Изобретение относится к технике травления металлов, а именно к рас.творам для химического травления нихрома, применяемого при изготовлении интегргшьных схем методом фотолитографии.
Для травления нихрома обычно применяют составы на основе сильных окислителей, например,соляной кислоты. Процесс травления характеризуется бурным газовыделением. Пузырьки водорода, образующиеся при травлении, прилипая к участкам травления, препятствуют равномерному удалению ни хрома, что приводит к появлению значительного количества непротравленных островков. Это затрудняет осуществление процесса травления подложек групповым методом (цетаоли партиями) .
Кроме того,применяемые в фотолитографии фоторезисты ограниченно стойки в агрессивных средах, поэтому при т{&влении нихрома часто происходит протрав фоторезиста и низлежаищх под ним.слоев, что ведет к необрати- мому-браку микросхем.
Наиболее близким к предлагаемому является раствор для травления нихрома, содержащий соляную кислоту и во. ду М ..
Недостатками раствора являются значительное боковое подтравливание рисунка схемы, неравномерность травления, протрав фоторезиста и низлежащих слоев, например, алюминия и нихрома при изготовлении резистивных микросхем с контактными площадками из алюминия.
Цель изобретения - повышение ка10чества и эффективности Травления нихрома.
Поставленная цель достигается тем, что раствор дополнительно содержит изопропиловый спирт, при следую15щем соотношении компонентов, г/л: Кислота соляная (уд,вес 1,19 r/cif) «00-800 Спирт изопропиловыйДо 1 л
20 Для приготовления раствора соляную кислоту вливают в изопропиловый спирт. Полученный раствор прозрачный. Добавление изопропилового спирта смягчает агрессивное действие соляной
25 кислоты на фоторезист, являясь стабилизирующей добавкой, обеспечивает равномерное травление без бокового подтравливания и позволяет осуществить травление подложек групповым
30 методом. Пример 1. Для травления ни хрома в окнах фоторезиста берут раствор, содержащий компоненты в следующих соотношениях, мл: Кислота соляная (уд.вес 1,19 r/CNf) 600 Спирт изопропиловый400В полученный раствор погружают кассету с подложками с нанесенным, проявленным и задубленным фоторезис том. Длительность процесса травлени в таком растворе составляет 30 с пр Контроль готовности подложек, т.е. определение окончания процесса травления, осуществляется визуально Качество травления определяется с помощью микроскопа:исчезает металли ческий блеск, появляется поверхност подложки. Пример 2. Для травления ни .хрома в окнах фоторезиста готовят раствор, содержащий компоненты в сл дующей оптимальной концентрации,мл Кислота соляная (уд.вес 1,19 г/см) 800 Спирт йзопропиловый200Длительность процесса травления растворе такой концентрации составляет 14 с. Температура раствора та же, что в примере 1. При содержании в растворе изопропилового спирта менее 200 мл качество травления повышается незначительно, а более 400-мл резко снижают травяьдае свойства.раствора, т.е. понижается качество травления и увеличивается длительность процесса. Сравнительные результаты травления деталей (40 штук с нанесенным, проявленным-и задубленным фоторезистом, протравленных)в известном и описываемом растворах, представлены в табл.1. Результаты применения изделий после травления приведены в табл.2. Таким образом, предлагаемый раствор для травления нихрома прост в приготовлении, не требует сложного оборудования и имеет следующие -преимущества по сравнению с известными: повышается качество травления, т.е. исчезает боковое подтравливание резистивных элементов, нихром в окнах фоторезиста травится более равномерно; при изготовлении многослойных микрополосковых плат,, содержащих резистивные элементы, резко повышается процент выхода годных микросхем (с 20% до 90%) ; появляется возможность осуществления процесса травления групповым методом, что уменьшает трудоемкость при изготовлении микросхем. Таблица 1
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Раствор для обработки резистивных материалов | 1984 |
|
SU1249071A1 |
| Способ формирования изображения | 1980 |
|
SU911749A1 |
| КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ СУХОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ В ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКОМ ПРОЦЕССЕ | 2013 |
|
RU2524344C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИФРАКЦИОННЫХ ОПТИЧЕСКИХ ЭЛЕМЕНТОВ | 2010 |
|
RU2442195C2 |
| СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОШАБЛОННЫХ ЗАГОТОВОК | 2005 |
|
RU2308179C1 |
| Раствор для фотохимического фрезерования меди и медных сплавов | 1987 |
|
SU1458430A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОДЛОЖЕК С ОТВЕРСТИЯМИ | 1992 |
|
RU2030136C1 |
| Раствор для травления хрома | 1978 |
|
SU767169A1 |
| Способ изготовления микрополосковых плат СВЧ-диапазона с переходными металлизированными отверстиями на основе микроволновых диэлектрических подложек, изготовленных из высокочастотных керамических материалов с высокой диэлектрической проницаемостью | 2022 |
|
RU2806799C1 |
| Фотошаблон и способ его изготовления | 1978 |
|
SU938338A1 |
Температура
Время выдержки 10-15 мин
Температура 80-90°С Время выдержки 2-3 мин
Температура
,
Время выдержки 14 с
Полное стравливание схем с фоторезистом, нихромом и .алюминием
Подтрав каждой схемы составил 150200 мкм (при допуске 25 мкм) и ширине контактов 220 мкм
Боковое под-. травливание 1-2 мкм
Известный 40
Раствор из примера № 1 30
Раствор из примера № 2 14 Формула изобретения 25 Раствор для травления нихрома, содержащий соляную кислоту, отличающийся тем, что, с целью повышения качества поверхности и эффективности обработки, раствор до- зО полнительно содержит изопропиловый , спирт при следующем соотношении компонентов:Соляная кислота уд.вес. 1,19 г/см,« г/л. 600-800
Таблица 2
20
8-40
Протрав фоторезиста и низлежащих слоев
Протрав фото90
1-2 резиста отсутствует
90 Изопропиловый спирт, л Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Попилов Л.Я., Трактирова Т.Н. -Химические и электрохимические способы травления поверхностей деталей и изделий в.судостроении. Обзор ЦНИИ РУМБ, 1974, с.52-53.
