Способ изготовления запоминающих матриц на плоских магнитных доменах Советский патент 1982 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих ycTjSoftcTB на плоских магнитных доменах (ПМД). Известен способ изготовления запоминающих матриц на , основанный на повыьлении коэрцитивной силы пленки Н(- путем локального осаждения на нее другой пленки с высоким значением HC 1. Недостатком этого способа является невозможность .увеличения. Н(. массива пленки в широких пределах, что ограничивает область устойчивой работы запоминающего устройства. Наиболее близким техническим решением к изобретению является способ из готовления запоминающих матриц на ПМД основанный на нанесении на поверхност стеклянной подложки алюминиевого слоя толщиной л 5000 S и вытравливании в нем каналов, обнажающих поверхность стеклянной .подложки, с последующим напылением на всю поверхность подложки магнитной пленки. При этом участки магнитной пленки, нанесенной на .щероховатный тонкий алюминиевый слой имеют высокое значение Н, а в доменоперемадающих каналах, где магнитная пленка нанесена непосредственно на гладкую поверхность стеклянной подложки, Н J. пленки имеет низкое эначен-ие С 23Недостатком этого способа является невозможность увеличивать Н массива пленки в широких пределах, что снижает надежность работы ЗУ. Кроме того, возникновение перепадов толщины Пленки на участках.между канатами и массивом является источником полей рассеяния, снижающих величину поля зародышеобразования ПМД, которое определяет верхний предел допустимых значений рабочих токов матрицы. Технологический процесс сложный, так. как включает фотолитографию и двукратное нанесение пленок - алюминиевой и магнитной. Плохая адгезия двухслойной пленочной структуры снижает надежность работы запоминающего устройства, на ПМД. Целью изобретения является повышение надежности изготовления запсяиинающих матриц на ПМД. Поставленная цель достигается те;5, Что согласно способу изготовления запоминающих матриц на ПМД, основанном на нанесении магнитной пленки на подложку и избирательном повышеНИИ коэрцитивной силы магнитной плен ки, избирательное повьииение коэрцитивной силы магнитной пленки осущест вляют путем формирования в поверхнос ном слое подложки участков с пористо структурой. На чертеже представлена последова (Тельность изготовления запоминающих j матриц на ПМД в соответствии с предложенным способом. Сущность предложенного способа заключается в следующем, . На поверхность подпожки 1 из стек ла, содержащего легкорастворимые ком поненты, например натриевоборосиликатное (ВВС), проводят фотоЛитографию 2, освобождая от фоторезиста участки 3 поверхности подложки, где необходимо создать высокое значение KC. магнитной пленки. Эти участки под ложки выщелачивают в кислотах, напри мер в соляной, для получения пористых учаЬтков 4 подложки 1. Затем на поверхность подложки с периодической структурой пористых участков напыляют магнитную, например пермаллоевую, пленку 5. При этом пермаллой проника ет в пористые участки подложки и образует участки пленки б с высоким значением HC, а поверхность пленки остается ровной. Прим е-р. На поверхности подложки из ИБС толщиной 0,6 ммметодом фотолитографии создают рисунок, соответствующий положению доменоперемещающих каналов. ГНирина полос фоторезист .тора составляет 60 мкм с .промежутками между ними шириной 100. мкм. Затем подготовленную таким образом подложку помещают в растворитель - 40%-ный раствор соляной кислоты при 25-30с. Процесс выщелачивания ведут от 3 до 20 мин в зависимости от требуемой струкфуры и глубины пористых слоев участков подложки. В результате проис ходит формирование пористых участков поверхностного слоя подложки за счет удаления легкорастворимых натриевых и боратных компонентов из стеклянной подложки. Затем удаляют фоторезист и отмывают подложку в дистиллированной воде при 50-60°С в течение 20 мин и сушат в термостате. Затем на подложку напыляют пермаллоевую пленку. Величина Не магнитной пленки, находящейся на пористых участках подложки, в 18-20 раз больше Н, в доменоперемещающих каналах. Таким образом, предложенный способ, позволяет значительно увеличить раз- ницу HU каналов и массива пленки, что расширяет область устойчивой работы устройства. Структура-матрицы содержит только один магнитный слой на подложке, что увеличивает надежность. Технологический процесс Изготовления включает только одну операцию напыления одного слоя магнитной, пленки, не требует специального материала (стекла) для подложки, что уп-, рощает изготовление запоминающего устройства. Формула изобретения Способ изготовления запоминающих атриц на плоских магнитных доменах, включающий нанесение магнитной пленки на подложку и Избирательное повыше коэрцитивной силы, магнитной пленки,.о т л и а ю щ и и с я тем, что; с целью повышения надежности изготовления запоминающих матриц, избирательное пойышение коэрцитивнойсилы магнитной пленки осуществляют путем формирования в поверхностном слое подложки участков с пористой структурой. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе 1.Патент CLIA № 3416422, кл. 340-174, опублик. 1972. 2.Патент США № 3488006, кл. 340-174,. опублик. 1972 (прототип).

У. // УУ

/ У/ 7 7/ л

1

/ / /

777777/7////7/7//7//jf /jvyjr/7 y/j 7

// 7 // ;