Способ дефектометрии в высокочастотном электрическом поле Советский патент 1982 года по МПК G01N27/62 G03B41/00 

1

Изобретение относится к исследованию физических свойств материалов и изделий -и может быть использовано как средство неразрушающих методов контро пя,.

Известен способ получения высокочастотных фотографических снимков, заключающийся в том, что экспонирование производят через тонкую ткань, помещенную между объектом съемки и Фотоматериалом.

Однако этот способ не позволяет определять такие геометрические .параметры поверхностных трещин, как щирина и глубина по имеющимся негативным изображениям. Кроме того, на изображение поверхности накладывается отпечаток структуры ткани. Это обстоятельство ограничивает область применения высокочастотной фотографии и информативность негативных изображений, а также снижает точность контроля.

Известны также способы дефектометрии объектов в электрическом высокочастотном поле, заключаюишеся в том, что объект контроля включают в аепь высокочастотного разряда и воздействуют на него магнитным полем, направленным нормально к исследуемой поверхности, и по приращению напряженности магнитного поля, фиксирующего передний и задний план дефекта, определяют глубину дефекта С11

Недостатком таких способов является

10 то, что при определении глубины дефектй необходимо настраиваться на каждый дефект в отдельности и самоизмерение приходится проводить лишь непосредственно на объекте контроля, а не на негати15ве, что значительно снижает как производительность контроля, так и его информативность. Недостатком таких способов является также требование помещения объекта контроля в регулируемое

20 магнитное поле, так как это требование вызызвает как технические затруднения в случае больщой протяженности, объекта контроля, так и технологическиеi 96 затруднения, когда наложение магнитного ПОЛЯ; по тем или иным причинам противопоказано. Наиболее близким к изобретению является способ дефектометрии в высоко-tr частотном энергетическом поле, за.ключакяцийся в воздействии на объект контро ля высокочастотным разрядом, измерении интенсивности получения с объекта и сравнении интегральной интенсивности излучения на дефектной и бездефектной поверхностях . Недостатком известного способа является невозможность строгого определения геометрических параметров отдельных, дефектов. . Цель изобретения - определение ге метрических размеров дефекта. Эта цель достигается тем, что, согласно способу дефектометрии в высокочастотном электрическом поле, заключающемуся в воздействии на объект контроля высокочастотным разрядом, измерении ивтенсивности излучения с рбьектр и сравнении интегральной интенсивности излучения на дефектной и бездефектной поверхностях, производят измерение лр-: кальной интенсивности излучения, определяют расстояние между соседними мак симальнъ1ми значениями локальной интенсивности излучения, по которому судят о ширине или длине дефекта, а сравнение интегральной интенсивности излу.чения на дефектной и бездефектной поверхности производят на участках протяженностью, соответствующей расстоянию между максимальными значениями локал ной интенсивностк, и по разности интегральных интенсивностей судят о глубине дефекта. На фиг. 1 представлена схема устройства, реализующего предлагаемый способ; на фиг. 2 - изменение локальной интенсивности излучения по ширине дефекта; на фиг. 3 - изменение разности интегральной интенсивности .в зависимости от глубины дефекта. Устройство содержит электрод 1 в ри разрядной обкладки, объект 2,регкстр рующий экран 3, микрофотометр 4, устройство 5 сравнения, высокочастотный генератор и блок питания (не показаны) Способ осуществляется следукэдим образом. Возбуждают высокочастотный разряд между электродом 1 с объектом 2 и .регистри ующим экраном о и возни- -- кающее изображение поверхности объек44та или его негатив обрабатывают на микрофотометре 4 следующим образом. Для замера щирины дефекта луч ми фофотометра перемещают поперек дефекта при максимально (для болыией точности) возмюкнокг-оТ1фЫ ЕЩци ерительной щели микрофотометра и по расстояниюмежду имеющимися максимумами интенсивности излучения В (фиг. 2) судят о щирине дефекта. Затем измеряют лощадь под полученной кривой между максимумами, получая таким образом .значение интегральной интенсивности излучения 3 дефекта, проводят подобный замер на бездефектной части поверхности при такой же Щирине измерительной щели, получая значения интегральной ,- интенсивности излучения Лд бездефектной поверхности, и по разности этих значеНИИ Лр , введенной в устройство 5 сравнения определяют глубину дефекта fi . В случае необходимости дальнейщего повъпиения точности при определении тубкиы дефектов, длина которых знаСтельно больще возможной ширины раскрытия измерительной Щели микрофото- . метра, замер интегральной инстенсивности излучения 3 необходимо проводить вдоль дефекта по всей его длине. На фиг. 3 .показана экспериментально полученная с пойощью предлагаемого ,.. способа зависимость разности интеграль ной интенсивности излучения от глубинъг: дефекта при постоянной его щирине. Использование изобретения позволяет значительно расщирить функциональные возможности данного метода до определения таких геометрических параметров дефектов, как ширина и глубина на объектах с криволинейной поверхностью или там, где визуальное наблюдение по техническим или технологическим причинам невозможно, а получение негативных изображений допускается. Работа с негативами снижает время вредного воздействия излучения на исследователей и открывает возможность хранения в негативах и дальнейщего использования информации не только об очертании, но и рельефе исследуемой поверхности. ФормуЛ а изобретения Способ дефектометрии в высокочастотном электрическом поле, заключающийся в воздействии на объект контроля высокочастотнъгм разрядом, измерении интенсивности излучения с объекта и сравнении

интегральной интенсивности излучения на дефектной и бездефектной поверхностях, отличающийся тем, что, с целью определения геометрических размеров дефекта, производят измерение локальной интенсивности излучения, опредепяют расстояние между соседними максимальными значениями локальной интенсивности излучения, по которому судят о ширине или длине дефекта, а

сравнение интегральной интенсивности излучения на .дефектной и бездефектной поверхностяк производят на участках

протяженностью, соответствующей расстоянию между максимальными значениями локальной интенсивности, к по разности интегральных интенсивностей судят о глубине дефекта.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

1.Авторское свидетельство СССР № 845074, кл. ( О1Н 27/62, 1979.

2.Авторское свидетельство СССР № 667943,;кл. G,O3 В 41/ОО, 1978 (прототип).

ФигА