Резистивный материал Советский патент 1981 года по МПК H01C7/02 

Изобретение относится к электротехнике, в частности к керамическим полупроводниковым материалам и может быть использовано для изготовления высокотемпературных термочувствитель ных резисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС) . Известны керамические материалы для использования в электронной технике на основе окиси висмута, которые имеют сравнительно низкую температуру обжига 1. Керамика ,, имеет низкую темпе ратуру плавления Ьпл 817°С, однако Опекается очень плохо из-за большой летучести материала и растрескивания образцов. Кроме того, полученный керамический материал обладает высоким удельным объемным сопротивлением и примерно нулевЕлм ТКС в интервале .25БЗ С. Введение в небольших количеств (до 10 мол.%) легкоплавких окислов ванадия, сурьмы, свинца или закиси меди оказывает чисто технологическое действие, способствуя более плотному и полному спеканию, приводит к возникновению высокого положи.тельного ТКС, но в узком интервале температур, причем величина ТКС зависит от режима обжига. Наиболее близок к предлагаемому по технической сущности резистивный материал, содержащий окись висмута и добавку, который достаточно хорошо спекается при температуре 740-780®С и обладает высоким положительным ТКС 10-20 %/град в интервале 20100°С 2. Недостатками этого материала являются узкий интервал рабочих температур (20-100 С), что не позволяет его использовать при высоких температу-pax, высокие значения удельного объемного электрического сопротивления по всей рабочей области температур (р 10 -ю ОМСм) , что затрудняет согласование р- зистора с электронными схемами и зависимость величины ТКС от режима обжига при изготовлении. Цель иэобретения-снижение удельного сопротивления и уменьшение температурного коэффициента сопротивления. Указанная цель достигается тем, что в известном резистивном материале , содержащем окись висмута и добавку, в качестве добавки использована смесь окислов вольфрама, титана и тантала

при следующем соотношении компонентов, вес.%:

Окись висмута 68,1 - 70,0 Вольфрамовый ангидрид 25,3 - 27,0 Двуокись титана 1,7 - 1,9 Танталовый ангидрид 2,8 - 3,0. Пример . Для .получения 100 г резистивного материала была иэготов тена шихта, состоящая из следующих компонентов, ч: окись висмута 66,96 вольфрамовый ангидрид 26,27; танталовый ангидрид 2,95; двуокись титана 1,85.

В качестве исходных используют компоненты реактивной чистоты, при расчете шихты вносят поправки на содержание основного компонента. После помола и смешивания исходных компонентов полученную шихту в виде порошка подвергают обжигу при 750-800С в течение 4 ч. Затем в шихту добавляют в качестве связки водный раствор поливинилового спирта или крахмала и прессуют изделия заданной формы и размера. Спрессованные изделия помещают в печь и спекают при 870-900 С . в течение 1-2 ч. Скорость подъема температуры и а.хлаждения не более 200-ЗОО С в час. После шлифовки на изделия наносят электроды вжиганием Серебряной пасты при 700-750С в течение 30 мин,

В таблице приведены основные характеристики полученных резистивных материалов в зависимости от содержания исходных компонентов. Характеристики изучены на образцах в виде дисков диаметром 10 мм и толщиной 1 мм,У