(54) ТЕРМИСТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Микропаяльник | 1982 |
|
SU1142240A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ АЛМАЗНЫХ КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ | 1978 |
|
SU1120629A2 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СВЕРХТВЕРДОГО ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА | 2006 |
|
RU2329947C1 |
АЛМАЗНО-ТВЕРДОСПЛАВНАЯ ПЛАСТИНА | 2012 |
|
RU2541241C2 |
Способ изготовления алмазного инструмента | 1982 |
|
SU1192955A1 |
СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ ШИХТЫ ДЛЯ СИНТЕЗА АЛМАЗА | 1990 |
|
RU2102316C1 |
Способ создания камеры высокого давления с алмазной наковальней | 1986 |
|
SU1398155A1 |
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА НА ОСНОВЕ КУБИЧЕСКОГО НИТРИДА БОРА, СОДЕРЖАЩЕГО АЛМАЗЫ | 2011 |
|
RU2484888C1 |
СВЕРХТВЕРДЫЙ МАТЕРИАЛ | 2008 |
|
RU2413699C2 |
СПОСОБЫ УЛУЧШЕНИЯ СПЕКАНИЯ ПКА (ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО АЛМАЗА) ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ГРАФЕНА | 2012 |
|
RU2636508C2 |
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении термисторов в устройствах для измерения температуры.
Известен термистор, содержащий термочувствительный элемент и выводы. Он изготовляется путем формирования термочувствительного элемента из,монокристалла сложного окисла и нанесения выводов 1.
Недостатки известного термистора состоят в низкой чувствительности и быстродействии.
Наиболее близким к предлагаемому по технической сущности является термистор, содержгидий размещенные в корпусе термочувствительный элемент из монокристаллического алмаза, сое- диненный с ним коллектор и выводы. Этот термистор изготовляют путем присоединения коллектора к т:ермочувствительному элементу из монокристаллического алмаза с последующим нанесением выводов (-2 .
Недостаток известного термистора заключается в низком быстродействии.
Цель изобретения - увеличение быстродействия.
Поставленная цель достигается тем, что в известном термисторе, со-:держащем размещенные в корпусе термочувствительный элемент из монокрис таиплического алмаза соединенный с ним /коллектор и выводы, коллектор выполнен из порсиака поликристаллического алмаза.
Способ изготовления термистора
10 характеризуется тем, что перед присоед;инением коллектора из порошка поликристаллического алмаза к термочувствительному элементу из моно- , кристаллического алмаза помещают монО15кристаллический алмаз, а присоединение коллектора к термочувствительному элементу из монокристаллического алмаза осуществляют спеканием порошка поликристаллического ал-маза и
20 монокристаллического алмаза при 1500-2000°С и давлении 70-80 кбар в течение 15-30 с.
На чертеже схематически изображен термистор в разрезе.
25
Термистор содержит термочувствительный элемент 1 из монокристаллического алмаза, расположенный в коллекторе 2 из спеченного порошка поликристаллического алмаза, выводы 3, металлизированные площадки 4 для при30
соединения выводов 3 и термоустойчив е покрытие 5, Термистор помещен в корпус из кварцевого С7вкца(не показан) .
Термистор работает следующим образом.
С помощью выводов 3 термистор подсоединяется к измеряемому объекту. Измерительным мостом .Сопротивления измеряется сопротивление термистора. По градуировочной кривой зависимости .сопротивления термистора от температуры объекта. При изменении температуры объекта термистор меняет свое сопротивление. Это изменение регистрируется и по градуировочной кривой оценивается соответствующее изменение температуры измеряемого объе та в данный момент времени.
Термистор изготовляют следующим образом.
Монокристаллический алмаз помещают в центральную часть пресс-формы с алмазнь№4 порошком и выдерживают загрузку в камере высокого давления гидравлического пресса, типа тороид при давлении 45 кбар и при в течение 20 с, в результате чего происходит спекание поликристаллического алмазного порошка с монокристаллическим алмазом. Затем температуру понижают до комнатной, а давление до атмосферного.Полученный образец извлекают из пресс-фО ды, шлифуют до вскрытия монокрИйталла и затем подвергают .химической обработке для обезжиривания и очистки поверхности обоазца. Затем на поверхность коллектора с находящимся в нем активньМ элементом из монокристаллическоГо алмаза методом распыления металла в вакууме наносят контактное металлическое покрытие Ti-Ni. С помсадью метода фотолитографии получают разнесенные контактные площадки, к которым с помощью припоя крепят выводы из вольфрама в атмосфере водорода при . Термистор помещают в оболочку из кварцевого стекла.
Спеченная алмазная композиция имеет теплопроводность, превышакшую в несколько раз теплопроводность
коллекторов известных термисторов; Монокристалл алмаза запресовывается в спеченную алмазную композицию в условиях высоких давлений и температур в результате чего происходит срастание монокристалла алмаза с поликристаллйческим алмазом с образованием монолитного тела. В згих условиях создается прочный тепловой контакт монокристалла аломаза с поликристалличаским алмазом, что вместе с более высокой теплопроводностью поликристаллического алмаза увеличивает быстродействие те{ 1истора.
Кроме того, термистор более устойчив к агрессивным средам, например к повышенной влажности.
Формула изобретения
2,Способ изготовления те1 истора по П.1, включающий присоединение коллектора к термочувствительному элементу из монокристаллического алмаза, о т л и ч а ю щи и с я тем, что перед присоединением коллектора из порошка .поликристаллического алмаза к термочувствительному элементу из монокристаллического алмаза в порошок поликристаллического алмаза поминают монокристаллическйй алмаз,
а присоединение коллектора к термочувствительному элементу из Мрнокрясталлического ёшмаза осуществляют спеканием порошка прликрис аллическогс алмаза при 150б -2000°С и давлении 70-80 кбар в течение 15-30 с. Источники инфо яяации, принятые во внимание при экспертизе
Авторы
Даты
1982-03-07—Публикация
1979-09-19—Подача