Интегральный усилитель мощности для магнитофона Советский патент 1982 года по МПК H03F3/00 

(54) ИНТЕГРАЛЬНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ

1

Изобретение относится к электронным устройствам общего назначения, а именно к интегральным усилителям мощности для магнитофонов.

Известен интегральный усилитель мощности для магнитофона, содержащий входную шину, подключенную к базе первого транзистора, коллектор которого через второй транзистор соединен с базой третьего транзистора, подключенного к выходной щине 1.

Известный интегральный усилитель имеет относительно простую конструкцию, однако не позволяет обеспечить достаточно высокий коэффициент усиления.

Известен также интегральный усилитель мощности для магнитофона, содержащий входные шины, подключенные к базам первого и второго из транзисторов, эмиттеры которых подсоединены к базам третьего и четвертого транзисторов, а коллекторы - к отрицательной щине питания, соединенной через первый и второй из резисторов с эмиттерами пятого и шестого транзисторов, а через третий и четвертый резисторы - с эмиттерами седьмого транзистора и восьмого ДЛЯ МАГНИТОФОНА

транзи-стора, коллектор которого подсоединен к выходной шине, подключенной к эмиттерам девятого и десятого транзисторов и к коллектору одиннадцатого транзистора, положительную шину питания, соединенную через пятый резистор с эмиттерами двенадцатого и тринадцатого транзисторов и подключенную к эмиттерам четырнадцатого, пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов и к коллекторам семнадцатого, восемнадцато10го и девятнадцатого транзисторов, диод, шину смещения и шины частотной компенсации. Этот интегральный усилитель позволяет обеспечить относительно высокий коэффициент усиления 2.

Недостаток подобного интегрального уси15лителя состоит в его малом быстродействии.

Цель изобретения - повышение быстродействия интегрального усилителя мощности для магнитофона.

Это достигается за счет того, что шина 20 смещения подключена к базам двенадцатого, тринадцатого, четырнадцатого, пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов, коллекторы двенадцатого и тринадцатого транзисторов к эмиттерам первого и третьего

г));1п;иг|Ч)|)()и, коллектор Итыриядцатого траи:iiioT(ipa к чмитгсрам трет)) и четвертого) грии;(И(Ч)ро1, коллектор пятнадцатого транзисто()а к первой тине частотной компенсации, к коллектору седьмого транзистора и к базам одиннадцатого и двенадцатого транзисторов, коллектор ц естнадцатого транзистора к базе восемнадцатого транзистора, к коллекторам двадщать иервого и двадцать второго трапзисторов и к базе и коллектору двадцать третьего транзистора, коллектор третьего транзистора - к базе и ко.тлектору пятого транзистора и к базе шестого транзистора, коллектор четвертого транзистора к коллекторам niecTfjro и девятого транзисторов, к базе семнадцатого транзистора и ко второй П1ине частотной компенсации, коллектор десятого транзистора - к коллектору двадцатогч) транзистора и к базе двадцать четвертого транзистора, коллектор восьмого транзистора к эмиттерам девятнадцатого и двадцатого транзисторов и к коллектору двадцат1 четвертого транзистора, а эмиттеры седьмого, семнадцатого, двадцать третьего, двадцать четвертого и одиннадцатого транзисторов -- соответственно к базам девято1о, седьмого, двадцать второго и восьмого транзисторов и к эмиттеру двадцать второго транзистора. При этом между коллекторами седьмо Ч) и девятого транзисторов включен диод, а между эмиттерами семнадцатого и одиннадцатого транзисторов и базами девятого и двадцать второго транзисторов -соответственно н1естой и седьмой резисторы, кол;1ектор десятого транзистора соединен с третьей П1ННОЙ частотной компенсации и с отрицате.()й ниной питания соответственно через восьмой и девятый резисторы, коллектор вось.) транзистора - с базами девятнадцатого и двадцать первого транзисторов соответственно через десятый и одиннадцатый резисторы, а эмиттер восьмого транзистора с базой десятого транзистора и с эмиттером двадцать четвертого транзистора соответственно через двенадцатый и тринадцатый резисторы.

На чертеже показан вариант предлагаемого иптегрального усилителя мощности для магнитофона.

Интегральный усилитель содержит входные шины 1, подключенные к базам первого и второго транзисторов 2 и 3, эмиттеры которых подсоединены к базам третьего и четвертого транзисторов 4 и 5. Коллекторы первого и второго транзисторов 2 и 3 подсоединены к отрицательной шине 6 питания, соединенной через нервый и второй резисторы 7 и 8 с эмиттерами пятого и HiecToro транзисторов 9 и 10, а через третий и четвертый резисторы 11 и 12 - с эмиттерами седьмого транзистора 13 и восьмого транзистора 14, коллектор которого нодсоединен к выходной шине 15. Отрицательная шина 6 питания подключена, кроме того, к .эмиттерам девяТОГО и десятого транзисторов 16 и 17 и к коллектору ()дин11ад1игго|-о транзис-тора 18, Предлагаемый И11те1ральный усилитель содержит также положительную шину 19 питания, соединенную через пятый резистор

20с эмиттерами двенадцатого и тринадцатого транзисторов 21 и 22. Положительная шина 19 питания подключена к эмиттерам четырнадцатого, пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов 23, 24 и 25 и к коллекторам семнадцатого, восемнадцатого и девятнадцатого транзисторов 26, 27 и 27. При этом к базам двенадцатого, тринадцатого, четырнадцатого, пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов 21, 22, 23, 24 и 25 подключена шина 29 смешения, соединенная с выходом фор.мирователя 30, смешаюшего нанряжения, подсоедипенного к отрицательной и положительной шинам 6 и 19 питания.

В интегральном усилителе коллекторы 0 двенадцатого и тринадцатого транзисторов

21и 22 подключены к эмиттерам первого и второго транзисторов 2 и 3, коллектор четырнадцатого транзистора 23 - к эмиттерам третьего и четвертого транзисторов 4 и 5, а коллектор пятнадцатого транзистора 24 - к первой шине 31 частотной компенсации, к коллектору седьмого транзистора 13 и к базам одиннадцатого и двадцатого транзисторов 18 и 32. Ко.ллектор шестнадцатого транзистора 25 подключен к базе восемнадцатого транзистора 27, к коллекторам двадцать нервого и двадцать второго транзисторов 33 и 34 и к базе н коллектору двадцать третьего транзистора 35, коллектор третьего транзистора 4 к базе и коллектору пятого транзистора 9, и к базе HiecToro транзистора 10, а коллектор четвертого транзистора 5к коллекторам шестого и девятого транзисторов И) и 16, к базе семнадцатого транзистора 26 и ко второй П1ине 36 частотной компенсации. Кроме того, коллектор десятого трапзистора 17 подключеп к коллектору двадцатого транзистора 32 к базе двадцать четвертого транзистора 24, а коллектор восьмого транзистора 14 - к эмиттерам девятнадцато1Ч) и двадцатого транзисторов 28 и 32 и к коллектору двадцать четвертого

транзистора 37. В предлагаемом интегральном усилителе также эмиттеры седь.мого, семнадцатого, двадцать третьего, двадцать четвертого и одиннадцатого транзисторов 13, 26, 35, 37 и 18 подключены соответственно

0 к базам девятого, седьмого, двадцать второго и восьмого транзисторов 16, 13, 34 и 14 и к эмиттеру двадцать второго транзистора 34.

В интегральном усилителе между коллекторами седьмого и девятого транзисторов

13 и 16 включен диод 38, между эмиттером семнадцатого транзистора 26 и базой девятого транзистора 16 - шестой резистор 39, а между эмиттером одиннадцатого транзистора 18 и базой двадцать второго транзистоpa 34 - седьмой резистор 40, Коллектор десятого транзистора 17 соединен с третьей шиной 41 частотной компенсации и с отрицательной шиной 6 нитания соответственно через восьмой и девятый резисторы 42 и 43. Коллектор восьмого транзистора 14 соединен с базами девятнадцатого и двадцать первого транзисторов 28 и 33 соответственно через десятый и одиннадцатый резисторы 44 и 45. Э.миттер восьмого транзистора 14 соединен с базой десятого транзистора 17 и с эмиттером двадцать четвертого транзистора 37 соответственно через двадцатый и тринадцатый резисторы 46 и 47.

В интегральном усилителе первый, второй, третий и четвертый транзисторы 2, 3, 4 и 5 образуют входной каскад 48, выполненный по дифференциальной схеме, в которой двенадцатый, тринадцатый и четырнадцатый транзисторы 21, 22 и 23 играют роль генераторов тока. Седьмой и семнадцатый транзисторы 13 и 26 образуют промежуточный каскад 49, в котором пятнадцатый транзистор 24 играет роль динамической нагрузки, а шестнадцатый транзистор 25 - генератора тока. Восемнадцатый и девятнадцатый транзисторы 27 и 28 образуют одно плечо двухтактного выходного каскада 50, а восьмой, двадцатый и двадцать четвертый транзисторы 14, 32 и 37 - второе его плечо.

Использование изобретения позволяет в значительной степени повысить быстродействие интегрального усилителя мошности для магнитофона.

Формула изобретения

Интегральный усилитель мошности для магнитофона, содержащий входные шины, подключенные к базам первого и второго из транзисторов, эмиттеры которых подсоединены к базам третьего и четвертого транзисторов, а коллекторы - к отрицательной гцине питания, соединенной через первый и второй из резисторов с эмиттерами пятого и шестого транзисторов, а через третий и четвертый резисторы - с эмиттерами седьмого транзистора и вось.мого транзистора, коллектор которого подсоединен к выходной шине, и подключенной к эмиттерам девятого и десятого транзисторов и к коллектору одиннадцатого транзистора, положительную шину питания, соединенную через пятый резистор с эмиттерами двенадцатого и тринадцатого транзисторов и подключенную к эмиттерам четырнадцатого, пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов и к коллекторам семнадцатого, восемнадцатого и девятнадцатого транзисторов, диод, шину смешения и шины частотной компенсации, отличающийся тем, что, с целью повыпюния быстродействия, шина смешения подключена к базам двенадцатого, тринадцатого, четырнадцатого, 5 пятнадцатого и шестнадцатого транзисторов, коллекторы двенадцатого и тринадцатого транзисторов к эмиттера.м первого и второго транзисторов, коллектор четырнадцатого транзистора к эмиттерам третьего и четвертого транзисторов, коллектор пятнад0 цатого транзистора - к первой шине частотной компенсации, к коллектору седьмого транзистора и к базам одиннадцатого и двадцатого транзисторов, коллектор шестнадцатого транзистора - к базе восемнадцатого

5 транзистора, к коллекторам двадцать первого и двадцать второго транзисторов и к базе и коллектору двадцать третьего транзистора, коллектор третьего транзистора - к базе и коллектору пятого транзистора и к базе шестого транзистора, коллектор четвертого транзистора - к коллекторам шестого и девятого транзисторов, к базе семнадцатого транзистора и ко второй шине частотной компенсации, коллектор десятого транзистора - к коллектору двадцатого транзистора и к базе двадцать четвертого транзистора, коллектор восьмого транзистора - к эмиттерам девятнадцатого и двадцатого транзисторов и к коллектору двадцать четвертого транзистора, а эмиттеры седьмого, семнадцатого, двадцать третьего, двадцать четвертого и одиннадцатого транзисторов - соответственно к базам девятого, седьмого, двадцать второго и восьмого транзисторов и к эмиттеру двадцать второго транзистора, причем, между коллекторами седьмого и девятого транзисторов включен диод, а между

5 эмиттерами семнадцатого и одиннадцатого транзисторов и базами девятого и двадцать второго транзисторов - соответственно шестой и седьмой резисторы, коллектор десятого транзистора соединен с третьей шиной частотной компенсации и с отрицательной шиной питания соответственно через восьмой и девятый резисторы, коллектор восьмого транзистора - с базами девятнадцатого и двадцать первого транзисторов соответственно через десятый и одиннадцатый резисторы,

5 а эмиттер восьмого транзистора - с базой десятого транзистора и с эмиттером двадцать четвертого транзистора соответственно через двенадцатый и тринадцатый резисторы.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Патент Японии № 51 - 19950, к„1. 98 (5) А 7, 1976.

2.Патент Японии №. 53-32223, кл. 98 (5) А 014, 1978 (прототип). Збо