СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА ДВОЙНОГО ЦЕЗИЙ-ЛИТИЙ БОРАТА CSLIBO Российский патент 1998 года по МПК C30B29/22 C30B9/06 C30B9/12 

Описание патента на изобретение RU2119976C1

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из раствор-расплавов, в частности монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10(CLBO), применяемого для преобразования частоты лазерного излучения.

Известен способ синтеза соединения CsLiB6O10, согласно которому получают кристаллы размером 13•12•10 см из расплава исходных компонентов Li2CO3, Cs2CO3 и B2O3 методом Киропулоса на затравку [1]. Данным способом показана возможность синтеза кристаллов заданного состава, пригодных для генерации гармоники лазерного излучения, и рассмотрена структура полученного соединения.

Известен способ выращивания монокристалла двойного цезий - литий бората из стехиометрического расплава или из раствор-расплава из чистого раствора исходных компонентов или с введением в раствор добавки B2O3 или Cs2O, Li2O[2-4].

Кристаллы выращивают на затравку при снижении температуры от 845oC до 844oC со скоростью снижения температуры около 0,1oC/сутки.

Получены кристаллы CLBO размером 29х20х22 мм3.

Однако при проведении роста в системе (Cs2O + Li2O) - B2O3 с избытком или недостатком B2O3 по отношению к стехиометрическому составу осуществлять процесс технологически сложно вследствие высокой вязкости расплава, склонности к переохлаждению и массовой кристаллизации. Это приводит к получению кристаллов с макровключениями растворителя.

Для повышения оптического качества и усовершенствования технологии роста при получении кристаллов CLBO из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава выращивание проводят на затравку, ориентированную в направлении [011] , из расплава системы (Cs2O+Li2O) - B2O3 - MoO3, состав которой определен областью ABCDE фазовой диаграммы системы, при снижении температуры от 810 - 840 до 770 - 800oC со скоростью снижения 1 - 2oC/сутки, при этом координаты системы определены точками мол. доли:
A: Li2O-0,15; Cs2O-0,15; B2O3-0,70; MoO3-0
B: Li2O- 0,17; Cs2-0,17; B2O3-0,60; MoO3-0,06
C: Li2O-0,16; Cs2O-0,16; B2O3-0,54; MoO3-0,14
D: Li2O-0,13; Cs2O-0,13; B2O3-0,60; MoO3-0,14
E: Li2O-0,10; Cs2O-0,10; B2O3 -0,80; MoO3-0.

На фиг. 1 представлена фазовая диаграмма системы, на которой изображена заявляемая область ABCDE кристаллизации CLBO и отрезок концентраций AE по прототипу; на фиг. 2 - фотография кристалла CLBO высокого оптического качества размером 55х50х17 мм3 без включений растворителя.

Диаграмма изучена методом спонтанной кристаллизации.

Результаты исследования фазовой диаграммы показали, что кристаллизация за пределами указанной области приводит к образованию боратов другого состава.

Заявляемые составы системы могут быть использованы в различных методах выращивания CLBO из раствор-расплава методом снижения температуры, как без вытягивания, так и с вытягиванием.

Выбранное направление ориентации затравки [011] обусловлено тем, что в этом направлении кристалл не растет вглубь расплава, обеспечивая хорошую естественную конвекцию в расплаве, отсутствие застойных зон и, как следствие, отсутствие включений растворителя во всем объеме кристалла, что позволяет максимально использовать полезный объем материала при изготовлении оптических элементов.

Использование растворителя с низкой вязкостью (MoO3) приводит к снижению температуры ростового плава вплоть до 770oC и обеспечивает возможность управления процессом роста.

Таким образом, заявленная совокупность признаков обеспечивает получение кристаллов CLBO, максимальные размеры которых составляют 55х50х17 мм3, характеризующихся высокими показателями оптического качества и возможностью изготовления оптических элементов размером до 10х10х15 мм3.

Пример. Для получения кристалла CLBO использован расплав состава, мол. доли: Cs2O-0,15; Li2O-0,15; B2O3-0,62; MoO3-0,08. Навески исходных реактивов: Cs2CO3 осч - 240,90 г; Li2CO3 осч - 54,65 г; B2O3 осч - 212,75г; MoO3 чда - 56,8 г механически перемешивают, смесь загружают в платиновый тигель объемом 400 см3 и помещают в печь при температуре 850oC для получения расплава. Для гомогенизации плав нагревают до 950oC, затем охлаждают на 5oC выше температуры начала кристаллизации. После стабилизации температуры в расплав вносят на платиновом стержне затравку из монокристалла CLBO, ориентированную в направлении [011], и начинают рост при снижении температуры со скоростью 1 - 2oC/сутки. Через 20 суток (500 час) кристалл достигает размера 55х50х17 мм3 без включений во всем объеме. После чего его поднимают над поверхностью расплава. Снижение температуры до комнатной проводят со скоростью 10oC/час.

Источники информации
1. Acta Crystallogr/, Sect.C: Cryst. Struct. Commun., 1995, C51(11), p. 2222-4.

2. Патентная заявка ЕР 94-693581, опубл. 18.07.95, кл. C 30 B 15/00.

3. Appl. Phys. Lett., 1995, v. 67 (13), 25, h. 1818-1890.

4. J. Cryst. Growth, 1995, v. 156, p. 307-309 (прототип).

Похожие патенты RU2119976C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТРИБОРАТА ЛИТИЯ 1996
  • Пыльнева Н.А.
  • Кононова Н.Г.
  • Данилов В.И.
  • Юркин А.М.
  • Базарова Ж.Г.
RU2112820C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТРИБОРАТА ЛИТИЯ 1996
  • Исаенко Л.И.
  • Губенко Л.И.
  • Ран Л.С.
  • Тюриков В.И.
RU2114221C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАЛИЙ ТИТАНИЛ АРСЕНАТА KTiOAsO 1997
  • Исаенко Л.И.
  • Белов А.И.
  • Меркулов А.А.
RU2128734C1
СПОСОБ ГОМОГЕНИЗАЦИИ РАСТВОР-РАСПЛАВОВ ИЛИ РАСПЛАВОВ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ МОНОКРИСТАЛЛОВ 2000
  • Кох А.Е.
  • Кох В.Е.
  • Кононова Н.Г.
RU2164561C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ХРИЗОБЕРИЛЛА, АКТИВИРОВАННЫХ ИОНАМИ ТРЕХВАЛЕНТНОГО ТИТАНА 1991
  • Алимпиев А.И.
  • Мокрушников П.В.
RU2038433C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА β-BaBO 1998
  • Кох А.Е.
  • Гец В.А.
  • Кононова Н.Г.
  • Ильина О.С.
  • Семиколенова Г.В.
RU2139957C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛИТИЕВОЙ ФЕРРОШПИНЕЛИ LIFEO 1992
  • Безматерных Л.Н.
  • Соколова Н.А.
RU2072004C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРУПНЫХ СОВЕРШЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ ТРИБОРАТА ЛИТИЯ 2004
  • Пыльнева Л.Л.
  • Пыльнева Н.А.
  • Циркина Н.Л.
RU2262556C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ 1990
  • Белов А.И.
  • Мазур В.Г.
  • Исаенко Л.И.
RU2038429C1
РЕАКЦИОННАЯ ЯЧЕЙКА МНОГОПУАНСОННОГО АППАРАТА ВЫСОКОГО ДАВЛЕНИЯ ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ АСИММЕТРИЧНО ЗОНАЛЬНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА 2000
  • Чепуров А.И.
  • Федоров И.И.
  • Сонин В.М.
  • Багрянцев Д.Г.
  • Чепуров А.А.
  • Жимулев Е.И.
  • Григораш Ю.М.
RU2176690C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 119 976 C1

Реферат патента 1998 года СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА ДВОЙНОГО ЦЕЗИЙ-ЛИТИЙ БОРАТА CSLIBO

Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава. Состав раствор-расплава определен областью ABCDE фазовой диаграммы системы (Cs2O + Li2O) - B2O3 - MoO3 со следующими координатами точек, мол.доли: А: Li2O - 0,15; Cs2O - 0,15; B2O3 - 0,70; MoO3 - 0; B: Li2O - 0,17; Cs2O - 0,17; B2O3 - 0,60; MoO3 - 0,06; C: Li2O - 0,16; Cs2O - 0,16; B2O3 - 0,54; MoO3 - 0,14; D: Li2O - 0,13; Cs2O - 0,13; B2O3 - 0,60; MoO3 - 0,14; E: Li2O - 0,10; Cs2O - 0,10; B2O3 - 0,80; MoO3 - 0. Используют затравку, ориентированную в направлении [011], а снижение температуры расплава проводят от 810-840 до 770-800oC со скоростью 1-2oC/сутки. Применение растворителя MoO3 с низкой вязкостью, а также проведение роста в направлении [011] обеспечивает возможность получения крупных монокристаллов CLBO с размером до 55•50•17 мм3, характеризующихся высокими показателями оптического качества, что позволяет изготавливать оптические элементы размером до 10•10•15 мм3. 2 ил.

Формула изобретения RU 2 119 976 C1

Способ выращивания монокристалла двойного цезий-литий бората CsLiB6O10 из раствор-расплава на затравку путем снижения температуры расплава, отличающийся тем, что рост ведут из расплава, состав которого определен областью ABCDE фазовой диаграммы системы (Cs2O+Li2O)-B2O3-MoO3 со следующими координатами точек, мол. доли:
A: Li2O - 0,15; Cs2O - 0,15; B2O3 - 0,70; MoO3 - 0;
B: Li2O - 0,17; Cs2O - 0,17; B2O3 - 0,60; MoO3 - 0,06;
C: Li2O - 0,16; Cs2O - 0,16; B2O3 - 0,54; MoO3 - 0,14;
D: Li2O - 0,13; Cs2O - 0,13; B2O3 - 0,60; MoO3 - 0,14;
E: Li2O - 0,10; Cs2O - 0,10; B2O3 - 0,80; MoO3 - 0,
затравку используют, ориентированную в направлении [011], а снижение температуры расплава проводят от 810 - 840 до 770-800oC со скоростью 1-2oC/сутки.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1998 года RU2119976C1

Yusuke Mori
"Growth of a nonlinear opticalcrystal: cesium lithium borate", J.Crystal Growth, 1995, v
Упругое экипажное колесо 1918
  • Козинц И.М.
SU156A1
Счетный сектор 1919
  • Ривош О.А.
SU107A1
SU, 1656014 A1, 1991.

RU 2 119 976 C1

Авторы

Пыльнева Н.А.

Кононова Н.Г.

Данилов В.И.

Юркин А.М.

Лисова И.А.

Даты

1998-10-10Публикация

1997-04-02Подача