Полупроводниковый детектор Советский патент 1982 года по МПК G01N27/02 

Изобретение относится к аналитической технике, в частности хроматографии и предназначено для количественного анализа компонентов смесей,

Известно устройство, осуществляющее полупроводниковое детектирование для газовой хроматографии, состоящее из полупроводникового детектирующего элемента, который является катализатором для реакции взаимодействия анализируемого вещества с газом-носителем. Детектирование осуществляют по изменению злектрофизических свойств Ll.

Недостатком этого устройства является низкая чувствительность.

Известен полупроводниковьй детектор для хроматографии, состоящий из корпуса, патрубка для ввода потока газов и чувствительного элемента, представляющего собой пленки каташизаторов ZnO и TiOj.. Электрофизические параметры указанных пленок меняются в процессе каталитической реакции 2.

.Однако известное устройство не обладает высокой чувствительностью и может быть применено только для тех вещеатв, которые вступают в ка- , талитическую реакцию с газом-носите-. лем в присутствии полупроводникового катализатора, что ограничивает область его применения.

Наиболее близким техническим решением к изобретению является полупроводниковый детектор, например, для хроматографа, содержащий корпус, в котором размещен подключенный к источнику тока и включенный в измерительную схему транзистор, покры10тый веществом, взаимодействующим с анализируемым компонентом PJ.

Это устройство не обладает также достаточной чувствительностью.

Цель изобретения - повышение чув15ствительности, а также расширение спектра детектируемых соединений.

Поставленная цель достигается тем, что в полупроводниковом детекторе, например, для хроматографа, содер20жащем корпус, в котором размещен подключенный к источнику тока и включенный в измерительную схему транзистор, покрытый веществом, взаимодействующим с анализируемым компо25нентом, в качестве вещества, взаимодействующего с анализируемым компонентом, использован феррицианид металла. Проводимость трехслойной полупроводниковой структуры резко

30 меняется под влиянием адсорбции.