Резистивный материал Советский патент 1982 года по МПК H01C7/00 

Изобретение относится к радиоэлектронике и может быть использовано для изготовления резисторов. Известен резистивный керамически материал на основе оксидов кадмия ниобия и вольфрама 1. Недостатками резистивного матери ла являются узкий интервал удельного сопротивления 4,65-6,16 Ом-см и высокий температурный коэффициент Наиболее близким к изобретению п технической сущности является резис тивный материал на основе оксидов бария и свинца 2 . Недостатком известнсэго резистивн го материала является узкий диапазо сопротивления и высокий температурный коэффициент сопротивления. Цель изобретения - получение резистивного материала с широким диапазоном удельного сопротивления и снижение температурного коэффициент сопротивления tTKC) резисторов на его основе в интервале температур от 20 до 500°С. Поставленная цель достигается тем, что резистивный материал, содержащий оксиды бария и свинца, дополнительно содержит диоксид титана при следующих соотношениях компонентов, мол.%: Оксид бария 7,8 - 49,3 Оксид свинца 8,5 27,0 Диоксид титана - ,2 Для приготовления резистивного материала используют порошки титана бария и мета-плюмбата бария, приготовленного из карбоната бария и оксида или диоксида свинца, взятых в молярном соотношении 1:1,2, путем обжига на воздухе или в кислороде при 850°С в течение ч. Смесь порошков BaTiO,, РЬО прессуют и спекают при 850-870°С в течение 2-4 ч на воздухе. Пример 1. Для приготовления объемного резистора на 2,4-10 Ом к 1,6 г BaCOj добавляется 2,32 г

PbO и 9,58 г BaTIOj. Смесь тщательно перемешивается и обжигается на воздухе при 850-870 С в течение 2 ч. Из полученной смеси под давлением т/см формуют цилиндр длиной 29 мм сечением 25 мм , который спекается на воздухе при 970С в течение 3 ч после чего на его торцы наносятся серебряные контакты путем вжигания серебряной пасты.

Образцы других резисторов готовятся аналогичным способом.

В taблицe приведены значения уделььюго сопротивления f при 20, 150,

300 и и значения температурных коэффициентов сопоотивленип для интервалов температур 20-150, 150-300 и 300-500°С.

Из таблицы видно, что путем изменения компонентного состава можно получать резисторы с удельным сопротивлением с 10 до 10 Ом-см и малыми значениями ТКС в температурном интервале от 20 до 500°С.

. Применение резистивного материала позволяет повысить надежность радиотехнических устройств и уменьшить их размеры.

7960968 .8

Формула изобретения титана при следующих соотношениях

Резистивньж материал, содержащий Оксид бария ,,3 оксиды бария и свинца, о т л и ч а- Оксид свинца 8,5-27,0 да щ и и с я тем, что,с целью расши- s Диоксид титана 25,,2 рения Диапазона удельного сопротив-Источники информации,

ления и снижения температурного ко- принятые во внимание при экспертизе эффициента сопротивления резисто- 1 . Авторское -свидетельство СССР ров на его основе и области № , кл. Н 01 С 7/00, 1979. температур от 20 до 500°С, он Ю 2. Патент Японии № 51-38915, дополнительно содержит диоксид кл. С 0 В 35/00, 1976 (прототип).

компонентов, мол.%: