ПОКРЫТИЕ ГРАФИТОВОГО ТИГЛЯ Российский патент 1995 года по МПК C30B15/10 

Описание патента на изобретение RU2036983C1

Изобретение относится к технологии получения полупроводникового кремния, пригодного для изготовления солнечных батарей.

Наиболее близким к предлагаемому изобретению является покрытие внутренней поверхности графитового тигля слоем нитрида кремния и слоем смеси нитрида кремния и кварца (I. Electrochem. soc. 133, N 2, р. 440-443, 1986). Покрытие заполняет поры, микротрещины, отверстия и является инертным к расплавленному кремнию.

Недостатком известного покрытия является то, что на этапе упрочнения оно отслаивается от поверхности тигля и не может быть использовано повторно. Графитовый контейнер также не может быть использован более двух раз. При последующем нанесении покрытия на стенке контейнера появляются трещины или стенки искривляются. Последнее связано со значительным различием коэффициентов термического расширения графита и нитрида кремния. В местах отслаивания покрытия кремний контактирует с графитом, растворяет его и проливается на поддон камеры.

Цель изобретения повышение безопасности процесса за счет исключения разрушения покрытия и пролива расплава кремния.

Поставленная цель достигается тем, что известное покрытие графитового тигля для плавления и направленной кристаллизации кремния, состоящее из слоя нитрида кремния и слоя смеси нитрида кремния с кварцем, наносят на графитовую ткань, устилающую внутреннюю поверхность тигля.

Схема нанесения покрытия показана на чертеже. Внутренняя поверхность графитового тигля 1 устилается графитовой тканью 2, которая покрывается двумя упрочняющими слоями нитрида кремния 3 и смесью нитрида кремния и кварца 4.

П р и м е р реализации покрытия.

Графитовый тигель квадратного сечения с размерами 104.104.300 мм выдерживается в дистиллированной воде в течении 15 мин. Затем его внутренняя поверхность устилается увлажненными пластинами графитовой ткани (типа "Урал"). На ткань производится напыление водного раствора порошкообразного нитрида кремния (крупность зерна не более 100 мкм). Далее производится сушка и сплавление (упрочнение) слоя в атмосфере азота при температуре 1500оС. Затем операция повторяется при нанесении второго слоя из смеси нитрида кремния и кварца. Затем в тигель загружается поликристаллическая загрузка кремния в количестве 5,5 кг. Тигель устанавливают в тепловой узел печи направленной кристаллизации в температурном градиенте 50оС/см. После плавления, выдержки и кристаллизации получен слиток квадратного сечения с параметрами: средний диаметр столбчатых кристаллов 3-5 мм, удельное сопротивление 1-1,5 Ом.см, тип проводимости Р. Такого типа материал пригоден для изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе кремния.

Применение предложенного покрытия позволяет полностью исключить проливы расплава за счет исключения разрушения покрытия. Впитываясь в структуру пористой графитовой ткани, порошки нитрида кремния и кварца образуют прочную корку покрытия со стороны расплава кремния и мягкую со стороны стенки графитового контейнера. Трещины в контейнере, сколы, щели не влияют на качество покрытия (возможно наличие щелей до 8 мм). Срок службы панелей контейнера (для контейнера квадратного сечения) неограничен, так как отсутствует контакт графита с нитридом кремния. Полученные слитки кремния не имеют напряжений, поскольку разница линейных изменений слитка кремния и графитового контейнера снимается графитовой тканью. После окончания процесса и разборки контейнера графитовая ткань снимается со слитка и может быть использована повторно.

Применение предлагаемого изобретения позволит решить проблему тигля при плавлении и направленной кристаллизации кремния.

Похожие патенты RU2036983C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАРЦЕВЫХ КОНТЕЙНЕРОВ 2008
  • Аверичкин Павел Андреевич
  • Левонович Борис Наумович
  • Пархоменко Юрий Николаевич
  • Шлёнский Алексей Александрович
  • Шматов Николай Николаевич
RU2370568C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО 1996
  • Жвирблянский В.Ю.
  • Елютин А.В.
  • Кац-Ванхадло Г.С.
  • Золотова Г.А.
RU2097451C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ ТИПА АB 2006
  • Марков Александр Владимирович
  • Шаронов Борис Николаевич
RU2327824C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ УГЛЕРОДОСОДЕРЖАЩИХ ПОКРЫТИЙ 2001
  • Воробьева М.В.
  • Елютин А.В.
  • Иванов Л.С.
  • Митин В.В.
  • Петрусевич И.В.
RU2199608C2
ПЛАВИЛЬНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА 1994
  • Макеев Х.И.
  • Бабаянц Г.И.
RU2114938C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА МЕТОДОМ ЧОХРАЛЬСКОГО 2013
  • Алимов Олег Михайлович
  • Аношин Константин Евгеньевич
  • Ежлов Вадим Сергеевич
RU2534103C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ 1994
  • Жвирблянский В.Ю.
  • Спорыхин Р.И.
  • Елютин А.В.
  • Золотова Г.А.
RU2081948C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КРИСТАЛЛОВ ТИПА AB 2008
  • Аверичкин Павел Андреевич
  • Коновалов Александр Аполлонович
  • Шлёнский Алексей Александрович
  • Шматов Николай Иванович
RU2380461C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ НЕПРЕРЫВНОГО ГРУППОВОГО ВЫРАЩИВАНИЯ ОРИЕНТИРОВАННЫХ СЛОЕВ КРЕМНИЯ НА УГЛЕРОДНОЙ ТКАНИ 2004
  • Брантов С.К.
  • Кведер В.В.
  • Кузнецов Н.Н.
RU2258772C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ 1996
  • Жвирблянский В.Ю.
  • Елютин А.В.
  • Золотова Г.А.
RU2102540C1

Реферат патента 1995 года ПОКРЫТИЕ ГРАФИТОВОГО ТИГЛЯ

Использование: технология кремния для солнечных батарей. Сущность: создают покрытие графитового тигля для плавления и направленной кристаллизации кремния, состоящее из слоя нитрида кремния и слоя смеси нитрида кремния и кварца, которые нанесены на графитовую ткань, устилающую внутреннюю поверхность графитового тигля. 1 ил.

Формула изобретения RU 2 036 983 C1

ПОКРЫТИЕ ГРАФИТОВОГО ТИГЛЯ для плавления и направленной кристаллизации кремния, состоящее из слоя нитрида кремния и нанесенного на него слоя смеси нитрида кремния и кварца, отличающееся тем, что, с целью исключения разрушения покрытия и пролива расплава кремния, покрытие содержит дополнительный слой графитовой ткани, на который последовательно нанесены слои нитрида кремния и смеси.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1995 года RU2036983C1

Y.Maeda et.al
Relasing Material for the Growth of Shaped Silikon Crystals
"j
Electrochem
Soc"
Топочная решетка для многозольного топлива 1923
  • Рогинский С.А.
  • Шалабанов А.А.
SU133A1

RU 2 036 983 C1

Авторы

Грачев В.М.

Елютин А.В.

Даты

1995-06-09Публикация

1991-06-03Подача