СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ РУТЕНИЕВОГО ПОКРЫТИЯ Российский патент 2003 года по МПК C25D3/50 C25D5/18 

Описание патента на изобретение RU2202006C2

Изобретение относится к гальванотехнике, в частности касается электролитического осаждения рутения на рабочие поверхности электрических контактов, например на контакт-детали герконов, которые используются в качестве коммутационных элементов в различных системах электронной техники.

Известен способ [1] электролитического рутенирования из электролита, в который рутений вводится в виде аммонийной соли биядерного нитридо-аква-хлоридного комплекса [Ru2N(Н2O)хСlу](NН4)3, где х+у=10.

Указанный электролит имеет рН 0,5÷4, содержит 5÷20 г/л рутения, 10÷50 г/л сульфаминовой кислоты. Электролиз ведется в условиях постоянного тока при плотности тока 0,25÷10 А/дм2 и при температуре 50÷75oС.

Недостатком этого способа является относительно высокая пористость гальванических рутениевых покрытий, особенно при толщинах менее 0,5 мкм, что ухудшает их контактные свойства.

Гальванические покрытия, получаемые в условиях стационарного тока из приведенного электролита, являются сильно напряженными, что приводит к образованию микротрещин при толщине рутениевого покрытия более 1,5 мкм.

Предложен способ электролитического осаждения рутениевых покрытий из электролитов, получаемых путем растворения биядерного нитридо-аква-хлоридного комплекса рутения, отличающийся тем, что электролиз проводят в режиме импульсного тока с параметрами: период 1 мс, скважность 10%, средняя (во времени) катодная плотность тока 0,5÷8,0 А/дм2.

Предлагаемый способ позволяет получать низкопористые рутениевые покрытия при толщинах менее 0,5 мкм с улучшенными коммутационными характеристиками рутениевых покрытий и без микротрещин при толщине более 1,5 мкм.

Предложенный режим был опробован в электролите, содержащем:
Рутений (мет.) - 10÷25 г/л
Сульфамат аммония - 30÷90 г/л
рН - 1,0÷2,0
Рутений вводился в виде аммонийной соли биядерного нитридо-аква-хлоридного комплекса [Ru2N(H2O)2Cl8](NH4)3.

Условия электролиза:
температура 50÷70oС;
средняя (во времени) катодная плотность тока 0,5÷8,0 А/дм2.

В указанном электролите на детали герконов, изготовленных из пермаллоя, наносились контактные покрытия.

В процессе экспериментов на источнике импульсного тока устанавливались определенные значения Т (периода) и скважности (отношение времени импульса к периоду)%, а также варьировалась средняя плотность тока (во времени) и толщина покрытия.

Были изготовлены опытные партии миниатюрных малой мощности герконов с толщиной рутения 0,2 мкм с подслоем золота толщиной 0,5 мкм. Рутений наносился в различных режимах импульсного тока. Для сравнения некоторые образцы покрывались в стационарном режиме (по прототипу [1]), Пористость электролитических покрытий оценивалась приборным методом - по потенциалу коррозии в растворе HCl 1:1. Чем более положительные значения потенциала коррозии, тем меньше пористость.

Покрытие в герконах проходило испытания на уровень и стабильность переходного электросопротивления Rпep и на износостойкость (по количеству срабатываний в коммутационных режимах:
1. - ток 5 мкА, напряжение 50 мВ, частота 100 Гц;
2. - ток 90 мА, напряжение 12 В, частота 100 Гц).

Полученные результаты представлены в табл.1.

Для герконов средней и более высокой мощности необходимо применение толщин рутениевого покрытия более 1,5 мкм по подслою золота толщиной 1,0 мкм. При таких толщинах рутениевые покрытия склонны образовывать микротрещины. В зависимости от режима нанесения предельные толщины рутениевого покрытия, при которых начинают зарождаться микротрещины, бывают различными.

Данные по опробованию режима электролиза на образование микротрещин в рутениевом покрытии представлены в табл.2.

С помощью подбора режима импульсного тока была определена предельно допустимая толщина рутениевого покрытия без микротрещин - 2,5 мкм, по сравнению с прототипом [1] - 1,5 мкм.

На основании проведенных экспериментов (табл. 1 и 2) был выбран оптимальный импульсный режим электролиза: Дк=0,5-8,0 А/дм2, Т=1 мс, скважность 10%. Увеличение периода импульсного тока с 1 до 2 мс и увеличение скважности с 10 до 20% приводит к резкому ухудшению рассмотренных параметров электролитического покрытия,
Источник информации
1. Патент США 3576724, апрель 27, 1971 г.

Похожие патенты RU2202006C2

название год авторы номер документа
СПОСОБ РЕГЕНЕРАЦИИ РУТЕНИЕВЫХ ЭЛЕКТРОЛИТОВ 2001
  • Карабанов С.М.
  • Быков А.Н.
  • Локштанова О.Г.
  • Рябко С.М.
  • Родимов В.А.
RU2205253C2
КОНТАКТНОЕ ПОКРЫТИЕ ДЛЯ МАГНИТОУПРАВЛЯЕМЫХ ГЕРМЕТИЗИРОВАННЫХ КОНТАКТОВ И СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ КОНТАКТНОГО ПОКРЫТИЯ 2001
  • Баскаков И.А.
  • Карабанов С.М.
  • Семин Е.В.
  • Сиротина Т.А.
  • Карбасов Б.Г.
  • Устиненкова Л.Е.
RU2218627C2
Способ изготовления катодных обкладок объемно-пористых танталовых электролитических конденсаторов 2016
  • Ковин Сергей Анатольевич
  • Степанов Александр Викторович
  • Конышев Владимир Сергеевич
  • Игумнов Михаил Степанович
  • Старостин Сергей Петрович
RU2623969C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КАТОДНОЙ ОБКЛАДКИ ТАНТАЛОВОГО ОБЪЕМНО-ПОРИСТОГО КОНДЕНСАТОРА 2013
  • Ермаков Александр Владимирович
  • Игумнов Михаил Степанович
  • Никифоров Сергей Владимирович
  • Терентьев Егор Виленович
  • Конышев Владимир Сергеевич
  • Степанов Александр Викторович
  • Лебедев Виктор Петрович
  • Старостин Сергей Петрович
  • Ковин Сергей Анатольевич
RU2538492C1
КОНТАКТНОЕ ПОКРЫТИЕ ДЛЯ МАГНИТОУПРАВЛЯЕМЫХ КОНТАКТОВ 1993
  • Соломатин В.П.
  • Шрайнер Ю.А.
  • Быстров М.В.
  • Рябко С.М.
  • Карнаухова В.В.
  • Гурьев А.Б.
RU2076370C1
КОНТАКТНОЕ ПОКРЫТИЕ МОЩНЫХ МАГНИТОУПРАВЛЯЕМЫХ КОНТАКТОВ (ВАРИАНТЫ) 2001
  • Карабанов С.М.
  • Быков А.Н.
  • Локштанова О.Г.
  • Рябко С.М.
  • Кабанова Л.А.
RU2215342C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫПРЯМЛЯЮЩИХ КОНТАКТОВ К АРСЕНИДУ ГАЛЛИЯ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКИМ ОСАЖДЕНИЕМ РУТЕНИЯ 2016
  • Божков Владимир Григорьевич
  • Бекезина Татьяна Петровна
  • Шмаргунов Антон Владимирович
  • Лещева Маргарита Николаевна
  • Орехова Анна Ивановна
  • Белоножко Анастасия Викторовна
RU2666180C2
КОНТАКТНОЕ ПОКРЫТИЕ МАГНИТОУПРАВЛЯЕМЫХ КОНТАКТОВ 2004
  • Карабанов Сергей Михайлович
  • Быков Александр Николаевич
  • Локштанова Ольга Григорьевна
  • Ясевич Альбина Николаевна
RU2279149C1
ЭЛЕКТРОЛИТ ДЛЯ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИРИДИЯ НА АРСЕНИД ГАЛЛИЯ И СПОСОБ ЕГО ПРИГОТОВЛЕНИЯ 2013
  • Бекезина Татьяна Петровна
  • Мокроусов Геннадий Михайлович
  • Божков Владимир Григорьевич
  • Бурмистрова Виктория Андреевна
  • Торхов Николай Анатольевич
  • Шмаргунов Антон Владимирович
RU2530963C2
КОНТАКТНОЕ ПОКРЫТИЕ ДЛЯ МАГНИТОУПРАВЛЯЕМЫХ КОНТАКТОВ 1995
  • Фомушкина Т.В.
  • Бобкова Т.Н.
  • Вьюков И.В.
  • Соломатин В.П.
  • Кирилин Е.Н.
  • Никишова В.Д.
RU2079173C1

Иллюстрации к изобретению RU 2 202 006 C2

Реферат патента 2003 года СПОСОБ НАНЕСЕНИЯ РУТЕНИЕВОГО ПОКРЫТИЯ

Изобретение относится к гальванотехнике и может быть использовано в производстве электрических контактов, в том числе герметизированных. Технический результат состоит в получении электролитическим методом низкопористых, менее напряженных рутениевых покрытий, имеющих улучшенные коммутационные свойства при толщине менее 0,5 мкм и получении рутениевых покрытий без трещин при толщине более 1,5 мкм. Способ заключается в электролитическом осаждении рутениевых покрытий из электролитов, получаемых путем растворения биядерного нитридо-аква-хлоридного комплекса рутения, при этом электролиз проводят в режиме импульсного тока с параметрами: период 1 мс, скважность 10%, средняя во времени катодная плотность тока 0,5÷8,0 А/дм2. 2 табл.

Формула изобретения RU 2 202 006 C2

Способ электролитического осаждения рутениевых покрытий из электролитов, получаемых путем растворения биядерного нитридо-аквахлоридного комплекса рутения, отличающийся тем, что электролиз проводят в режиме импульсного тока с параметрами: период 1 мс, скважность 10%, средняя во времени катодная плотность тока 0,5÷8,0 А/дм2.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2003 года RU2202006C2

US 3576724, 27.04.1971
US 4082622, 04.04.1978
0
SU377431A1
0
  • С. Ф. Белов, В. А. Гамочкина, И. И. Лавров Н. М. Синицын
SU316752A1

RU 2 202 006 C2

Авторы

Карабанов С.М.

Быков А.Н.

Локштанова О.Г.

Рябко С.М.

Родимов В.А.

Шишкина Л.В.

Даты

2003-04-10Публикация

2001-05-04Подача