Травильный раствор Советский патент 1982 года по МПК C03C15/00 

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, а именно к обработке поверхности стеклянной подложки травлением.

Известен травильный раствор , включающий, вес.%:

HF19-32

NH4F19-32

НпО . Остальное

Этот раствор используют при изготовлении фазовых рэндомизирующих масок путем создания рельефа. Глубина вытравливания составляет 0,03 мкм.

Наиболее близким к предлагаемому по составу является травильный раствор 2, включающий, вес.ч:

HF10

K COj3

NH4F.3

Указанная травильная смесь применяется для матирования стекол с высоким содержанием BijOj. Однако этот раствор не может обеспечить заданный класс шероховатости поверхности.

Цель изобретения - обеспечение шероховатости 0,32-0,40 мкм.

Указанная цель достигается тем, что травильный раствор,включающий HF, ЫНдР и KiCOj, дополнительно сО

держит KF HF и. при следующем соотношении компонентов,вес.%

HF 40-60NH4F10-30

К7СОз10-20

KF . HF3-5

5-10

КгСг ОВведение в комплекс KF-HF и K. обеспечивает высокое качество полу10чаемой поверхности, ее тонкозернистую одно одную структуру, регламентирует получение параметра шероховатости RQ 0,32-0,40.

От качественного состояния поверх15ности стеклянных или кварцевых полложек, на которые наносится микропленка/ зависит в конечном итоге и качество изготавливаемого в целом полупроводникового прибора.

20

В таблице приведены составил травильного раствора.

i Продолжение таблицы

Примечание. Шероховатесть обработанной поверхности в составах 1-3 составляет О,36, 0,32 и 0,40 мкм соответственно.

Процесс обработки заключается в следующем. .

Пласт;ины из стекла, в том числе кварцевого, обезжиривают в 5%-ном растворе фтористоводородной кислоты HF, далее помещают в травильную смесь предлагаемого состава и обрабатывают при 60-70 с в течение 1-10 мин. Затемдетали извлекают из раствора, нейтрализуют в 3-5%-ном растворе аммиака, промывают последовательно в проточной и дистиллированной воде и просушивают в сутиильном шкафу 5-7 мин при 50-70°С.

Использование изобретения в полупроводниковой технике дает возможHtocTb улучшить качество изготавливаемых приборов и заменить дорогостоящий процесс механической обработки поверхности стекла на химический.

Приборы с использованием подложек, обработанных предлагаемым составом, найдут применение в медицине, электровакуумной кослд1ческой технике электронике.

Формула изобретения

Травильный раствор, включающий HF NH4F и K-jiCOj, отличающийся тем, что, с. целью обеспечения шероховатости 0,32-0,40 мкм, он дополнительно содержит KF HF и . приследующем соотношении компонентов, вес.%:

HF40-60

NH4F10-30

г ъ10-20

KF-.HF3-5

,5-10

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1. Авторское свидетельство СССР WJ703513, кл. С 03 С 15/00, 1977.

2. Авторское свидете льство СССР № 256188, кл. С 03 С 15/00, 1967.