Способ дефектометрии объектов в электри-чЕСКОМ ВыСОКОчАСТОТНОМ пОлЕ Советский патент 1981 года по МПК G01N27/62 

(54) СПОСОБ ДЕФЕКТОМЕТРИИ ОБЪЕКТОВ В ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ВБ1СОКОЧАСТОТНОМ ПОЛЕ

I

Изобретение относится к способам неразрушающего контроля и может быть использовано для измерения параметров поверхностных дефектов.

Известен способ дефектоскопии объектов в электрическом высокочастотном поле, заключающийся в том, что объект контроля включают в цепь высокочастотного разряда и регистрируют топографию электрического поля на фотографической пластине, и по полученному изображению судят о параметрах дефектов 1.

Указанный способ не обеспечивает необходимой точности контроля, т. е. не позволяет судить о глубине выявляемых дефектов.

Наиболее близок к изобретени1о по технической сущности способ дефектометрии объектов в электрическом высокочастотном поле, заключающийся в том, что объект контроля включают в цепь высокочастотного разряда и с помощью оптико-электронного индикатора регистрируют топографию электрического поля 2.

Однако и этот способ не обеспечивает необходимой точности контроля, так как не

позволяет достоверно судить о глубине выявленных дефектов.

Цель изобретения - измерение глубины дефектов.

Поставленная цель достигается тем, что на объект контроля воздействуют постоянным магнитным полем, направленным по нормали к исследуемой поверхности, регулируют напряженность Н магнитного поля до получения четкого изображения переднего плана дефекта, измеряют установленную величину напряженности Н Н, из10меняют Н до получения четкого изображения заднего плана дефекта, измеряют величину Я Яг я по разности двух измеренных значений Н г-Н определяют глубину дефекта.

Сущность предлагаемого способа пояс15няется чертежом, где представлена схема контроля.

Схема контроля включает электрод 1, выполненный в виде разрядной обкладки и подключаемый к генератору высокой часто20ты, оптико-электронный индикатор 2, последовательно соединенные соленоид 3, ось которого перпендикулярна поверхности экрана оптико-электронного индикатора, источник 4 постоянного тока, регулировочный резистор 5 и измеритель 6 тока.

Предлагаемый способ реализуется следующим образом. Объект 7 контроля включают в цепь высокочастотного разряда, размещая его на электроде 1, и наблюдают полученное изображение с помощью оптикоэлектронного индикатора 2. Ток через соленоид 3, создаваемый источником 4 постоянного тока, регулируют с помощью резистора 5 до получения четкого изображения переднего плана дефекта. С помощью измерителя 6 тока измеряют величину тока в обмотке соленоида, пропорциональную напряженности Н магнитного поля. Резистором 5 изменяют величину тока-через рДмотку соленоида 3 до получения четкого изображения заднего плана дефекта, .яют величину установленного тока, пропорциональную Яг, определяют разность измеренных значений Н, и по ней о глубине дефекта.

Предлагаемый способ позволяет измерить глубину поверхностных дефектов, что существенно повышает информативность контроля.

Формула изобретения

Способ дефектометрии объектов в электтрическом высокочастотном поле, заключающийся в том, что объект контроля включают в цепь высокочастотного разряда и с помощью оптико-электронного индикатора регистрируют топографию электрического поля, отличающийся тем, что, с целью измерения глубины дефектов, на объект контроля воздействуют постоянным магнитным полем, направленным по нормали к исследуемой поверхности,регулируют, напряженность Н магнитного поля до получения четкого изображения переднего плана дефекта, измеряют установленную величину напряженности Н - Нi, изменяют Н до получения четкого изображения заднего плана дефекта, измеряют величину Я Яги по разности двух измеренных значений ) определяют глубину дефекта.

Источники информации,

принятые во внимание при экспертизе

№ 118135, кл. G 01 N 27/62, 1957 (протс-ип).

/////Л