СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТРИБОРАТА ЛИТИЯ Российский патент 1998 года по МПК C30B29/22 C30B15/00 

Описание патента на изобретение RU2114221C1

Изобретение относится к выращиванию монокристаллов из раствор-расплавов, в частности монокристалла трибората лития (LBO), применяемого для преобразования частоты лазерного излучения.

Известен способ выращивания монокристаллов трибората лития размером 35х30х15 мм, включающий растворение исходных компонентов, образующих триборат лития, или первоначально синтезированного соединения трибората лития в растворителе B2O3 (1). Рост кристалла проводят на затравку без вытягивания или при скорости вытягивания около 1 мм/сутки при снижении температуры от 834 до 750oC со скоростью 0,2 - 2oC/сутки. Однако высокая вязкость B2O3 ухудшает теплообмен и диффузионный массоперенос на фронте кристаллизации, что приводит к появлению застойных зон, к накоплению примесей, обуславливающих основной дефект в кристаллах - включения. При этом неизбежно появление дислокаций, напряжений, приводящих к растрескиванию. Из-за высокой вязкости раствор-расплава затруднено использование на протяжение всего ростового процесса такого важного технологического приема, как вытягивание кристалла с необходимыми скоростями.

Снизить вязкость простым подъемом температуры не представляется возможным, т.к. сам триборат лития - основное вещество претерпевает перитектическое разложение при 834oC.

Некоторое снижение вязкости раствор-расплава дает добавление в него в качестве растворителя небольших количеств MoO3 или молибдатов щелочных металлов. Однако при 700oC MoO3 начинает сильно испаряться, в результате чего процесс кристаллизации идет с переменным составом (область 700 - 834oC) и эффективность действия молибдатов, как растворителя, в этой области температур теряется.

Увеличение количества используемого MoO3 приводит к снижению вязкости расплава и смещает температуру плавления системы в область более низких температур (670 - 550oC), что отражено в известном способе выращивания монокристаллов трибората лития размером до 20 х 35 х 9 мм, включающем растворение исходных компонентов Li2CO3 (40,6 г), H2BO3 (203,9 г) во флюсе MoO3 (158,3 г) при температуре 850oC, выдержку при этой температуре 5 ч. и охлаждение до 673oC (2). Рост проводят на затравку из кристалла LBO методом снижения температуры расплава от 670 до 580oC со скоростью 5oC/ч. Полученный кристалл вытягивают из расплава и охлаждают до комнатной температуры со скоростью 100oC/ч. Данный способ выбран в качестве прототипа.

Однако использование данного растворителя ведет к снижению концентрации LBO в раствор-расплаве, а также к расслоению системы LBO - MoO3 из-за большой разницы в плотностях LBO (1,8 г/см3) и MoO3 (4,5 г/см3). Эти факторы значительно ухудшают оптическое качество выращиваемых кристаллов. Кроме того, низкая концентрация LBO в раствор-расплаве не позволяет проводить вытягивание кристалла, т.е. не обеспечиваются условия, необходимые для получения кристаллов требуемой длины, рост идет только за счет снижения температуры расплава.

Технический результат, который может быть получен при осуществлении предложенного изобретения заключается в выращивании крупных кристаллов LBO высокого оптического качества без включений и свилей за счет обеспечения высокой концентрации трибората лития в раствор-расплаве, снижения вязкости раствор-расплава, расширения температурного диапазона кристаллизации.

Это достигается тем, что при выращивании кристалла трибората лития методом снижения температуры в качестве растворителя используют систему Li2CO3 - LiBO2 - Li2MoO4, при следующем соотношении компонентов, мал.%: Li2MoO4 - (30 - 50); LiBO2 - (6 - 40); Li2CO3 - (10 - 40), обеспечивая концентрацию трибората лития в раствор - расплаве более 30 об.%, и проводят вытягивание кристалла при одновременном снижении температуры раствор-расплава.

Предложенные концентрационные пределы обеспечивают возможность получения низкоплавкого растворителя, позволяющего:
1. Получить систему с низкой температурой плавления (< 550oC), что приводит к расширению температурной зоны кристаллизации, как в сторону высоких (800oC), так и в сторону низких температур, где кристаллы LBO наиболее стабильны.

2. Произвести максимальное насыщение раствор-расплава основным веществом, т. е. обеспечить концентрацию трибората лития в раствор-расплаве от 30 об.% и выше.

3. Вытягивать кристалл на протяжении всего ростового процесса при одновременном его вращении, что обеспечивает гомогенизацию расплава, ликвидацию застойных зон в пограничном слое раствор - кристалл.

Это позволяет выращивать кристаллы большого диаметра и заданной длины высокого оптического качества (диаметром 65 - 70 мм и длиной до 40 - 45 мм), обеспечивающих возможность изготовления оптических элементов размером (10 - 15) х (10 - 15) х (20 - 25) мм3.

Примеры конкретного выполнения способа.

Пример 1. Из стехиометрических количеств Li2O и B2O (1 : 3) синтезируют триборат лития, затем к плаву порциями добавляют приготовленную смесь исходных материалов растворителя: 23% LiBO2; 37% Li2MoO4 и 40% Li2CO3. Концентрация LBO в раствор - расплаве составляет 50 об.%. Наплавку производят при температуре 850oC, затем плав нагревают до 950oC, выдерживают при этой температуре 12 ч, затем быстро охлаждают до 800oC.

Ориентированную затравку медленно вводят в печь до касания с расплавом, выдерживают 1 ч, затем охлаждают со скоростью до 3oC/сутки при вращении со скоростью 30 об/мин и одновременном вытягивании кристалла со скоростью 1,5 мм/сутки. Температуру снижают до тех пор, пока не вырастет кристалл длиной, достаточной для изготовления оптического элемента размером 10 х 10 х 20 мм. Выращенный кристалл вытягивают из раствор-расплава и медленно охлаждают со скоростью до 3oC/сутки до комнатной температуры.

Получен прозрачный кристалл размером 60 х 62 х 35 мм3.

Пример 2. Первоначально в платиновом тигле при температуре 850oC проводят синтез трибората лития (система Li2O - B2O3, пропорциональное соотношению 1 : 3. Затем к плаву трибората лития порциями добавляют смесь исходных материалов растворителя: 20% LiBO2; 48% Li2MoO4 и 32% Li2CO3. Концентрация LBO в расплаве с растворителем составляет 60 об.%. По окончании наплавки растворителя печь разогревают до 950 oC, выдерживают при этой температуре 12 ч.

После гомогенизации расплава печь охлаждают до 800oC. При этой температуре медленно вводят затравку до касания с расплавом. Рост кристалла производят снижением температуры со скоростью до 3 oC/сутки в интервале температур 800 - 600 - 550oC и вытягивании со скоростью 2 мм/сутки. По достижении необходимой длины кристалл вытягивают из раствор - расплава и охлаждают до комнатной температуре со скоростью до 3oC/сутки.

Получен прозрачный кристалл размером 70 х 60 х 43 мм3.

Похожие патенты RU2114221C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТРИБОРАТА ЛИТИЯ 1996
  • Пыльнева Н.А.
  • Кононова Н.Г.
  • Данилов В.И.
  • Юркин А.М.
  • Базарова Ж.Г.
RU2112820C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА ДВОЙНОГО ЦЕЗИЙ-ЛИТИЙ БОРАТА CSLIBO 1997
  • Пыльнева Н.А.
  • Кононова Н.Г.
  • Данилов В.И.
  • Юркин А.М.
  • Лисова И.А.
RU2119976C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КАЛИЙ ТИТАНИЛ АРСЕНАТА KTiOAsO 1997
  • Исаенко Л.И.
  • Белов А.И.
  • Меркулов А.А.
RU2128734C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ХРИЗОБЕРИЛЛА, АКТИВИРОВАННЫХ ИОНАМИ ТРЕХВАЛЕНТНОГО ТИТАНА 1991
  • Алимпиев А.И.
  • Мокрушников П.В.
RU2038433C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛИТИЙ-ВИСМУТОВОГО МОЛИБДАТА 2012
  • Цыдыпова Баирма Нимбуевна
  • Павлюк Анатолий Алексеевич
RU2519428C2
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗУМРУДА 1993
  • Храненко Г.Г.
  • Вейс Н.С.
RU2061108C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРУПНЫХ СОВЕРШЕННЫХ КРИСТАЛЛОВ ТРИБОРАТА ЛИТИЯ 2004
  • Пыльнева Л.Л.
  • Пыльнева Н.А.
  • Циркина Н.Л.
RU2262556C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ЛИТИЕВОЙ ФЕРРОШПИНЕЛИ LIFEO 1992
  • Безматерных Л.Н.
  • Соколова Н.А.
RU2072004C1
СПОСОБ ГОМОГЕНИЗАЦИИ РАСТВОР-РАСПЛАВОВ ИЛИ РАСПЛАВОВ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ МОНОКРИСТАЛЛОВ 2000
  • Кох А.Е.
  • Кох В.Е.
  • Кононова Н.Г.
RU2164561C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ 1990
  • Белов А.И.
  • Мазур В.Г.
  • Исаенко Л.И.
RU2038429C1

Реферат патента 1998 года СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ТРИБОРАТА ЛИТИЯ

Использование: Изобретение относится к получению нелинейно-оптического монокристалла трибората лития (LBO) и позволяет выращивать крупные кристаллы диаметром 65-70 мм и длиной до 40-45 мм высокого оптического качества без включений и свилей, пригодных для изготовления оптических элементов. Способ включает вытягивание кристалла из раствор-расплава, содержащего в качестве растворителя систему LiCO3-LiBO2-Li2MoO4, при одновременном снижении температуры раствор-расплава. Использование данного растворителя при следующем соотношении компонентов, мол.%. Li2MoO4 - (30-50), LiBO2 -(6-40) и Li2CO3 - (10-40), обеспечивает концентрацию трибората лития в раствор-расплаве в процессе роста более 30 об.%.

Формула изобретения RU 2 114 221 C1

Способ выращивания монокристалла трибората лития из раствор-расплава методом снижения температуры, отличающийся тем, что в качестве растворителя используют систему Li2CO3 - LiBO2 - Li2MoO4 при следующем соотношении компонентов, мол.%:
LiMoO4 - 30 - 50
LiBO2 - 6 - 40
Li2CO3 - 10 - 40
обеспечивающую концентрацию трибората лития в раствор-расплаве более 30 об.%, и проводят вытягивание кристалла при одновременном снижении температуры раствор-расплава.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1998 года RU2114221C1

Zhao Shuging, Huang Chaoen, Zhang Hong WU
Crystal Growth and Properties of Lithium
Triborate - J
Cryst
Growth
Способ приготовления консистентных мазей 1919
  • Вознесенский Н.Н.
SU1990A1
Прибор, замыкающий сигнальную цепь при повышении температуры 1918
  • Давыдов Р.И.
SU99A1
Упряжной прибор для железно дорожных вагонов 1923
  • Гусев Г.Ф.
SU805A1
US, патент, 4826283, кл
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1

RU 2 114 221 C1

Авторы

Исаенко Л.И.

Губенко Л.И.

Ран Л.С.

Тюриков В.И.

Даты

1998-06-27Публикация

1996-08-23Подача