ПРОВОДЯЩАЯ КОМПОЗИЦИЯ Российский патент 1998 года по МПК H01B1/08 

Описание патента на изобретение RU2106709C1

Изобретение относится к составам проводящих композиций, предназначенных для изготовления серебросодержащих толстопленочных проводников, вжигаемых на подложках из алюмооксидной керамики.

Известен состав для толстопленочных проводников (1), содержащий, мас.%:
Ag-Pd - 75-91
Cu2O - 2-9
PbO - 0-6
Стекло - 2-6
Сложный рутенат - 2-9
Органическое связующее - Остальное
При этом состав стеклосвязующего следующий, мас.%:
PbO - 43,5
SiO2 - 37,5
B2O3 - 4,9
CaO - 9,8
Al2O3 - 4,3
Данные проводники характеризуются сложным и дорогостоящим составом, особенно из-за введения в него сложного рутената. Однако такие проводники совместимы с рутенийсодержащими резисторами, но при этом адгезия проводников не превышает 50 кг/см2.

Наиболее близким к заявляемому по составу является проводящая композиция, содержащая, мас.% (2):
Ag - 45,0-47,5
Pd - 18,0-19,0
Стекло - 8,0-20,0
Органическое связующее - 17,0-26,5
При этом состав стеклосвязующего следующий, мас.%:
PbO - 5-22
SiO2 - 5-20
B2O3 - 0,7-2.5
Bi2O3 - 50-85
CaO - 1-5
Al2O3 - 0,7-3
Как показано в (2), большое содержание легкоплавкого оксида висмута от 50 до 85 мас.% в стеклосвязующем толстопленочных проводников приводит к несовместимости таких проводников с рутенийсодержащими резисторами: ухудшению адгезии проводников в 2 раза, т.е. до 25 кг/см2, снижению смачивающей способности припоем приконтактных зон. Задачей данного изобретения является состав проводящей композиции и стеклосвязующего для толстопленочных проводников, обеспечивающий совместимость с рутенийсодержащими резисторами при повышении адгезии проводников к подложке до 100-150 кг/см2.

Поставленная цель достигается тем, что проводящая композиция содержит следующие компоненты, мас.%:
Ag - 70-76
Pd - 15-25
Стеклосвязующее - 3-10
При этом стеклосвязующее содержит следующие компоненты, мас.%
PbO - 60-78
SiO2 - 8-20
B2O3 - 1-4
Bi2O3 - 1-18
CaO - 1-5
Al2O3 - 1-10
Совместимость толстопленочных проводников с рутенийсодержащими резисторами (стабильность адгезии проводников и смачивающей способности припоями в приконтактных с резисторами зонах) обуславливается кристаллизацией стеклосвязующего в проводнике в процессе вжигания его при температуре (840 ± 10)oC, причем плавление образовавшейся кристаллической фазы происходит лишь при более высоких температурах (860-880)oC, чем температура вжигания резистивных пленок (840 ± 10)oC.

Только заявляемое соотношение всех компонентов проводящей композиции и стеклосвязующего обеспечивает необходимые степень кристаллизации и температуру плавления кристаллической фазы и, следовательно, совместимость проводников с рутенийсодержащими резисторами при повышении адгезии их к подложке.

Границы концентраций компонентов проводящей композиции и стеклосвязующего определяли следующими факторами: параметрами тостопленочных проводников, температурными характеристиками, склонностью стекол к кристаллизации, условиями стеклообразования.

Содержание в проводящей композиции Ag менее 70 мас.% или Pd более 25 мас. %, а стекла более 10 мас.% приводит к возрастанию удельного поверхностного сопротивления проводников более 0,05 Ом/□. .

Содержание Ag более 76 мас.% или Pd менее 15 мас.% усиливает взаимодействие проводников с рутенийсодержащими резисторами, что приводит к снижению смачивающей способности припоем в приконтактных зонах.

Содержание стекла менее 3 мас.% в проводящей композиции приводит к снижению адгезии проводников к подложке менее 100 кг/см2.

Содержание в стекле легкоплавких оксидов Bi2O3, B2O3, PbO более 18; 4 и 78 мас.% соответственно смещает температуру плавления образовавшейся кристаллической фазы до температур (800-820)oC, что приводит к усилению взаимодействия с резисторами при вжигании их при температуре (840 ± 10)oC.

Содержания в стекле SiO2, Bi2O3,CaO, Al2O3 меньше 8; 10; 1 и 1 мас.% соответственно снижает степень кристаллизации стеклообразующего в проводнике, что также приводит к потере совместимости с рутениевыми резисторами и снижению адгезии.

Содержание в стекле Al2O3 более 10 мас.%, SiO2 более 20 мас.% и CaO более 5 мас.%, а также содержание PbO менее 60 мас.% и B2O3 менее 1 мас.% усиливает кристаллизационную способность стеклосвязующего, что обуславливает кристаллизацию стекломассы при выработке.

Для получения проводящей композиции заявляемого состава были приготовлены 6 составов (1-6), а также состав по прототипу (2), наиболее близкий по составу к заявляемому, а именно содержащий, мас.%:
Ag - 47,3
Pd - 18,5
Стеклосвязующее - 8,0
Органическое связующее - 26,0
что соответствует составу, мас.%:
Ag - 64,19
Pd - 25,00
Стеклосвязующее - 10,81
Составы проводящей композиции представлены в табл.1
В качестве сырьевых материалов использовали химические реактивы марок "хч", "ч", "чда" и "осч", B2O3 вводили через борную кислоту, остальные компоненты стекла - через оксиды.

Каждую шихту стекла синтезировали отдельно в коррундовых тиглях емкостью 0,5-0,6 л в печах с силитовыми нагревателями при температуре (1020 ± 10)oC, выдержка 10 мин.

Синтезированные стекла измельчали на планетарной мельнице до удельной поверхности 7500-8500 см2/г. С использованием каждого из стекол изготавливали проводниковую пасту, которую наносили методом шелкографии на подложки из алюмооксидной керамики. Вжигание проводников проводили в конвейерной печи с максимальной температурой (840 ± 10)oC, выдержка 15 ± 1 мин. Общий цикл вжигания составлял (60 ± 5) мин. Среда вжигания - воздух. Резистивную пасту наносили на керамическую подложку с проводниковой разводкой и вжигали по указанному выше режиму. Параметры проводников до и после вжигания на них резистивных пленок представлены в табл.2.

Из данных, представленных в табл.2, следует, что проводящая композиция-прототип содержит стекло, имеющее более низкую температуру плавления кристаллической фазы, равную 760oC, и при вжигании проводников и тем более резисторов на температуру (840 ± 10)oC кристаллическая фаза в проводниках уже отсутствует, что приводит к уменьшению не только исходной адгезии проводников к подложке, но и к падению адгезии после вжигания резисторов. При этом ухудшается обслуживаемость проводников в приконтактных с резисторами зонах. Таким образом, проводящая композиция-прототип не обеспечивает совместимости с рутенийсодержащими резисторами.

Из данных, представленных в табл.2, также следует, что заявляемый состав проводящей композиции содержит стеклосвязующее, имеющее высокую температуру плавления кристаллической фазы tпл=(880-880)oC, которая не плавится при вжигании на проводниковую разводку резисторов при температуре (840 ± 10) oC. Это обуславливает сохранение не только высокой адгезии проводников к подложке (100-150) кг/см2, но и удовлетворительную смачиваемость проводников припоем, то есть заявляемый состав проводящей композиции обеспечивает совместимость проводников с резисторами при повышении адгезии проводников к подложке.

Похожие патенты RU2106709C1

название год авторы номер документа
СТЕКЛОСВЯЗУЮЩЕЕ ДЛЯ ПАСТ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 1992
  • Петрова В.З.
  • Шутова Р.Ф.
  • Андронова Р.Е.
  • Морозова Т.М.
  • Колдашов Д.Н.
RU2044350C1
СТЕКЛОСВЯЗУЮЩЕЕ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ РУТЕНИЙСОДЕРЖАЩИХ СОЕДИНЕНИЙ 1992
  • Шутова Р.Ф.
  • Андронова Р.Е.
  • Колдашов Д.Н.
  • Журавов В.Д.
  • Ушкова А.П.
  • Андронов Б.Н.
  • Измайлов Ш.З.
RU2026578C1
СТЕКЛО 1994
  • Петрова В.З.
  • Шутова Р.Ф.
  • Осипенкова Н.Г.
  • Костенич Л.А.
RU2069198C1
СТЕКЛО 1995
  • Петрова В.З.
  • Чиликина Т.Д.
  • Воробьев В.А.
  • Чиликина М.В.
RU2081069C1
СТЕКЛО ДЛЯ СИТАЛЛОЦЕМЕНТА 1994
  • Петрова В.З.
  • Шутова Р.Ф.
  • Костенич Л.А.
  • Осипенкова Н.Г.
  • Левин В.Ф.
RU2069199C1
СТЕКЛО 1992
  • Петрова В.З.
  • Шутова Р.Ф.
  • Морозова Т.М.
  • Костенич Л.А.
  • Макаров С.В.
  • Смирнова А.Т.
  • Братчиков В.Н.
  • Нечаев С.В.
  • Гетманова З.С.
RU2023691C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОЛСТОПЛЕНОЧНЫХ РЕЗИСТОРОВ 1994
  • Петрова В.З.
  • Репин В.А.
  • Тельминов А.И.
RU2086027C1
СТЕКЛО ПРЕИМУЩЕСТВЕННО ДЛЯ ИЗОЛЯЦИИ АЛЮМИНИЕВОЙ ПРОВОДНИКОВОЙ РАЗВОДКИ 1992
  • Ермолаева А.И.
  • Кошелев Н.И.
  • Ивлюшкин А.Н.
RU2036868C1
КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛОВИДНОГО ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА 1995
  • Петрова В.З.
  • Тельминов А.И.
  • Воробьев В.А.
  • Усманова Р.И.
RU2096848C1
Стекло для резисторов 1987
  • Петрова Валентина Захаровна
  • Шутова Раиса Фроловна
  • Морозова Татьяна Марковна
  • Писляков Александр Викторович
SU1418301A1

Иллюстрации к изобретению RU 2 106 709 C1

Реферат патента 1998 года ПРОВОДЯЩАЯ КОМПОЗИЦИЯ

Использование: изготовление толстопленочных серебросодержащих проводников, совместимых с рутенийсодержащими резисторами при повышении адгезии проводников к подложке из алюмооксидной керамики. Сущность изобретения: проводящая композиция содержит компоненты при следующем соотношении, мас.%: Ag 70 - 76; Pd 15 - 25; Стекловязуюшее 3 - 10; при содержании в стеклосвязующем компонентов, мас.%: PbO 60 - 78; SiO2 8 - 20; B2O3 1 - 4; Bi2O3 10 - 18; CaO 1 - 5; Al2O3 1 - 10; Вжигание проводниковых и резистивных пленок осуществляют в конвейерной печи с максимальной температурой (840 ± 10)oС, выдержка (15 ± 1) мин. 2 табл.

Формула изобретения RU 2 106 709 C1

Проводящая композиция, содержащая порошки Ag, Pd и стеклосвязующее, включающее PbO, SiO2, B2O3, Bi2O3, CaO, Al2O3, отличающаяся тем, что она содержит компоненты при следующем соотношении, мас.%:
Ag - 70 - 76
Pd - 15 - 25
Стеклосвязующее - 3 - 10
при этом стеклосвязующее содержит компоненты, взятые в следующем соотношении, мас.%:
PbO - 60 - 78
SiO2 - 8 - 20
B2O3 - 1 - 4
Bi2O3 - 10 - 18
CaO - 1 - 5
Al2O3 - 1 - 10в

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1998 года RU2106709C1

Патент США N 4090009, кл
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1
Патент США N 3944696, кл
Переносная печь для варки пищи и отопления в окопах, походных помещениях и т.п. 1921
  • Богач Б.И.
SU3A1

RU 2 106 709 C1

Авторы

Петрова В.З.

Шутова Р.Ф.

Морозова Т.М.

Тельминов А.И.

Братчиков В.Н.

Нечаев С.В.

Смирнова Л.П.

Даты

1998-03-10Публикация

1992-02-14Подача