СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА Российский патент 2002 года по МПК C30B11/00 C30B13/04 C30B30/08 

Описание патента на изобретение RU2182606C2

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов методом направленной кристаллизации в замкнутом контейнере, в частности к выращиванию монокристаллов в условиях микрогравитации путем управления конвективными потоками в расплаве.

Известно, что при кристаллизации полупроводников в ампулах в условиях микрогравитации на борту орбитальных станций на качество кристаллов большое влияние оказывает наличие неконтролируемых микроускорений, переменных по величине, частоте и направлению [1]. Малые ускорения возбуждаются колебаниями корпуса орбитальной станции, случайными толчками при работе бортовых систем, включением и выключением двигателей коррекции орбиты орбитальной станции и т.д. Хаотическое изменение микроускорений приводит к изменению конвективных потоков в расплаве и последующему образованию макронеоднородностей [2].

Один из предлагаемых способов борьбы с подобными явлениями - это создание контролируемых конвективных потоков, уровень воздействия которых превышал бы уровень хаотичных микропотоков расплава.

Известен способ бестигельной зонной плавки германия в условиях микрогравитации с использованием вращения магнитного поля [3]. Однако воздействие магнитного поля не обеспечивает достаточной однородности расплава, а лишь ламинаризирует его потоки.

Известно также воздействие на тепломассоперенос в расплаве контролируемых низкочастотных вибраций малой амплитуды. Использование виброисточника с поршнем, размещенных в замкнутом контейнере, создает конвекционные потоки в расплаве и обеспечивает улучшение его перемешивания [4]. Недостатком является сложность конструкции и наличие продольной прорези, ухудшающей симметрию теплового поля в расплаве.

Для принудительного перемешивания расплава в конфигурации метода Чохральского в земных условиях разработан метод, предусматривающий создание на наружной стенке тигля неоднородных тепловых условий, используя неоднородный нагрев равномерно расположенных вокруг тигля вертикальных нагревательных элементов. [5-7]. При определенных периодах переключения нагревателей и определенных теплофизических свойствах жидкости в расплаве возникает тороидальное течение с азимутальной составляющей. Движущей силой такого течения является Архимедова сила.

В космосе же, в условиях микрогравитации, остаточная сила тяжести очень мала, и движущей силой течения может быть тепловое расширение жидкости. Известно, что при периодическом изменении граничных температурных условий микроконвективный режим в условиях микроускорений существенно усиливается [8].

Технический результат заявляемого изобретения заключается в том, что создают ламинарную конвекцию в расплаве даже при отсутствии действия поля силы тяжести. Происходит перемешивание расплава и, как следствие, обеспечивается возможность получения кристаллов однородного состава по основным компонентам с однородным распределением примесей по объему кристалла.

Технический результат достигается тем, что при выращивании монокристаллов из расплава методом направленной кристаллизации в условиях микрогравитации на наружной стенке замкнутого контейнера создают нестационарное неоднородное тепловое поле, отвечающее условию: T(ϕ,t,z) = δTcos(ωt+nz+kϕ)+Az, где Т(К) - температура, отсчитываемая от средней Т0(К), δТ(К) - амплитуда тепловой волны, t(с) - время процесса, ϕ(рад), z(м) - полярные координаты, ω(рад•с-1) - циклическая частота тепловой волны, n(рад•м-1), k - волновые числа, А(К•м-1) - осевой градиент температуры. Для создания таких тепловых условий используют многосекционные нагревательные элементы, расположенные наклонно относительно продольной оси контейнера.

Проиллюстрируем возможность создания ламинарной конвекции, возникающей в расплаве при различном расположении многосекционного нагревателя относительно продольной оси замкнутого контейнера - ампулы.

На фиг. 1 показана ампула для выращивания кристаллов и структура ламинарной конвекции, возникающая в ампуле при наклонном (а), продольном (б) и поперечном (в) расположении многосекционных нагревательных элементов относительно продольной оси контейнера, где L - расплав, S - выращиваемый кристалл. На фиг.2 показан график зависимости температуры Т от времени t в фиксированной точке расплава.

При наклонном расположении многосекционных нагревательных элементов (фиг.1а) на стенке ампулы создают нестационарное неоднородное тепловое поле, отвечающее общему условию: T(ϕ,z,t) = δTcos(ωt+nz+kϕ)+Az, где Т - температура, отсчитываемая от средней Т0, δT - амплитуда тепловой волны, ϕ,z - полярные координаты, ω - циклическая частота тепловой волны, t - время процесса, n, k - волновые числа, А - осевой градиент температуры. При нагревании расплава около секции нагревателя ее объем увеличивается, вызывая тем самым сложное трехмерное течение расплава в ампуле. Когда движение расплава достигает положения соседней секции нагревателя, первую секцию нагревателя выключают и включают соседнюю и т.д. Расплав разгоняется за счет синхронизированного переключения нагревательных элементов с частотой ω, что обеспечивает перемещение тепловой волны на ее границах. Создаваемое на стенках ампулы тепловое поле вызывает сложное трехмерное течение расплава в ампуле, обеспечивая эффективное его перемешивание. При этом, если нагревательные элементы не переключают, т.е. тепловая волна на стенке ампулы не создается, никакого течения расплава в ампуле не существует. Конвективные течения, возбуждаемые переключением нагревательных элементов, существуют в серединной области ампулы с расплавом, на некотором расстоянии от стенок ампулы (вне динамического погранслоя).

Кроме того, продольное секционирование относительно оси ампулы нагревательных элементов обеспечивает управление осевым градиентом температуры А и, следовательно, осуществление управления процессом роста кристалла, начиная от зарождения до полной кристаллизации слитка, без механического перемещения ампулы относительно нагревательной печи.

При продольном расположении многосекционного нагревателя относительно оси ампулы (фиг.1б) на стенке ампулы создают вращаемое тепловое поле, отвечающее частному условию: T(ϕ,t) = δTcos(ωt+kϕ)+Az. При этом движения расплава вдоль продольной оси нет, существует лишь азимутальное течение расплава. При поперечном расположении нагревателя (фиг.1в) секции нагревателя переключают таким образом, что на стенке ампулы создают движение тепловой волны, отвечающее частному условию: T(t,z) = δT1cos(ωt+nz)+Az. При этом азимутального течения расплава нет, существует лишь течение вдоль продольной оси z.

Т. о. , создание на наружной стенке замкнутого контейнера неоднородного нестационарного теплового поля, отвечающее заданному условию, обеспечивает возможность бесконтактного управления тепломассопереносом в замкнутом контейнере с расплавом при выращивании кристаллов на борту орбитальной станции и получение кристаллов однородного состава по основным компонентам с однородным распределением примесей по объему кристалла.

Источники информации
1. Беляев М.Ю., Зыков С.Г., Рябуха С.Б. и др. Математическое моделирование и измерение микроускорений на орбитальной станции "Мир". - Механика жидкости и газа, 1994, 5, с. 5-14.

2. Картавых А.В., Копелиович Э.С., Мильвидский М.Г., Раков В.В. Аномальные эффекты распределения легирующей примеси в монокристаллах Ge, выращенных методом бестигельной зонной плавки в условиях космического полета. - Кристаллография, 2000, т. 45, 1, с. 167-174.

3. Kartavykh A., Rakov V, Mil'vidsky M. On-ground refinement and space growth of Ge single crystals by FZ-technique with the action of low-induction rotating magnetic fields. - Abstract of Third Int. Conf. "Single Crystal Growth, Strength Problems, and Heat Mass Transfer", Obninsk: SSC RF IPPE, 1999, p. 176.

4. Мильвидский М.Г., Верезуб И.А., Копелиович Э.С. и др. Контейнер для выращивания кристаллов. - Патент РФ 2091515, заявлено 96107047, 12.04.2000, С 30 В 13/14, 30/08, опубликовано 27.09.97 (прототип).

5. Kokh A.E., Kononova N.G., Mokruchnikov P.W. An azimuthal pattern of heat field in β-ВаB2O4 crystal growth. - J. of Crystal Growth, 2000, v. 216(l-4), p. 359-362.

6. А.Е. Кох, В.Е. Кох, Н.Г. Кононова. Установка для выращивания кристаллов в условиях вращения теплового поля. - ПТЭ. 2000, 1, с. 157-160.

7. Alexandr E. Kokh and Nadegda G. Kononova. Crystal growth under heat field rotation conditions. - Solid State Electronics, Vol. 44, No. 5, 2000, pp. 819-824.

8. Пухначев В. В., Гончарова О.Н. Нестационарные задачи микроконвекции изотермически несжимаемой и слабосжимаемой жидкости. - VII Российский симпозиум "Механика невесомости. Итоги и перспективы фундаментальных исследований гравитационно-чувствительных систем. " Тезисы докладов, М.: ИПМ РАН, 2000, с. 45.

Похожие патенты RU2182606C2

название год авторы номер документа
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ПРОЦЕССОМ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 1999
  • Кох А.Е.
  • Кононова Н.Г.
  • Кох В.Е.
RU2163943C2
СПОСОБ ГОМОГЕНИЗАЦИИ РАСТВОР-РАСПЛАВОВ ИЛИ РАСПЛАВОВ ПРИ ВЫРАЩИВАНИИ МОНОКРИСТАЛЛОВ 2000
  • Кох А.Е.
  • Кох В.Е.
  • Кононова Н.Г.
RU2164561C1
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ 1997
  • Кох А.Е.
RU2133786C1
ТРОЙНОЙ ХАЛЬКОГЕНИДНЫЙ МОНОКРИСТАЛЛ ДЛЯ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО ВЫРАЩИВАНИЯ 2002
  • Криницын П.Г.
  • Исаенко Л.И.
  • Лобанов С.И.
  • Елисеев А.П.
  • Меркулов А.А.
RU2255151C2
СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ РАСТВОР-РАСПЛАВА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ β-BABO 2001
  • Кононова Н.Г.
  • Кох А.Е.
RU2195520C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗУМРУДА 1993
  • Храненко Г.Г.
  • Вейс Н.С.
RU2061108C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛА β-BaBO 1998
  • Кох А.Е.
  • Гец В.А.
  • Кононова Н.Г.
  • Ильина О.С.
  • Семиколенова Г.В.
RU2139957C1
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ПАРАТЕЛЛУРИТА ГРАННОЙ ФОРМЫ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ 2012
  • Кох Александр Егорович
  • Шевченко Вячеслав Сергеевич
  • Влезко Василий Андреевич
  • Кох Константин Александрович
RU2507319C1
СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ ФАЗОВЫХ ПРЕВРАЩЕНИЙ 2002
  • Кононова Н.Г.
  • Кох А.Е.
  • Федоров П.П.
RU2229702C2
Способ выращивания кристалла трибората лития (варианты) 2018
  • Кох Александр Егорович
  • Кох Дмитрий Александрович
  • Кононова Надежда Георгиевна
RU2681641C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 182 606 C2

Реферат патента 2002 года СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСПЛАВА

Изобретение относится к области выращивания монокристаллов из расплавов методом направленной кристаллизации в замкнутом конвейере, в частности к выращиванию монокристаллов в условиях микрогравитации путем управления конвективными потоками в расплаве. Сущность изобретения: на наружной стенке замкнутого контейнера создают нестационарное неоднородное тепловое поле, отвечающее условию: T(ϕ,t,z) = δTcos(ωt+nz+kϕ)+Az, где Т(К) - температура, отсчитываемая от средней Т0(К), δТ(К) - амплитуда тепловой волны, t(с) - время процесса, ϕ(рад), z(м) - полярные координаты, ω(рад•с-1) - циклическая частота тепловой волны, n(рад•м-1), k - волновые числа, А(К•м-1) - осевой градиент температуры, используя многосекционные нагревательные элементы, расположенные наклонно относительно продольной оси контейнера. 2 ил.

Формула изобретения RU 2 182 606 C2

Способ выращивания монокристаллов из расплава методом направленной кристаллизации в замкнутом контейнере в условиях микрогравитации путем создания контролируемых конвекционных потоков в расплаве, отличающийся тем, что используют многосекционные нагревательные элементы, установленные наклонно относительно продольной оси контейнера и на наружной стенке контейнера создают нестационарное неоднородное тепловое поле, отвечающее условию
T(ϕ,t,z) = δTcos(ωt+nz+kϕ)+Az,
где Т - температура, отсчитываемая от средней Т0;
δT - амплитуда тепловой волны;
t - время процесса;
ϕ, z - полярные координаты;
ω - циклическая частота тепловой волны;
n, k - волновые числа;
А - осевой градиент температуры.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2002 года RU2182606C2

КОНТЕЙНЕР ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ 1996
  • Мильвидский М.Г.
  • Верезуб Н.А.
  • Копелиович Э.С.
  • Простомолотов А.И.
  • Раков В.В.
RU2091515C1
JP 04202082 А, 22.07.1992
КОРОБКА ПЕРЕДАЧ 1992
  • Некрасов В.И.
  • Терехов А.С.
RU2006380C1
JP 2000026191 А, 25.01.2000
JP 62012690 А, 21.01.1987
ЗЕМСКОВ В.С
и др
Теплообмен между стенками импульса и расплавом при направленной кристаллизации в условиях невесомости
Гидромеханика и тепломассообмен в невесомости
- Новосибирск, 1988, с.153-161
РЖ "Физика", 1989, реф
Кипятильник для воды 1921
  • Богач Б.И.
SU5A1
GATOS HARRY C, "Semiconductor crystal growth and segregation problems on earth and in space "Mater
Process
Recluced Gravity Environ
Space
Proc
Mater
Res
Soc
Annu
Meet
Boston
Mass., Nov., 1981
New York e.a
Устройство для видения на расстоянии 1915
  • Горин Е.Е.
SU1982A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

RU 2 182 606 C2

Авторы

Кох А.Е.

Мокрушников П.В.

Попов В.Н.

Даты

2002-05-20Публикация

2000-07-14Подача