Элемент памяти Советский патент 1982 года по МПК G11C11/34 

(54) ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ

Изобретение относится к вычислите ной технике, в частности к оперативным запоминающим устройствам (ОЗУ) на основе МОП- или МНОП-структур. Известны элементы памяти, представляющие собой структуру металлдиэлектрик - полупроводник ( МНОП), в которых запись и стирание запоминаемой информации осуществляет ся электрическим полем ij. Недостатком этого элемента памяти является отсутствие оперативного управления длительностью сохранения информации. Наиболее близким по технической сущности к изобретению является элемент памяти, содержа ту1й диэлектричес кую подложку, на которой расположен слой фоточувствительного монокристал ла CdS с двумя параллельно размещенными электродами сток-исток, выполненныГЛИ, например, из индил, над которыми размещен изолирующий слой, выполненный, например, из слюды, на поверхности которой расположен трети электрод перпендикулярно относительно электродов сток-исток 2J. Недостаком известного элемента па мяти является малая длительность сохранения информации при комнатной температуре, которая не превышает десятков минут. Целью изобретения является повышение надежности элемента памяти. Указанная цель достигается тем, что элемент памяти содержит дополнительный изолирующий слой, выполненный, например, из непрозрачной слюды, и размещенный над третьим электродом в месте расположения электрода сток. На фиг. 1 представлен предлагаемый элемент памяти; на фиг. 2 - элект рическая схема включения элемента памяти , на фиг. 3 - динамика записи, длительность хранения и стирания информации в известном (а) элементе памяти и в предлагаемом (в). Элемент памяти содержит фоточувствительный монокристалл GdS. 1, электроды сток - исток 2, диэлектрическую подложку 3, третий электрод 4, изолирующий слой 5, дополнительный изолирующий слой 6, источник питания 7, нагрузочное сопротивление 8, выход рхемы 9-10 включения, с которого производится опрос элемента памяти, входы 11 и 12 схемы, куда подается запоминаемый сигнал - импульс постоянного электрического напряжения U(i.

Элемент памяти получают следующим образом.

На фоточувствительном высокоомном, монокристалле GdS 1, со средними размерами 0,5x0,15x0,005 см, расположенном на диэлектрической подложке 3 5 з относительно толстой (d 300 MKM}J слюды, создаются два токовых (омических) электрода 2 из индия, которые являются цепью сток-исток, и третий однороднополупрозрачный, изолирован- 10 ный от фоточувствительного монокристалла 1 тонким (d 8-10 мкм) изолирующим слоем 5 из .слюдяной пластинки, перпендикулярно расположенный относительно электродов 2, полученный катодным распылением платины на поверхность слюдяной пластины 5 (фиг.1). На однороднополупрозрачную металлическую пластину, которая является третьим электродом 4, над электродом jn сток 2 наклеивают специальным клеем светонепропуекающую диэлектрическую пластину - полоску из непрозрачной слюды шириной d- 500 мкм, которая является дополнительным изолирующим слоем б.

Аналогичные результаты дает и другой вариант исполнения , заключающийся в образовании более толстого светонепропускающего слоя из платины (шириной d 500 мкм).30

Принципработы предлагаемого элемента памяти заключается в следующем.

На входы 11 и 12 элемента памяти, авномерно освещаемого монохроматиеским светом СХ 0,48 нм) при ком- 35 натной температуре (Т 300 К) подается запоминаем1 1й П-импульс постоянного поперечного электрического напряжения длительностью порядка милисекунд и больие и амплитудой поряд-40 ка Ufi 100 В и выше. После действия П-импульса постоянного напряжения (записываемый сигнал) происходит резкое, практически до нуля, уменьшение фототока в течение некоторого 45 промежутка времени-f-b (фиг. За). Это время намного раз превышает длительность П-импульса и соответствует времени запоминания. Таким образом,. апоминаемый сигнал поступает в эле- Q ент памяти в виде П-импульса электриеского напряжения и отсутствие стацинарного фототока в цепи сток -исток оответствует хранению записанной

информации, а наличие фототока ее отсутствию. При наличии дополнительного изолирующего слоя б, при тех же условиях, при которых производилась запись и стирание информации в известном элементе памяти увеличивается в несколько раз и достигает часа и. больше (фиг. Зб) Данная длительность времени з соответствует определенной величине запоминаемого напряжения, подаваемого на вход 11 и 12 элемента памяти, и интенсивности освещения. Увеличение интенсивности освещения в 2 раза уменьшает tr в 10 раз -и наоборот, а увеличение амплитуды -поступающего сигнала U в 2 раза увеличивает в несколько раз и наоборот. Эти времена колеблются от 2 мкс до 100 мин.Таким образом, в данном элементе памяти длительность хранения информации оперативно управляема. Это свойство качественно отличает предлагаемый элемент памяти -от элемента памяти на основе МНОП-структур, он более надежен в работе по .сравнению с известным элементом.

Формула изобретения

Элемент памяти, содержащий диэлекрическую подлох{ку, на которой расположен слой фоточувствительного монокристалла GdS с двумя параллельно размещенньми электродами сток-исток, выпoлнeнны и, например из индия, над которыми размещен изолирующий слой, выполненный, например из слюды, на поверхности которой расположен трети электрод перпендикулярно относительно электродов сток-.исток, отличающийся тем, что, с целью повышения надежности элемента памяти он содержит дополнительный изолирующий слой, выполненный, например из непрозрачной слюды, и размещенный над третьим электродом в месте расположения электрода сток.

Источники информации, принятые во внимание при экспертизе

////////// m/

ff.fff -f-rff

ff s

Фаг-д

JO

)