЛИ ОТ ВОДОРОДНОЙ КОРРОЗИИ, СОСТОЯЩЕГО ИЗ МНОЖЕСТВА МИКРОСЛОЕВ 2012
  • Бушмин Борис Викторович
  • Васильковский Владимир Сергеевич
  • Галкина Марина Евгеньевна
  • Глаговский Эдуард Михайлович
  • Дубровский Юрий Владимирович
  • Иванова Светлана Владимировна
  • Колпаков Александр Яковлевич
  • Селезнёва Людмила Владимировна
  • Хазов Иолий Александрович
RU2495154C2
СПОСОБ СОЗДАНИЯ АНОДНОЙ ОКИСНОЙ ПЛЁНКИ ХОЛОДНОГО КАТОДА ГАЗОВОГО ЛАЗЕРА В ТЛЕЮЩЕМ РАЗРЯДЕ ПОСТОЯННОГО ТОКА 2014
  • Хворостов Валентин Иванович
  • Голяев Юрий Дмитриевич
  • Балин Василий Андреевич
  • Хворостова Надежда Николаевна
RU2581610C1
Способ очистки поверхности полупроводников 1977
  • Бажин Анатолий Иванович
  • Малиненко Евгений Матвеевич
SU819857A1

Реферат патента 1981 года Способ очистки деталей

Формула изобретения SU 874 231 A1

1

Изобретение относится к очистке поверхностей и может быть использовано для очистки деталей и узлов вакуумных систем.

Известен способ очистки деталей с помощью травления высокочастотной кислородной плазмой 1.

К недостаткам этого способа относятся необходимость использования ВЧ генератора и большое время очистки.

Наиболее близким к изрбретенйю .является способ очистки деталей, вклю чающий обработку их поверхности .газообразной кислородсодержащей средой и вакуумирование 2 .

Недостаток способа состоит в том, что на очищаемую деталь оказывают действие электроны и ионы, что существенно ограничивает область применения способа и снижает качество очистки.

Целью изобретения является повьаиение качества очистки.

Поставленная цель достигается т,ем, что обработку поверхности деталей производят струей активированного кислорода при давлении 0,1-10 ммрт.ст,

Диссоциированный (атомарный) кисло род получают с помощью тлеющего разря да в трубке Вуда,в которую с

объемной скоростью подают кислород с небольшой примесью паров вОды для увеличения выхода атомов кислорода. Из трубки Вуда частично диссоциированный кислород откачивают из разрядной зоны через диафрагму в виде сопла в рабочую камеру, где перпендикулярно оси сопла располагается очищенная, деталь. Сопло служит для сведе10ния к минимуму электронно- ионносоставляющей плазмы и формирования струи активированного кислорода.

Атомарный кислород вызывает полное и быстрое удаление всех органичес15ких соединений в результате химического взаимодействия с ними, при этом единственными продуктами реакции являются углекислый газ и пары воды, которые легко удалйются в процессе

20 самой очистки путем откачки. Активированный кислород способен очищать детали самой сложной конфигурации с отверстиями самого малого диаметра.

Пример. Вакуумная система,

25 предназ|1аченная для обработки интегральных схем/ состоящая из стеклянного колпака, винйпластового резервуара и соединительных трубок общим объемом 25 л., откачивалась с помощью насоса РВИ-20 (максимально

30 достижимей вакуум при холостом ходе 510 мм рт.ст.) в течение 15 дн. в результате чего удалось достичь вакуума 6 10 мм.рт.ст. После обработки активированным кислородом в течение 2 ч вакуум поднялся до рт. ст ., т. е. был достигнут практически предельно возможный вакуум. При обработке давление кислорода было 1ммрт.ст., расход кислорода составЯйл 10 л/ч, плотность атомов кислорода на выходе из сопла, измеренная методом каталитической рекомбинации на платине, равнялась 10 атомов/см -с. Способ очистки деталей струей активированного кислорода имеет по срав нению с известными способами следу1аци преимущества: упрощение процесса очистки, избежание применения вредных для организма человека веществ,иэбавление от сложной аппаратуры,предотвращение повреждения поверхности деталей электронно-ионной бомбардировкой. Формула изобретения Способ очистки деталей, включающий обработку их поверхности газообразной кислородсодержащей средой и вакуумирование, отличающийся тем, что, с целью повьлиения качества очистки, обработку поверхности деталей производят струей активированного кислорода при давлении 0,1-10 мм рт.ст. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Патент США 3723289, кл. Н 01 Т 19/00, 1973. 2.Dugdale R.A. Thin Solid Films, 1977, 45, 3, 541-552.

SU 874 231 A1

Авторы

Багиров Мирза Ага Аюб Оглы

Осколонов Виктор Алексеевич

Малин Валерий Павлович

Василевский Евгений Борисович

Даты

1981-10-23Публикация

1978-09-12Подача