Раствор для обработки резистивных материалов Советский патент 1986 года по МПК C23G1/02 

10

20

1249071

Изобретение относится к химической бработке резистивных материалов, частности для удаления продуктов отолитографической обработки с резистивных схем и может быть испольэо- s вано в радиоэлектронной промышленности .Целью изобретения является повьше- ние эффективности и сохранение высо кого качества поверхности,.

Изобретение может быть проиллюстрировано следующими примерами, Раст- вор готовят последователыг1ым растворением компонентов в воде. Цвет полу- ченного раствора - прозрачный. Применение в растворе щавелевой кислоты не затравливает резисторы 9 переводя неорганические продукты фотолитографической обработки в растворимое состояние, йзопропиловый спирт и11АВ Црог- ресс способствуют растворению и удалению веществ органического происхолзде- ния.

,

Пример 1. Для удаления налета продуктов фотолитографической обработки берут раствор, содержащий компоненты в следукт1юс соотношениях, г/л:

Кислота щавелевая 80

Изопропнповый

спирт5

Средство Прогресс 2В полученный раствор погружают готовые резистивные схемы. Длительность удаления продуктов фотолитографической обработки в таком растворе составляет 30 с для тонкопле ночных резистивных схем и 8 мин для фольговых при iS-ZS C. Затем схемы промьгоают горячей, холодной дистиллированной водой и сушат при 110-140 с.

Определение гголноты снятия налета осуществляется визуально под микроскопом МБС-2, исчезает белесый

со ко

ко

15 ле но гр та на пр ду

ле ся ни ка сп уд ки 30 об 50 ур

ре об ти

ду

на ра ре ма

45

25

35

в пр пл в пр

пятнистый налет, обнажается блестящая поверхность резисторов. При повторном прогреве налет не появляется.

Пример 2. Готовят раствор со следующим содержанием ингредиентов, г/л:

Кислота щавелевая 115 Йзопропиловый спирт 27,5 Средство Прогресс 3,5 Длительность снятия продуктов толитографической обработки с тонкопленочных резисторов составляет

0

20 с, с фольговых - 5 мин при 18- 25 С.

Пример 3. Готовят раствор, содержащий кo шoнeнты в следующей концентрации, г/л:

Кислота щавелевая 150

Йзопропиловый спирт 50

Средство Прогресс 5

Длительность снятия продуктов фотолитографической обработки с тонкопленочных резисторов составляет 7 с, с фольговых - 3 мин при 1В- 25 с.

При уменьшении содержания щаве- 5 левой кислоты менее 80 г/л эффективность удаления продуктов фотолитографической обработки уменьшается, так как концентрация ее недостаточна для перевода всех нерастворимых, преимущественно неорганических про- дуктов, в растворимые.

При повышении концентрации щавелевой кислоты более 150 г/л начинается перенасыщение раствора, с выпадением твердого кристаллического осадка. При концентрации изопропилового спирта менее 5 г/л эффективность удаления преимущественно органических продуктов фотолитографической 0 обработки резко уменьшается, более 50 г/л - остается на одном и том же уровне.

Замер номиналов всех испытуемых резисторов ампервольтметром Р38& до обработки в растворах (класс точности прибора 0,1-0,04%).

Обработка подложек с налетом продуктов фотолитографической обработки.

Обработке подвергают подложки с напыленными тонкопленочными резисторами из нихрома, РС-3710 и фольговые резисторы с резистивным слоем нихрома в кассетах по 10 штук при 20 С.

5

5

Сравнительные результаты удаления в известном и предлагаемом растворах продуктов фотолитографической обработки с готовых фольговых и тонкопленочных резистивных схем (по 50 шт.) в известном и предлагаемом растворах представлены в таблице.

В качестве ПАВ может быть использовано ПАВ на основе алкилсульфатов общей формулы , где R - ради- Калы алкильный (CHj) или арильный (CgHj.) C,|Hj, Следовательно, кроме средства Прогресс возможно использование и других ПАВ с аналогичным

31

спектром действия, например Альфия Ладп.

Могут быть использованы ПАВ с высокой растворимостью в воде, которые после эффекта удаления продуктов фотолитографической обработки, в свою очередь, бесследно и легко удаляются промывкой, не действуют на номинал резисторов и совместимы с щавелевой кислотой и изопропиловым спиртом.

Составы

Режим обработки

Температура 20 С, Время выдержки для тонкопленочных резисторов 20 с, для фольговых 3 мин

Температура 20 с.

Время выдержки для тонкопленочных резисторов 20 с, для фольговых 3 мин

Редактор П. Коссей

Заказ 4201/27Тираж 878

ВНИИПИ Государственного комитета СССР

по делам изобретений и открытий 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5

Производственно-полиграфическое предприятие, г. Ужгород, ул. Проектная, 4

2490714

, Таким образом, предлагаем1)1й раствор прост в прргготовлении, лег ко регенерируем простым фильтрование Мг не требует сложного оборудования и име- 5 ет следующие преимущества по сравнению с известным: повышается эффективность снятия продуктов фотолитографической обработкибез измененияноми - нала резисторов , процесс можно вести 10 групповым методом,повышается надежность резнетивных схем за счет исключения возможности сухого травления резисторов

Результаты обработки в растворе

Наблюдалось увеличение номинала тонкопленочных резисторов в 2-3 раза. После про мьшки и сушки остается налет продуктов фотолитографической обработки. Номинал фольговых резисторов увеличивается в 1,5- 2 раза.

После промывки и сушки остается налет продуктов фотолитографической обработки.

На тонкопленочных и фольговых резисторах продукты фотолитографической обработки снлись полностью без изменения их ноьганала

Составитель В. Олейниченко

Техред В.Кадар Корректор М. Дёмчик

Подписное