Плазменный генератор для обработки материалов Советский патент 1993 года по МПК H05H1/00 

Изобретение относится к плазменной техники и применяется для обработки строительных материалов с целью получения защитно-декоративных покрытий.

Известен плазменный генератор для обработки материалов, содержащий коаксиально расположенные анод, катод, выполненные в виде эллиптических ци линдров, разделяющий их диэлектрический наполнитель и соленоид. Недостатком этого плазменного генератора для обработки материалов является то, что вследствие действия электрома - нитных сил дуга стабилизируется в центре сол еноида и значительная доля Тепловой энергии дуги передается диэлектрическому наполнителю, что уменьшает ресурс плазменного генератора и производительность обработки материалов.

Целью изобретения является повышение производительности обработки материалов.

сл

Цель достигается тем, что в плазменном генераторе для обработки матесриалов, содержащем коаксиально расположенные анод, катод, выполненные в виде эллиптических цилиндров, разделяющий их диэлектрический наполнитель

ю ел о и соленоид, в диэлектрическом наполнителе выполнены сквозные отверстия вдоль образующей эллиптического цилиндра, равномерно расположенные по

о ел эллипсу.

На чертеже изображен плазменный генератор для обработки материалов.

Генератор катод 1, анод 2, диэлектрический наполнитель 3 со сквозными

го каналами 4, соленоил 5 и концентраторы 6 магнитной индукции.

Плазменный генератор работает следующим образом. Постоянный ток, например, величиной 200-300 А подается на электроды 1 и 2. Производится зажигание дуги либо посредством осциллятора, либо кратковременным замыканием электродов. Электрическая

дуга под действием электромагнитных сил стабилизируется в своем вращении на концах электродов , ближайших к обрабатываемому материалу. Подают сжатый воздух через каналы k, обеспечивают прижим дуги к обрабатываемой

поверхности, чем повышают производительность обработки изделия.

Использование данного устройства для обработки материалов повышает производительность ее по сравнению с прототипом на 30,

V

4p:2v