СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛЯРНЫХ ГРАНЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ Российский патент 1998 года по МПК G01N13/00 

Описание патента на изобретение RU2105286C1

Изобретение относится к технологии материалов электронной техники, в частности к способам определения полярных граней полупроводниковых соединений типа AIIIBV (InSb, GaSb, InAs, GaAs, InP и Gap) и может быть использовано для ориентации монокристаллических слитков и пластин.

Известен способ определения полярных граней полупроводниковых соединений AIIIBV методом дифракции медленных электронов [1], для чего исследуется зависимость интенсивности дифрагированного луча от энергии падающего пучка на различных гранях кристалла (III)A и (III)B.

Недостатками данного способа являются: необходимость иметь довольно сложное оборудование; невозможность применения способа для объемных кристаллов большой длины (не позволяет рабочая камера аппаратуры); невозможность использования в качестве экспресс-анализа; поверхности кристаллов для исследования необходимо специально готовить бомбардировкой положительными ионами аргона с последующим отжигом (для получения четкой дифракционной картины требуется несколько циклов бомбардировки и отжига).

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому эффекту является способ, основанный на различной реакционной способности граней (III)A и (III)B [2] , который заключается в травлении полупроводниковых соединений AIIIBV в различных травителях и сравнении при этом скоростей растворения граней (III)A и (III)B.

Недостатками данного способа являются: при анализе происходит растворение полупроводников с соответствующим нарушением поверхностного слоя (покрывается ямками травления; для практического использования пластин полупроводников после такого анализа приходится вновь подвергать их различным видам обработки: шлифовке, полировке, травлению в полирующих травителях и т. д. ); при анализе ямок травления и идентификации по ним граней (III)A и (III))B под микроскопом требуется специальная профессиональная подготовка; требуется специальная аппаратура.

Изобретение направлено на упрощение способа определения полярных граней полупроводниковых соединений AIIIBV.

Это достигается тем, что фотографируют каплю раствора на каждой грани монокристалла полупроводникового соединения, обмеряют краевые углы смачивания и сравнивают их между собой.

Способ осуществляют следующим образом. Вырезанную пластинку от монокристалла, например, GaAs, предварительно подвергают шлифовке и полировке, последовательно меняя шлифовки от M 20 до M 3 (точно таким же образом можно готовить торцы слитка выращенного монокристалла). Промывают деионизированной водой и спиртом. Образец (в виде пластинки или слитка) размещают так, чтобы обеспечить строгую горизонтальность исследуемой поверхности. На анализируемую поверхность в центр помещают каплю специальной жидкости (пример использования таких жидкостей, найденных экспериментально, приведен в таблице) диаметром 3 - 5 мм (меньший размер трудно обмерять, а больший - ведет к расходу реагента, не повышая при этом точности измерения). Проводят фотографирование капли (можно для упрощения проводить проектирование увеличенного изображения на экран с последующим непосредственным измерением краевых углов смачивания) и после по негативам проводят измерение краевых углов смачивания. Переворачивают образец и повторяют указанный процесс для его обратной стороны. Полученные значения краевых углов смачивания на двух сторонах образца сравнивают между собой. Большие значения краевых углов смачивания θ соответствуют грани (III)A, составленной из атомов Ga (In, Al), а меньшие значения величины θ соответствуют грани (III)B, составленной из атомов P (As, Sb).

В качестве примера ряд значений краевых углов смачивания полупроводниковых соединений AIIIBV граней (III)A и (III)B приведен в таблице. В качестве смачивающих жидкостей использованы глицерин и этиленгликоль.

Предложенный способ обеспечивает определение полярных граней полупроводниковых соединений AIIIBV без разрушения исследуемых поверхностей. Для реализации способа не нужно иметь специальной подготовки и сложного оборудования. При реализации предложенного способ образец не разрушается и может быть использован для других целей, в том числе - технологических.

Похожие патенты RU2105286C1

название год авторы номер документа
Способ оценки кристаллической структуры приповерхностных слоёв антимонида индия (100) 2020
  • Мирофянченко Андрей Евгеньевич
  • Мирофянченко Екатерина Васильевна
RU2754198C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОСТРИЯ ЛЕЗВИЯ ИЛИ ИГЛЫ 2009
  • Принц Александр Викторович
  • Принц Виктор Яковлевич
RU2423083C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН 1996
  • Рогов В.В.
  • Савушкин Ю.А.
RU2105380C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КВАНТОВЫХ СТРУКТУР: КВАНТОВЫХ ТОЧЕК, ПРОВОЛОК, ЭЛЕМЕНТОВ КВАНТОВЫХ ПРИБОРОВ 2004
  • Принц Александр Викторович
  • Принц Виктор Яковлевич
RU2278815C1
ДИОД НА ГЕТЕРОПЕРЕХОДАХ МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК-МЕТАЛЛ (МПМ) 2013
  • Хуссин Розана
  • Чэнь Исюань
  • Ло И
RU2632256C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОДЛОЖКИ "КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ" И ПОДЛОЖКА "КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ" 2014
  • Хуанфу Южуй
RU2639612C1
МИКРОИГЛА В ИНТЕГРАЛЬНОМ ИСПОЛНЕНИИ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ 1999
  • Принц А.В.
  • Селезнев В.А.
  • Принц В.Я.
RU2179458C2
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖКИ И ПОДЛОЖКА 2011
  • Лаукканен, Пекка
  • Ланг, Йоуко
  • Пунккинен, Марко
  • Туоминен, Марьюкка
  • Туоминен, Вейкко
  • Дахль, Джонни
  • Вяйрюнен, Юхани
RU2576547C2
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА, ИМЕЮЩАЯ АКТИВНЫЕ ЗОНЫ (ВАРИАНТЫ) 2005
  • Бенш Вернер
RU2328795C2
ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИЙ МИКРО-, НАНОДВИГАТЕЛЬ 2008
  • Принц Виктор Яковлевич
  • Принц Александр Викторович
  • Копылов Александр Владимирович
RU2374746C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 105 286 C1

Реферат патента 1998 года СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОЛЯРНЫХ ГРАНЕЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ

Использование: в технологии получения полупроводниковых материалов для определения полярных граней полупроводниковых соединений типа AIIIBV (GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb) и в частности при ориентации монокристаллических слитков и пластин. Сущность изобретения: фотографируют каплю раствора на каждой грани монокристалла полупроводникового соединения, затем обмеряют краевые углы смачивания и сравнивают их между собой. По абсолютной величине углов определяют грани (III)A и (III)B. 1 табл.

Формула изобретения RU 2 105 286 C1

Способ определения полярных граней полупроводниковых соединений AIII BV, отличающийся тем, что фотографируют каплю раствора на каждой грани монокристалла соединения, обмеряют краевые углы смачивания и сравнивают их между собой.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1998 года RU2105286C1

Галаев А.А
и др
Исследование структуры и динамических свойств полярных граней арсенида галлия методом дифракции медленных электронов
Физическая химия границ раздела контактирующих фаз
- Киев, Наукова думка, 1976, с
Реверсивный дисковый культиватор для тросовой тяги 1923
  • Куниц С.С.
SU130A1
Угай Я.А
Введение в химию полупроводников
- М.: Высшая школа, 1975, с
ПЕРЕДВИЖНАЯ ДИАГРАММА ДЛЯ СРАВНЕНИЯ ЦЕННОСТИ РАЗЛИЧНЫХ ПРОДУКТОВ ПО ИХ КАЛОРИЙНОСТИ 1919
  • Бечин М.И.
SU285A1

RU 2 105 286 C1

Авторы

Денисов В.М.

Овчинникова Т.Ю.

Бахвалов С.Г.

Даты

1998-02-20Публикация

1994-03-31Подача