ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА Российский патент 1995 года по МПК C30B29/20 C30B11/00 

Описание патента на изобретение RU2049831C1

Изобретение относится к составам шихты для выращивания синтетических монокристаллов корунда голубовато-зеленой гаммы окраски для применения в ювелирной и часовой промышленности, а также в других областях, где требуются окрашенные кристаллы корунда. Известна шихта для выращивания монокристаллов корунда голубовато-зеленой гаммы окраски, содержащая кобальт и фторид алюминия [1]
Наиболее близкой по технической сущности к изобретению является шихта для выращивания монокристаллов корунда зеленой гаммы окраски на основе оксида алюминия, содержащего добавки кобальта и ванадия [2]
Целью изобретения является создание шихты для выращивания монокристаллов корунда, имеющих оттенки в широком диапазоне голубовато-зеленой гаммы окраски. Это достигается введением в шихту дополнительных окрашивающих примесей магния, марганца, никеля, железа и фторида алюминия в следующем соотношении компонентов (мас. в расчете на оксид алюминия):
Кобальт 0,1000-2,5000
Ванадия 0,0001-0,6000
Магний 0,0001-0,0035
Марганец 0,0001-0,0500
Никель 0,0001-0,6000
Железо 0,0001-0,6000
Фторид алюминия 1,0000-20,0000
Оксид алюминия Остальное.

Для улучшения качества шихты окрашивающие примеси вводятся в виде раствора солей, содержащих однотипный анион с основным веществом, что обеспечивает более равномерный дисперсный состав пудры.

П р и м е р. В аллюмо-аммонийные квасцы "осч", "х.ч", "чда" или "ч" вводятся окрашивающие примеси в виде растворов сернокислых солей в количествах, указанных в таблице, в пересчете на элементы. После перемешивания шихту раскладывают в кварцевые чаши и обжигают в камерной печи в течение 1,5-2 ч при 1120-1150оС. Пудру окиси алюминия с окрашивающими примесями просеивают через сито с размерами ячейки 60±5 мкм. Из полученной пудры методом Вернейля были выращены кристаллы.

Интервалы окрашивающих примесей были выбраны в результате большого числа экспериментов. Нижний предел обусловлен тем, что дальнейшее уменьшение примеси приводит к получению почти бесцветных кристаллов, а верхний предел обусловлен тем, что дальнейшее увеличение содержания примеси приводит к растрескиванию кристаллов и уменьшению выхода годных кристаллов.

Температурный интервал обжига шихты 1120-1150оС обеспечивает полноту разложения исходных соединений и образования оксида алюминия с окрашивающими примесями. При температуре ниже 1120оС пудра оксида алюминия содержит значительное количество аниона SO32- десятые доли процента), что приводит к образованию в монокристаллах пузырей. При температуре выше 1150оС ухудшается дисперсный состав пудры оксида алюминия, что приводит к образованию непроплавов.

После выращивания кристаллы могут быть подвергнуты кислородному и вакуумно-кислородному отжигам с целью интенсификации окраски, получения новых видов окраски, снятия послеростовых напряжений. Для снятия напряжений монокристаллы подвергаются термической обработке в вакууме при 5±10 мм рт.ст. в течение 24 ч при 1900±20 С. тжиг монокристаллов корунда в кислороде осуществляется при 1500±50 Сов течение 24 ч и способствует интенсификации окраски корундов.

Похожие патенты RU2049831C1

название год авторы номер документа
ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА ФИОЛЕТОВОЙ ГАММЫ 1991
  • Дербенева Тамара Александровна
  • Райская Людмила Николаевна
RU2049832C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ОКСИДНОЙ ШИХТЫ, ПРИГОДНОЙ ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ЦВЕТНЫХ КРИСТАЛЛОВ КОРУНДА 2013
  • Лысенко Андрей Павлович
  • Мурыгин Андрей Геннадьевич
  • Тарасов Вадим Петрович
  • Наливайко Антон Юрьевич
RU2539874C1
Способ получения монокристаллов рутила 1991
  • Дербенева Тамара Александровна
  • Райская Людмила Николаевна
SU1806224A3
Способ приготовления пудры окиси алюминия для выращивания монокристаллов корунда методом Вернейля 1970
  • Цейтлин П.А.
  • Дербенева Т.А.
  • Зверев Г.М.
  • Зубкова Ф.М.
SU324781A1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ЗВЕЗДЧАТЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТУГОПЛАВКИХ ОКИСЛОВ ПО МЕТОДУ ВЕРНЕЙЛЯ 1998
  • Герасимов В.П.
  • Гусейнов Фахраддин Халыгверди Оглы
  • Левин Д.М.
RU2124077C1
Шихта для получения монокристаллов 1975
  • Лорьян Р.Р.
  • Рассветаев В.Г.
SU650274A1
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ЮВЕЛИРНЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ГАДОЛИНИЙ-ГАЛЛИЕВОГО ГРАНАТА 1991
  • Белоконь А.М.
  • Смаль В.В.
  • Таширов В.Г.
  • Синицын Б.В.
  • Гусаров О.А.
RU2019587C1
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ЮВЕЛИРНЫЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ГАДОЛИНИЙ-ГАЛЛИЕВОГО ГРАНАТА 1991
  • Белоконь А.М.
  • Смаль В.В.
  • Таширов В.Г.
  • Синицын Б.В.
  • Гусаров О.А.
RU2019588C1
ОКРАШЕННЫЙ МОНОКРИСТАЛЛ 1992
  • Еськов Николай Анатольевич
  • Рандошкин Владимир Васильевич
RU2026897C1
Элемент ювелирного изделия 1990
  • Рандошкин Владимир Васильевич
  • Слинкин Юрий Ильич
SU1831307A3

Иллюстрации к изобретению RU 2 049 831 C1

Реферат патента 1995 года ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов корунда голубовато-зеленой гаммы окраски и может быть использовано в ювелирной промышленности. Шихта на основе оксида алюминия содержит окрашивающие добавки кобальта, ванадия, магния, марганца, никеля, железа и фторида алюминия в следующем соотношении компонентов, мас. в расчете на оксид алюминия: кобальт 0,1000 2,5000; ванадий 0,0001 0,6000; магний 0,0001 0,0035; марганец 0,0001 0,0500; никель 0,0001 0,6000; железо 0,0001 - 0,6000; фторид алюминия 1,0000 20,0000; оксид алюминия остальное. Кристалл выращивают методом Вернейля и отжигают в вакууме и атмосфере кислорода. 1 табл.

Формула изобретения RU 2 049 831 C1

ШИХТА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КОРУНДА зеленой гаммы окраски методом Вернейля, содержащая оксид алюминия и окрашивающие добавки кобальта и ванадия, отличающаяся тем, что шихта дополнительно содержит окрашивающие в голубовато-зеленую гамму добавки магния, марганца, никеля, железа и фторида алюминия в следующем соотношении компонентов, мас. в расчете на оксид алюминия:
Кобальт 0,1 2,5
Ванадий 0,0001 0,6
Магний 0,0001 0,0035
Марганец 0,0001 0,05
Никель 0,0001 0,6
Железо 0,0001 0,6
Фторид алюминия 1 20
Оксид алюминия Остальное

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1995 года RU2049831C1

Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
Вильке К.Т
Методы выращивания кристаллов
Л.: Недра, отдел Л., 1968, с.227.

RU 2 049 831 C1

Авторы

Дербенева Тамара Александровна

Райская Людмила Николаевна

Даты

1995-12-10Публикация

1991-09-13Подача