Стекло для резисторов Советский патент 1988 года по МПК C03C3/64 

сх

00

1 . U

Изобретение относится к составам стекол для резистивных композиций на основе оксида олова -(IV) и может быть использовано для изготовления толстопленочных резисторов в дискретном исполнении,, а также в составе ГИС и БГИС для радио- и электронной техники, в частности наиболее эффективно использование в резисторах, к которым предъявляются повышенные требования по уровню шумов и стабильности к воздействию электрического налряжения.

Цель изобретения - уменьшение уровня шумов и коэффициента напряжения толстопленочных резисторов на основе SnOj.

; Дпя получения стекла в качестве сырьевьгх материалов используют хими- |ческие реактивы-марок x.r.,r,r.g.a. вводят через борную кислоту, остальные ингредиенты - через оксиды

в. о

соответствующих элементов, стекло до i; 10010 1/В при электрической на варят в корундизовых тиглях емкостью 25 грузке 5 Вт/см. При этом получены 200 мл в силитовых печах при 1450± tlO С, выдержка 30 мин.

Конкретные составы предлагаемого стекла представлены в табл. 1.

Свойства стекол - коэффициент ли- 30 нейного термического расширения (КЛТР), дилатометрическая температура размягчения (tjj) и плотность представлены в табл. 2.

В отличие от известного предлагае- jg мое стекло позволяет изготавливать толстопленочные резисторы на основе SnOt с согласованным КЛТР с материал- лом подложки (высокоглиноземистая керамика) марки ВК-94-1, что обуславли- Q МпО, и СиО при следующем соотношении вает повьшгение надежности резистивных компонентов, мас.%:

резисторы с широким диапазоном удельного поверхностного сопротивления от 5, 1 кОм/D до 4,8 МОм/D с ТКС 6 890-10 .

Формула из. обретения

Стекло для резисторов на основе SnO, включающее ВаО, SiO, ,, СаО, отличающееся тем, что, с целью уменьшения уровня шумов и коэффициента напряжения толстопленочных резисторов на основе SnOj, оно дополнительно содержит

В качестве проводящей фазы используют мелкодисперсный порошок, легированный ...

Резистивные пасты на носят методом шелкографии на подложки из высокоглиноземистой керамики и вжигают в конвейерной печи с максимальной температурой 800-825°С ( выдержка при этой: температуре 15±1 мин). Общий цикл вжигання 55-65 мин, среда вжигания - воздух. В качестве контактов исполь зуют проводники на основе Ag-Pd.

Резистивные пленки, изготовленные на керамической подложке, имеют параметры, представленные в табл. 3.

Таким образом, использование предлагаемого в качестве стекло- связки толстопленочных резисторов (ТПР) на основе SnO позволяет улучшить электрофизические параметры резисторов: уменьшить уровень, шумов до :ёЗ мкБ/В и коэффициент напряжений

в. о

до i; 10010 1/В при электрической на грузке 5 Вт/см. При этом получены

до i; 10010 1/В при электрической на грузке 5 Вт/см. При этом получены

резисторы с широким диапазоном удельного поверхностного сопротивления от 5, 1 кОм/D до 4,8 МОм/D с ТКС 6 890-10 .

МпО, и СиО при следующем соотношении компонентов, мас.%:

Формула из. обретения

Стекло для резисторов на основе SnO, включающее ВаО, SiO, ,, СаО, отличающееся тем, что, с целью уменьшения уровня шумов и коэффициента напряжения толстопленочных резисторов на основе SnOj, оно дополнительно содержит

1418301 .

--Продолжение табл.1

Содержание компонентов, мас.% ВаО TsiOi I I СаО SnO I МпО СцО

Изобретение относится к составам стекол для резистивных композиций на основе оксида олова (IV) и может быть использовано для изготовления толстопленочных резисторов в дискретном исполнении. С целью уменьшения уровня шумов и коэффициента напряжения (К) толстопленочных резисторов (ТПР) на основе SnO стекло содержит, мас.%: ВаО 30,0-45,0; ,0-30,0; , 20,0-30,0; СаО 8,0-12,0; SnO 5,0-12,0; МпО 0,1-3,0; СиО 0,1-3,0. ТПР обладают уровнем.шумов 3 мкВ/В и Kni:K)0 10 l/B. 3 табл.

4 5

35 32

20 21

9 8

5 12

0,5 0,5 3,0 ,3.0

Таблиц а2

Тдбли, цаЭ