Способ получения магнитнооптической структуры Советский патент 1991 года по МПК C30B19/00 C30B29/28 

Изобретение относится к электронике и может быть использовано при создании элементов магнитооптических приборов.

Целью изобретения является повышение воспроизводимости параметров структуры, а также повышение ее кристаллографического совершенства.

Пример 1. Монокристаллическую булю кальций-ниобий-галлиевого граната КНГГ состава CaaNbi.eeTsGas sTsOo sO выращивают из расплава на ориентированную в направлении 111 затравку того же состава. Интервалы скоростей вращения, позволяющих поддерживать максимально плоский фронт кристаллизации, определяют экспериментально в зависимости от конструкции теплового узла и ограничивают 10-50 об/мин. Скорость вытягивания составляет 3-4 мм/ч.

Подложки вырезают параллельно грани 112, предварительно сориентировав кристалл.

Обработку подложек осуществляют с финишной химико-механической полировкой до 14-15 класса.

Кристаллизацию эпитаксиальной пленки висмутсодержащего феррит-граната проводят по известной методике путем вертикального погружения подложки в переохлажденный раствор-расплав, содержащий РЬО-В2О3-Bi2O3 - Y2O3 - Lu2O3 - Fe2O3-Ga2O3. Проведено последовательное выращивание серии из четырех эпитаксиаль- ных пленок на подложках КНГГ 112. Контроль однородности полученных пленок, их кристаллографического совершенства, осуществляют путем наблюдения их поверхности и подсчета светящихся точек в темном поле микроскопа. Воспроизводимость физико-технических параметров исследуют путем измерения величины удельного фара- деевского вращения.

Результаты исследования свойств полученных магнитооптических структур в сравне нии с известными приведены в таблице.

Пример 2. Монокристаллическую булю КНГГ состава, указанного в примере 1, выращивают на ориентированную в направлении 112 монокристаллическую затравку

оъ 1

От

Јъ

О

СО

того же состава. Режимы выращивания такие же, как и. в примере 1. Из 1000 г шихты выращена буля диаметром 35 мм и массой 700 г. Около 90% фронта кристаллизации занимает плоская грань 112. Подложки вырезают параллельно этой грани без проведения предварительной рентгеновской ориентации. Рентгеновский контроль показал, что ориентация подложек в пределах измерений была 112. Обработку подложек и наращивание эпитаксиальных пленок проводят так же, как указано в примере 1.

Результаты исследования полученных магнитооптических структур приведены в таблице.

Как видно из таблицы, предлагаемый способ позволяет получать магнитооптические структуры с высокой кристаллографической однородностью и воспроизводимостью физико-технических параметров. Кристаллографическое совершенство, в свою очередь, обеспечивает высокое качество получаемых структур. Кроме того, предлагаемый по- соб позволяет исключить трудоемкую операцию рентгеновской ориентации були при изготовлении подложек.

Направление 112 определяет морфологически устойчивую грань соединения структуры граната, устойчивую к травящему действию висмутсодержащего раствора-расплава. На этой поверхности реализуется тангенциальный послойный механизм роста, обеспечивающий высокую однородность пленки и воспроизводимость физико-технических

5 параметров.

При выращивании подложечного монокристалла в указанном направлении подложка, вырезанная параллельно поверхности 112, являющейся плоской межфазной границей були, не содержит концентрационЮ но напряженных областей неоднородного состава, что обеспечивает высокое качество эпитаксиальной пленки и всей магнитооп15

тическои структуры.

25

Формула изобретения

1.Способ получения магнитооптической структуры, включающий жидкофазную эпитаксию висмутсодержащей феррит-гранатовой пленки на ориентированную под20 ложку из монокристалла кальций-ниобий- галлиевого граната, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров структуры, используют подложку, ориентированную в направлении 112.

2.Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью повышения кристаллографического совершенства структуры, используют подложку из монокристалла, выращенного в направлении 112.

тическои структуры.

Формула изобретения

5

1.Способ получения магнитооптической структуры, включающий жидкофазную эпитаксию висмутсодержащей феррит-гранатовой пленки на ориентированную под0 ложку из монокристалла кальций-ниобий- галлиевого граната, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости параметров структуры, используют подложку, ориентированную в направлении 112.

2.Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью повышения кристаллографического совершенства структуры, используют подложку из монокристалла, выращенного в направлении 112.

Изобретение относится к электронике и может быть использовано при создании элементов магнитооптических приборов. Обеспечивает повышение воспроизводимости параметров, а также кристаллографического совершенства структуры. Способ включает жидкофазную эпитаксию висмутсодержащей феррит-гранатовой пленки на ориентированную в направлении 112 подложку из монокристалла кальций-ниобий-галлиевого граната. Используют подложку из монокристалла, выращенного в направлении 112. I з. п. ф-лы, 1 табл.