(5) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| Датчик давления | 1977 |
|
SU853442A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ДАТЧИКА МЕХАНИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН | 2013 |
|
RU2544864C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ДАТЧИКА МЕХАНИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН | 2014 |
|
RU2547291C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНО- И МИКРОРАЗМЕРНОЙ СИСТЕМЫ ДАТЧИКА ФИЗИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН С ЗАДАННЫМ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОПРОТИВЛЕНИЯ РЕЗИСТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | 2014 |
|
RU2554083C1 |
| СПОСОБ ОТБРАКОВКИ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 2023 |
|
RU2825537C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОУСТОЙЧИВОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ ДАТЧИКА МЕХАНИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН | 2014 |
|
RU2548380C1 |
| Способ изготовления высокотемпературного тонкопленочного тензорезистора | 1990 |
|
SU1820416A1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОГО ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ НА ОСНОВЕ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ НАНО- И МИКРОЭЛЕКТРОМЕХАНИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | 2012 |
|
RU2505791C1 |
| Технология создания магнитоуправляемого мемристора на основе нанотрубок диоксида титана | 2021 |
|
RU2756135C1 |
| СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МНОГОСЛОЙНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ | 1998 |
|
RU2145744C1 |
Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в технологии изготовления тонкопл ночных тензорезисторов. Известен способ изготовления тонкопленочных тензорезисторов, включаю щий нанесение на подложку диэлектрического и резистивного слоев с после дующей их тер+« обработкой Cl 3. Недостаток указанного способа изготовления тонкопленочного тензорезистора состоит в низкой тензочувствительности. Наиболее близким к предлагаемому является способ изготовления тонкопл ночных тензорезисторов, включающий н несение на металлическую пластину слоя диэлектрика и резистивного слоя с последующей термообработкой их в среде кислорода t2. Недостаток известного способа изготовления тонкопленочного тензорези тора заключается в низкой тензочувст вительности. Цель изобретения - повышение тен-t зочувствительности. Указанная цель достигается тем, что согласно способу изготовления тонкопленочных тензорезисторов, включающему нанесение на металлическую пластину слоя диэлектрика и резистивного слоя с последующей термообработкой их в среде кислорода, термообработку осуществляют при 600-750°С и давлении. 10- 1 Па в течение 2-10 мин. Способ осуществляют следующим образом. На пластину из стали ЗбНХТ трлщиной 0,25 мм, диаметром 18 мм наносят слой диэлектрика и резистивный слой титана толщиной 1000 мкм. Затем пластину с нанесенными на нее слоями нагревают с помощью инфракрасного излучателя до в течение 2 мин при давлении кислорода 1(. Тензорезистор имеет удельное поверхностное сопротивление кОм/о и коэффициент тензочувствительности 0, Изготовленный
3 9631134
на его основе датчик имеет чувстви-трика и резистивного слоя с последуютельнвсть не хуже 1-2 мВ/В-атм.щей термообработкой их в среде кислоПредлагаемое изобре сение позволя-рода, отличающийся тем, ет изготовлять тонкопленочные тензо-что, с целью повышения термочувствирезисторы с удельным поверхностнымs тельности,. термообработку осуществлясопротивлением 2-50 кОм/о и коэффици-ют при температуре бОО-УБО С и давлеентом тензочувствительности 10-50.нии Па в течение 2-10 мин. Формула изобретенияЮ принятые во внимание при экспертизе
Способ изготовления .тонкопленоч ых кл. Н 01 С 17/00, 1966. тензорезисторой, включающий нанесение2. Патент США № ,
на металлическую пластину слоя диэлек- кл. Н 01 С 17/00, 1980 (прототип).
Источники информации,
