Способ изготовления запоминающей матрицы Советский патент 1982 года по МПК G11C5/12 

(54) СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЗАПОМИНАЮЩЕЙ МАТРИЦЫ

1

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности, к технологии изготовления запоминающих матриц.

Один из известных способов заключается в том, что в подложке из стекла, например, натриевоборосиликатного, просверливают отверстия и затем путем химической обработки вокруг отверстий и на поверхности образуют пористые слои, в которых формируют микросердечники, вводя в пористые слои магнитный материал. Затем шлифуют подложку с обеих сторон и наносят на поверхность отверстий медь, образуя далее печатные проводники на обеих поверхностях

подложки t11

Недостатком этого способа изготовления матрицы является то, что в способе применяется ручная прошивка микросердечников, а также достигается недостаточно высокая плотность информации в матрице, которая вызвана тем, что плотность размещения микросердечников определяется прошивочным инструментом.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому изобретению является способ, заключающийся в том, что в стеклянной подложке путем ее химической обработки образуют пористые сквозные цилиндрические объемы для микросердечников, внутри ко10торых образуют другие сквозные пористые объемы меньшего диаметра для проводников считывания и записи, после чего пористые объемы, в которых формируют микросердечники, пропиты15вают магнитным материалом, а пористые объемы для формирования проводников считывания и записи пропитывают солями металлов, с последующим их восстановлением обычным пу20тем до чистого металла, затем последовательно на каждую из сторон подложки наносят соединительные проводники 2.

Недостатком данного способа изготовления является трудность получения цилиндрических объемов пористого стекла при химической обработке из-за растрава стекла и вследствие этого недостаточно высокая плотность информации в матрице, а такл(е низкая механическая прочность подложки из-за возникающих внутренних напряжений.

Цель изобретения - повышение технологичности способа изготовления запоминающей матрицы.

Поставленная цель достигается тем, что в способе изготовления запоминающей матрицы, заключающемся в создании пористой структуры в стеклянной подложке, введении в пористую структуру магнитного материала, формировании в полученных магнитных объемах сквозных отверстий для проводников записи и считывания, создании проводников записи и считывания, формировании на поверхностях подложки соединительных проводников, перед введением в пористую структуру подложки магнитного материала в ней создают диэлектрические участки, например, облучением лазерным лучом при 600-800°С, а перед формированием на поверхностях подложки соединительных проводников производят ее термическую обработку.

На фиг. 1 изображена запоминающая матрица; на фиг. 2 - последовательность технологических операций, а - создание пористой подложки; б - создание диэлектрических участков между пористыми объемами для микросердечников; в - введение в пористые объемы магнитного материала с заданными свойствами; г - формировние сквозных отверстий для записи и считывания; д - создание проводников считывания и записи, например, путем заполнения отверстий проводягдей пастой; е - образование соединяющих проводников на обеих поверхностях подложки.

Матрица представляет собой подложку 1, в объеме которой сформированы магнитные микросердечники 2, диэлектрические участки 3, проводники 4 записи и считывания и соединительные проводники 5.

Сущность предложенного способа заключается в следующем.

В объеме подложки 1 формируют пориЬтую структуру, например, подверга

ее химической обработке. При облучении пористой подложки, например, лучом лг1зера через трафарет, в местах облучения под действием локального термического разогрева из пористой структуры образуются плотные непористые диэлектрические участки 3, которые изолируют друг от друга оставлгиеся необлученными пористые объемы. Затем в пористые объемы вводится магнитныр материал, например, пропиткой солями металлов и последующей химикотермической обработкой, с целью получения заданных магнитных свойств Далее в каждом магнитном элементе 2 формируют сквозные отверстия, например, методом локального нагрева материала лучом лазера до температуры около 1200°С. В полученных сквозных отверстиях формируют проводники 4 записи и считывания, например, путем заполнения из проводящей пастой.

С целью улучшения адгезии соединительных проводников 5 на поверхности подложки 1 ее подвергают термической обработке при температуре не ниже 600 С. Далее с обеих сторон подложки 1 наносят coeдинитeльfIыe проводники 5.

Пример . Пластину из натриевборосиликатного стекла толщиной 0,3 мм опускают в раствор соляной кислоты. В результате в стеклянной пластине образуются взаимосвязанные поры с радиусом 100-10 000 А за счет вымывания легко растворимых натриевых и боратных компонентов из стекла. Пластину промывают и сушат. В качестве подложки можно использовать стекло с легкорастворимыми калиевыми, литиевыми и др. компонентами, керамику, минералы и другие органические и неорганические порообразующие матери- алы. При локальном нагреве подложки до бОО-ВОО С с помощью луча лазера через трафарет пористая структура спекается с образованием плотного кварцоида S i О Q в местах, не защищенных трафаретом. В полученные таким способом изолированные друг от друга пористые объемы для микросердечников вводится магнитный материал путем пропитки в растворе сернокислых солей железа, марганца, никеля, кобальта и др. Сернокислые соли, находящиеся в порах, подвергают химической обработке и обжигу при 800-1200°С в постоянных магяит1гых полях с целью получения заданных магнитных свойств вещества. Таким способом в подложке получаются изолированные магнитные объемы для микросердечников. Затем в центре каждого такого объема формируют отверстия с по мощью локального термического нагрева до . Кроме того, сквозные отверстия в пластине можно формировать с помощью электронного луча. Полученные сквозные отверстия для проводников считывания и записи заполняют проводящей пастой. Затем проводится термический отжиг пластины при 600°С. Такая термическая обработка приводит к устранению внутренних механических напряжений, к спеканию проводящей пасты со стенками стекла и образованию равномерной кварцоидной поверхности на пластине, что улучшает адгезию проводников на поверхности подложки. Окончательно на обе поверхности подложки напыляют металл, например, алюминий, и методом фотолитографии формируют соединяющие проводники. Предложенный способ в отличии от известных способов изготовления матриц памяти позволяет уменьшить диаметр микросердечников до 50 мкм, что приводит к увеличению плотности информации. Увеличение механической прочности пластин при изготовлении предлагаемым способом позволяет повы 896 сить выход годных пластин примерно на 10%. Формула изобретения Способ изготовления запоминающей матрицы, заключающийся в создании пористой структуры в стеклянной подложке , введении в порисгую структуру магнитного материала, формироваНИИ в полученных магнитных, объемах сквозных отверстий для проводников записи и считывания, создании проводников записи и считывания, формировании на поверхностях подложки соединительных проводников, отличающийся тем, что, с целью повьшения технологичности способа, перед введением в пористую структуру магнитного материала в ней создают диэлектрические участки, например, облучением лазерным лучом при 600-800С, а перед формированием на поверхностях подложки соединительных проводников производят, ее термическую обработку. Источники информации, принятые во внимание при экспертизе . 1. Авторское свидетельство СССР по заявке № 2704947/18-24, кл. G 11 С 5/02, 1979. 2. Авторское свидетельство СССР по заявке К 2735957/18-24, кл. G 11 С 5/02, 1979 (прототип).

.2