Резистивный материал Советский патент 1982 года по МПК H01C7/00 

Описание патента на изобретение SU945908A1

(k) РЕЗИСТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ

Похожие патенты SU945908A1

название год авторы номер документа
Резистивный материал 1980
  • Поташникова Татьяна Петровна
  • Пчелина Валентина Степановна
  • Воложинская Зоя Звулиновна
  • Карлов Виктор Петрович
  • Попова Татьяна Львовна
SU945907A1
РЕЗИСТИВНО-ПРОВОДЯЩИЙ МАТЕРИАЛ 1997
  • Соколов Александр Евгеньевич
  • Шиков Алексей Юрьевич
RU2117348C1
СТЕКЛОСВЯЗУЮЩЕЕ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ РУТЕНИЙСОДЕРЖАЩИХ СОЕДИНЕНИЙ 1992
  • Шутова Р.Ф.
  • Андронова Р.Е.
  • Колдашов Д.Н.
  • Журавов В.Д.
  • Ушкова А.П.
  • Андронов Б.Н.
  • Измайлов Ш.З.
RU2026578C1
ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫЙ ДАТЧИК 1994
  • Писляков А.В.
  • Васильев А.А.
RU2098806C1
СТЕКЛОСВЯЗУЮЩЕЕ ДЛЯ ПАСТ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 1992
  • Петрова В.З.
  • Шутова Р.Ф.
  • Андронова Р.Е.
  • Морозова Т.М.
  • Колдашов Д.Н.
RU2044350C1
Состав для резистивного материала 1983
  • Рудовол Григорий Герасимович
  • Колдашов Николай Дмитриевич
  • Марченко Александр Никитич
  • Шахпазиди Маргарита Федоровна
  • Пчелина Валентина Степановна
  • Демина Татьяна Алексеевна
  • Карлов Виктор Петрович
SU1173450A1
Резистивный материал 1980
  • Акулова Людмила Тарасовна
  • Рудь Борис Михайлович
  • Смолин Михаил Дмитриевич
  • Тельников Евгений Яковлевич
  • Корнатовский Юрий Антонович
  • Негляд Юрий Константинович
  • Федоров Виктор Николаевич
SU942174A1
СТЕКЛО 1994
  • Петрова В.З.
  • Шутова Р.Ф.
  • Осипенкова Н.Г.
  • Костенич Л.А.
RU2069198C1
ПАСТА ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 1989
  • Лисицкий В.В.
  • Измайлов Ш.З.
  • Шориков Ю.С.
  • Румянцева Е.А.
RU2033648C1
СТЕКЛО ДЛЯ СИТАЛЛОЦЕМЕНТА 1994
  • Петрова В.З.
  • Шутова Р.Ф.
  • Костенич Л.А.
  • Осипенкова Н.Г.
  • Левин В.Ф.
RU2069199C1

Реферат патента 1982 года Резистивный материал

Формула изобретения SU 945 908 A1

,. .

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при изготовлении постоянных и переменных толстопленочных резисторов и интегральных схем.

Известен резистивный материал на основе рутения, в .частности на основе двуокиси рутения, в смеси с непроводящей фазой - стеклом или керамикой 113. Недостатком таких композиций является высокий температурный коэффициент сопротивления (TKt) порядка (2 0-500) . Более прогрессивным является применение рутения в виде рутената .

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому является резистивный материал, состоящий из токопроводящей фазы - рутената свинца PbftRunO., легированного добавками: оксидом ванадия и сурьмы, и непроводящей фазы - свинцовоагяомоборосиликатного стекла 2.

Недостатками этого резистивного материала являются низкий диапазон номинальных значений сопротивления 2-952 Ом/о, высокий ТКС (от -300 до +360)10 град- .

Цель изобретения - расширение диапазона сопротивлений в сторону высокоомных значений и снижение ТКС.

Поставленная цель достигается тем, что резистивный материал, содержащий токсотрозодящую фазу на основе рутената свинца , легированного добавками в виде оксида ванадия оксида сурьмы SbnOc и стеклосвязующее в виде свинцово алюмоборосиликатного стекла, дополнительно содержит в качестве легирующбкй добавки иодид свинца и оксид циркония при следующем соотношении компонентов, вес.%:

28

Рутенат свинца

Pbq,,,95

Иодид свинца PbJii 0,76-2,1

Оксид циркония ZrOq. 0,38-0, Оксид ванадия Оксид сурьмы SboOc Свинцовоалюмоборосиликатное стекло

.SB

O

220.000- 70.000

0,7.6

0,38

1,9

0,38

Остальное

6,96

68.0002,1 -100.000

0,2

2,1

0,

SbnOc

Свинцовоалюмоборосиликатное

стекло Остальное

37,38 PbJ, 1,68 .

0,A2 2,1

0,42

Свинцовралюмоборог

силикатное

стекло Остальное

-100

+100

+50

+ 125

+30 9 59084 ,25 В таблице представлены сме0,38-0,45 си для получения резистивного Остальное за. материала предлагаемого состаPb, 38,22

0,81

0,

2,1

0,42

Свинцовоалюмоборосиликатное

стекло Остальное Пример . Токопроводящий мат риал и стекло измельчают и перемешивают с временной органической свя кой. Пасту наносят на керамическое основание методом сеткотрафаретной печати. Обжиг резистивных паст ведут на воздухе при 850-900 0. Применение указанных составов дает возможность получить резистивн слои с высоким удельным сопротивлением «7000 Ом/Ь- УО 000 Ом/а, что по сравнению с известными позволяет повысить сопротивление в 100-500 раз Кроме того, приведенные составы снижают ТКС по сравнению с известными в 3 раза до значений (от -100 до +125))°С в температурном диапазоне от -60 до +155С.

продолжение таблицы

-s-80

+ 100

100.000-150.000 Формула изобретения Резистивный материал, содержащий токопроводящую фазу на основе рутената свинца PbnRunO/, легированного добавками в виде оксида ванадия и оксида сурьмы , и стеклосвязующее в виде свинцовоалюмоборосиликатного стекла, отличающийся тем, что, с целью расширения диапазона сопротивления в сторону высокоомных значений и снижения температурного коэффициента сопротивления, он дополнительно содержит в качестве легирующей добавки иодид свинца и оксид циркония при следующем количественном соотношении компонентов, вес.%:

79 5908,8

Рутенат свинца,Источники информации,

Pb(j Ru«3iO(,3,,95принятые во внимание при экспертизе

.Иодид свинца ,76-2,1

Оксид циркония Zг0,j0,38-0,. Патент ВеликобританииН 1148926,

Оксид ванадия ,9-2,25, $ кл. С 1 М, 1966.

Оксид сурьмы SbrtOr0,3&-0,

Свинцовоалюмоборо -2. Патент Великобритании N 1329358,

сил11катное стеклоОстальноекл. Н 1 S, 1970 (прототип).

SU 945 908 A1

Авторы

Поташникова Татьяна Петровна

Пчелина Валентина Степановна

Воложинская Зоя Звулиновна

Карлов Виктор Петрович

Попова Татьяна Львовна

Даты

1982-07-23Публикация

1980-11-12Подача