СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАЛИЧИЯ ИМПЛАНТИРОВАННОГО СЛОЯ Российский патент 2000 года по МПК G01N13/00 

Описание патента на изобретение RU2148811C1

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано в машиностроении в качестве экспресс-метода косвенного определения наличия ионной имплантации поверхностного слоя нержавеющих сталей с помощью анализа тока электролитно-плазменной обработки.

Известен способ элементного анализа поверхностного монослоя материала, заключающийся в том, что образец облучают частицами с выбранным значением атомного номера, энергией соударения и регистрируют частицы, рассеянные под определенным углом, в том числе и многократно ионизированные частицы, имеющие внутренние вакансии, за счет чего реализуется селективная чувствительность метода к атомам определенного сорта [патент РФ N 2008655, кл. G 01 N 23/00, публ. 28.02.94].

Известен способ определения профиля концентрации легких ядер по глубине образца, заключающийся в том, что исследуемый образец облучают пучком направленных нейтронов, имеющих моноэнергетический спектр в эпитепловой области энергий, и рассеянные в пробе нейтроны регистрируют с помощью анализатора [авт.св. СССР N 1655200, кл. G 01 N 23/00, публ. 30.05.94].

Недостатками аналогов являются дороговизна и сложность оборудования при использовании их в технологических процессах для определения наличия имплантированного слоя.

Наиболее близким по технической сущности является способ обработки сигналов датчика ударных импульсов твердых частиц аэрозольного потока, заключающийся в том, что обработку сигнала осуществляют путем разложения суммарного сигнала в спектр Фурье. Концентрацию дисперсной фазы находят по первой основной и тембровым гармоникам, которые имеют гребенчатую структуру [патент РФ N 2097738, кл. G 01 N 15/02, публ. 18.04.96].

Недостатком прототипа является то, что используемые в нем спектры Фурье сигнала, снимаемого с датчика переменной составляющей тока, при электролитно-плазменной обработке имплантированных образцов и образцов без ионной имплантации не отличаются друг без друга, что делает невозможным применение указанного метода для определения наличия имплантированного слоя.

Задачей, решаемой заявленным изобретением, является повышение скорости и достоверности способа за счет экспрессного определения наличия имплантированного слоя.

Поставленная задача решается таким образом, что в способе определения наличия имплантированного слоя, заключающемся в том, что обработку сигнала датчика переменной составляющей тока при электролитно-плазменной обработке осуществляют путем разложения суммарного сигнала в спектр, в отличие от прототипа производят разложение суммарного сигнала в амплитудный спектр, представляющий собой функцию распределения плотности вероятности нахождения локального максимума в определенном диапазоне значений. Определение наличия имплантированного слоя производят по наличию в амплитудном спектре значений в отрицательной области с общей долей более 30%.

На фиг. 1 и 2 представлены амплитудные спектры переменной составляющей тока для неимплантированного и имплантированного образцов соответственно.

Пример конкретной реализации способа
Образцы из стали ЭИ-961Ш с шероховатостью 1,8 мкм, имплантированные ионами азота по режиму: доза облучения 2•1017 ион/см2, энергия пучка 30 кЭВ и неимплантированные, помещались в ванну для электролитно-плазменной обработки. Процесс проводился в 5%-ном растворе (NH4)2SO4 при напряжении 270В и начальной температуре электролита 90oC. Переменная составляющая тока снималась с измерительного резистора. Амплитудные спектры, полученные с неимплантированного и имплантированного образцов через 15 с после начала обработки, представлены на фиг. 1 и 2 соответственно.

Как видно из данных, приведенных на фиг. 1, доля отрицательных значений в амплитудном спектре тока электролитно-плазменной обработки неимплантированного образца составляет 2,4%, тогда как для образца, имплантированного ионами азота, в амплитудном спектре, представленном на фиг. 2 доля отрицательных значений составляет 49,1%, что свидетельствует о применимости метода.

Таким образом, заявляемое изобретение позволяет определить наличие имплантированного слоя с помощью электролитно-плазменной обработки образцов. Предлагаемый способ имеет простое техническое исполнение, высокую скорость и достоверность.

Похожие патенты RU2148811C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МОМЕНТА ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА ЭЛЕКТРОЛИТНО-ПЛАЗМЕННОГО УДАЛЕНИЯ ПОКРЫТИЯ 1996
  • Амирханова Н.А.
  • Невьянцева Р.Р.
  • Тимергазина Т.М.
  • Парфенов Е.В.
RU2119975C1
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ШЕРОХОВАТОСТИ ПОВЕРХНОСТИ 1997
  • Амирханова Н.А.
  • Невьянцева Р.Р.
  • Измайлова Н.Ф.
  • Тимергазина Т.М.
  • Парфенов Е.В.
RU2133943C1
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ УДАЛЕНИЯ ДЕФЕКТНОГО ПОКРЫТИЯ ЭЛЕКТРОЛИТНО-ПЛАЗМЕННЫМ МЕТОДОМ 2000
  • Михайловский А.И.
  • Невьянцева Р.Р.
  • Парфенов Е.В.
  • Быбин А.А.
RU2202451C2
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ШЕРОХОВАТОСТИ ПОВЕРХНОСТИ 2003
  • Невьянцева Р.Р.
  • Горбатков С.А.
  • Парфенов Е.В.
  • Быбин А.А.
RU2240500C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МОМЕНТА ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА ЭЛЕКТРОЛИТНО-ПЛАЗМЕННОГО УДАЛЕНИЯ ПОКРЫТИЯ 2007
  • Парфенов Евгений Владимирович
  • Невьянцева Римма Рахимзяновна
  • Быбин Андрей Александрович
RU2360045C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МОМЕНТА ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА ЭЛЕКТРОЛИТНО-ПЛАЗМЕННОГО УДАЛЕНИЯ ПОКРЫТИЯ 2003
  • Невьянцева Р.Р.
  • Горбатков С.А.
  • Парфенов Е.В.
  • Быбин А.А.
RU2227181C1
СПОСОБ МОДИФИКАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ ТИТАНОВЫХ СПЛАВОВ 1997
  • Гусева М.И.
  • Смыслов А.М.
  • Сафин Э.В.
  • Измайлова Н.Ф.
RU2117073C1
СПОСОБ ВОССТАНОВЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ ДЕТАЛЕЙ ИЗ СПЛАВОВ НА ОСНОВЕ ТИТАНА ПРИ ПОМОЩИ ЦИКЛА ИОННО-ЛУЧЕВЫХ ОБРАБОТОК 1997
  • Смыслов А.М.
  • Маслова Л.И.
RU2132887C1
СПОСОБ МОДИФИКАЦИИ ПОВЕРХНОСТНЫХ СЛОЕВ ДЕТАЛЕЙ ИЗ СПЛАВОВ НА ОСНОВЕ ТИТАНА 1996
  • Смыслов А.М.
  • Гусева М.И.
  • Маслова Л.И.
RU2116378C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МОМЕНТА ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА ПЛАЗМЕННО-ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОГО ОКСИДИРОВАНИЯ 2008
  • Парфенов Евгений Владимирович
  • Невьянцева Римма Рахимзяновна
  • Быбин Андрей Александрович
  • Ерохин Алексей Леонидович
  • Маттьюз Аллан
RU2366765C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 148 811 C1

Реферат патента 2000 года СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ НАЛИЧИЯ ИМПЛАНТИРОВАННОГО СЛОЯ

Изобретение относится к измерительной технике и используется в машиностроении в качестве экспресс-метода косвенного определения наличия ионной имплантации поверхностного слоя нержавеющих сталей с помощью анализа тока электролитно-плазменной обработки. Обработку сигналов датчика переменной составляющей тока при электролитно-плазменной обработке осуществляют путем разложения суммарного сигнала в амплитудный спектр. Амплитудный спектр представляет собой функцию распределения плотности вероятности нахождения локального максимума в определенном диапазоне значений. Определяют наличие имплантированного слоя по наличию в амплитудном спектре значений в отрицательной области с общей долей более 30%. Обеспечено повышение скорости и достоверности. 2 ил.

Формула изобретения RU 2 148 811 C1

Способ определения наличия имплантированного слоя, заключающийся в том, что обработку сигналов датчика переменной составляющей тока при электролитно-плазменной обработке осуществляют путем разложения суммарного сигнала в амплитудный спектр, представляющий собой функцию распределения плотности вероятности нахождения локального максимума в определенном диапазоне значений, и определяют наличие имплантированного слоя по наличию в амплитудном спектре значений в отрицательной области с общей долей более 30%.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2000 года RU2148811C1

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПРОФИЛЯ КОНЦЕНТРАЦИИ ЛЕГКИХ ЯДЕР ПО ГЛУБИНЕ ОБРАЗЦА 1989
  • Тетерев Ю.Г.
SU1655200A1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ СИГНАЛОВ ДАТЧИКА УДАРНЫХ ИМПУЛЬСОВ ТВЕРДЫХ ЧАСТИЦ АЭРОЗОЛЬНОГО ПОТОКА 1996
  • Журавлев В.П.
  • Учитель Г.С.
  • Торопов О.А.
  • Пуресев А.И.
  • Малых Е.А.
  • Лепихова В.А.
RU2097738C1
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ МОМЕНТА ОКОНЧАНИЯ ПРОЦЕССА ЭЛЕКТРОЛИТНО-ПЛАЗМЕННОГО УДАЛЕНИЯ ПОКРЫТИЯ 1996
  • Амирханова Н.А.
  • Невьянцева Р.Р.
  • Тимергазина Т.М.
  • Парфенов Е.В.
RU2119975C1
JP 58014035 A, 26.01.1983
JP 55029752 A, 03.03.1980.

RU 2 148 811 C1

Авторы

Амирханова Н.А.

Смыслов А.М.

Невьянцева Р.Р.

Тимергазина Т.М.

Измайлова Н.Ф.

Парфенов Е.В.

Даты

2000-05-10Публикация

1998-08-17Подача