СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОКОМПЕНСИРОВАННОГО ТЕНЗОРЕЗИСТОРА Российский патент 2005 года по МПК H01C7/02 H01C17/24 G01K7/18 

Описание патента на изобретение RU2244970C1

Область техники, к которой относится изобретение.

Настоящее изобретение относится к электронной технике, в частности, к тонкопленочной микроэлектронике.

Уровень техники.

В основе работы тензорезисторов лежит явление тензоэффекта, заключающееся в изменении сопротивления проводников и полупроводников при их механической деформации [1-4]. Качество тензорезисторов зависит от чувствительности к механическим напряжениям, линейности относительного изменения сопротивления в широком диапазоне напряжений (механических нагрузок) и окружающей температуры, надежности и габаритов конструкции, а также от других факторов.

Известен микросенсор-полупроводниковый тензорезистор MS 115-350 [3, с.122], который изготавливают следующим способом. Гибкую прямоугольную нить из монокристалла кремния р-типа вырезают в направлении [111] с удельным сопротивлением ρ=0,017 Ом·см, с размерами 0,0177 мм (толщина), 0,5 мм (ширина) и 19 мм (длина). Недостатком такого датчика является невысокая линейность в рабочем диапазоне температур, а также невозможность подгонки (подстройки) его параметров под конкретные условия измерительного эксперимента.

Известен способ настройки характеристик электронных компонентов с помощью лазера (см. заявка Франции №2616263, H 01 С 17/24, ИМС №7, 1989), который заключается в том, что с целью подгонки сопротивления тонкопленочного резистора к номинальному значению выполняют рез лазерным лучом по профилю полуовала, радиус которого устанавливают расчетным методом.

Недостатком данного способа являются его ограниченные возможности, связанные с невозможностью подгонки линейности характеристики преобразования тензорезистора в диапазоне рабочих температур.

Известен способ изготовления пленочного тензорезистора [1, с.130], заключающийся в том, что сам тензорезистор изготовляют одним из известных способов [1-4], а для исключения или уменьшения влияния температуры на его характеристику преобразования компенсируют его температурный коэффициент сопротивления (ТКС) методом подгонки, заключающимся в отжиге при определенной температуре, определенное время, которое зависит от материала пленки.

Основным недостатком известного способа является то, что отжигом не удается в широком интервале температур добиться термокомпенсации. Кроме того, процесс отжига длительный, плохо сочетается с одновременным измерительным контролем значения ТКС.

СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ

Целью настоящего изобретения является повышение точности термокомпенсации с одновременным снижением трудоемкости изготовления термокомпенсированного пленочного тензорезистора.

Достигаемый технический результат обеспечивается тем, что технология изготовления тонкопленочного термокомпенсированного тензорезистора включает в себя напыление на гибкую диэлектрическую подложку резистивных слоев, формирование контактных площадок, формирование методом фотолитографии чувствительных элементов тензорезистора, измерение сопротивлений которых в процессе подгонки ТКС тензорезистора осуществляют омметром, подключенным к соответствующим контактным площадкам, причем тензорезистор изготавливают из двух материалов с различными величинами и знаками ТКС, формируют на подложке два соединенных последовательно чувствительных элемента, объединенные выводы, которых соединяют с контактной площадкой, расположенной с одной стороны подложки, а два оставшихся вывода подключают к контактным площадкам, находящимся в непосредственной близости с другой стороны подложки, осуществляют термокомпенсацию подгонкой соотношения сопротивлений чувствительных элементов лучом лазерного инструмента подгонки.

Сведения, подтверждающие возможность осуществления.

Согласно работе [1, с. 129] для пленочного тензорезистора, установленного на свободно расширяющийся образец с заданным коэффициентом линейного расширения, температурная характеристика для небольшого интервала температур описывается уравнением:

где α - температурный коэффициент сопротивления пленочного элемента;

βм - температурный коэффициент линейного расширения материала образца (детали), на который установлен тензорезистор;

βч - температурный коэффициент линейного расширения чувствительного элемента тензорезистора;

t0, t - начальная и конечная температура диапазона температур;

Кпр - коэффициент преобразования деформации чувствительным элементом:

Кпр=δR/δl

δR и δl - относительные приращения сопротивления и длины тензорезистора.

Равенство нулю температурного приращения сопротивления тензорезистора может быть обеспечено при равенстве нулю правой части уравнения (1), т.е. при условии:

Согласно работе [1] уравнение (2) используют как критерий подгонки, которую выполняют отжигом тензорезистора при определенной температуре.

Такой способ подгонки заключается в изменении (уплотнении) структуры материала пленочного чувствительного элемента. Процесс отжига длится часами в термокамере, причем диапазон подгонки ТКС имеет небольшое значение. Контроль и измерение этого параметра реализовать в ходе отжига также довольно сложно из-за ограничения доступа в термокамеру.

Согласно патенту РФ №2133514, H 01 С 17/22, 17/24 и положительному решению на выдачу патента от 24.01.2003 по заявке №2000109988/09(0/0280) соотношения между сопротивлениями и ТКС тонкопленочных резисторов, соединенных параллельно, имеют вид:

где R1, R2 - сопротивления первого и второго элемента тонкопленочной резистивной структуры; α1, α2 - ТКС первого и второго резистивного элемента; α0 - ТКС интегрального тонкопленочного резистора с сопротивлением R0, полученного в результате параллельного соединения сопротивлений R1 и R2 с ТКС - α1 и α2.

Для интегрального резистора, полученного в результате последовательного соединения сопротивлений R1 и R2, справедливо соотношение:

Выбирая величину сопротивления R0 тензорезистора, отношение R1/R2, тип резистивных материалов с определенными значениями ТКС - α1, α2 и способ соединения полученных фотолитографией чувствительных тензоэлементов на подложке, можно, используя соотношения (3-4) подбирать ТКС - α0 интегрального тензорезистора в широком диапазоне значений для различных материалов образца с конкретными значениями βм (2).

Точное значение α0 можно получить в результате лазерной подгонки сопротивлений R1, R2 тензочувствительных элементов, используя в режиме подгонки омметр, подключенный непосредственно к клеммам R1, а затем к R2.

На чертеже представлен вариант конструкции тонкопленочного тензорезистора, изготовленного предложенным способом.

Чувствительный элемент такого тензорезистора выполнен из двух тонкопленочных элементов 1 и 2. Элемент 1 имеет сопротивление R1 и выполнен из сплава нихром (возможен константан, сплавы алюминия, титана и др.). Элемент 2 имеет сопротивление R2 и выполнен из сплава кермет (К-20С, К-30С и др.).

Чувствительные элементы 1 и 2 тензорезистора расположены на гибкой диэлектрической подложке 3, с противоположных сторон которой установлены контактные площадки 4. Конструкция такого тензорезистора имеет подгоночные перемычки 5 для регулировки (подгонки) резистивного элемента 1. Возможность регулировки (подгонки) сопротивления элемента 2 показана лазерным резом типа 6. Расположенные в непосредственной близости, определяемой сопротивлением изоляции, контактные площадки, позволяют создать единый контакт методом пайки без значительных затрат, при параллельном соединении элементов 1 и 2.

Чувствительность по изменению сопротивлений элементов 1 и 2, соединенных последовательно, определяется как

а при их параллельном соединении:

будет меньше для случая параллельного соединения, однако в конструкции с параллельным соединением элементов 1 и 2 общую чувствительность к механическим напряжениям можно увеличивать, увеличивая количество секций элемента 1. Кроме того, достигнуть подгонкой определенного ТКС в некотором диапазоне гораздо легче в конструкции с параллельным соединением чувствительных тензоэлементов из разнородных материалов.

Лазерный метод подгонки в сравнении с термическим (отжигом) позволяет сократить время подгонки ТКС за счет быстродействия лазерного инструмента подгонки, повысить точность подгонки (в частности, за счет использования подгоночных секций и специальных форм лазерного реза, типа 6, см. чертеж), расширить диапазон подгонки ТКС за счет комбинирования соотношениями сопротивлений тензочувствительных элементов, типов их электрических соединений (параллельное, последовательное), а также использования специальных подгоночных секций (подгоночных перемычек 5, рис. 1).

ЛИТЕРАТУРА

1. Клокова Н.П. Тензорезисторы: Теория, методики расчета, разработки. - М.: Машиностроение, 1990. - 224 с.

2. Левшина Е.С., Новицкий П.В. Электрические измерения физических величин: (измерительные преобразователи). Учеб. пособие для вузов. - Л.: Энергоатомиздат. Ленинг. от.-ние, 1983. - 320 с.

3. Полупроводниковые тензодатчики (перевод с англ.). Под редакцией М. Дина. - М.Л.: Энергия, 1965. - 216 с.

4. Мейзда Ф. Электронные измерительные приборы и методы измерений: Пер. с англ. - М.: Мир, 1990. - 535 с.

Похожие патенты RU2244970C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО ТЕРМОРЕЗИСТОРА 1996
  • Власов Г.С.
  • Лугин А.Н.
  • Проскурин Л.С.
  • Шутенко С.В.
RU2133514C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТОРА 2000
  • Власов Г.С.
  • Лугин А.Н.
RU2208256C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО РЕЗИСТОРА 2008
  • Власов Геннадий Сергеевич
  • Лугин Александр Николаевич
RU2374710C1
ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ ТЕРМОРЕЗИСТОР 1995
  • Власов Г.С.
  • Лугин А.Н.
  • Проскурин Л.С.
  • Шутенко С.В.
RU2120679C1
ТЕРМОСТАБИЛЬНАЯ ТОНКОПЛЕНОЧНАЯ МИКРОСХЕМА 2000
  • Лугин А.Н.
  • Власов Г.С.
RU2185007C2
Способ изготовления тонкопленочного резистора 2018
  • Новожилов Валерий Николаевич
RU2700592C1
Комбинированная тонкоплёночная резистивная структура с температурной самокомпенсацией 2022
  • Новичков Максим Дмитриевич
  • Гурин Сергей Александрович
  • Печерская Екатерина Анатольевна
  • Шепелева Анастасия Эдуардовна
RU2808452C1
ПРЕЦИЗИОННЫЙ ТОНКОПЛЕНОЧНЫЙ РЕЗИСТОР 2010
  • Власов Геннадий Сергеевич
  • Лугин Александр Николаевич
RU2421837C1
ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ 2002
  • Ажаева Л.А.
  • Клементьев А.Т.
  • Куликова С.В.
  • Сергеева З.Н.
  • Ходжаев В.Д.
RU2222790C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ НАНО- И МИКРОРАЗМЕРНОЙ СИСТЕМЫ ДАТЧИКА ФИЗИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН С ЗАДАННЫМ ПОЛОЖИТЕЛЬНЫМ ТЕМПЕРАТУРНЫМ КОЭФФИЦИЕНТОМ СОПРОТИВЛЕНИЯ РЕЗИСТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 2014
  • Васильев Валерий Анатольевич
  • Хошев Александр Вячеславович
RU2554083C1

Реферат патента 2005 года СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТЕРМОКОМПЕНСИРОВАННОГО ТЕНЗОРЕЗИСТОРА

Устройство относится к электронной технике, в частности к тонкопленочной микроэлектронике. В способе изготовления термокомпенсированного тензорезистора, включающем напыление на гибкую диэлектрическую подложку резистивных слоев, формирование методом фотолитографии чувствительных элементов тензорезистора, измерение сопротивлений которых в процессе подгонки ТКС тензорезистора осуществляют омметром, подключенным к соответствующим контактным площадкам. Тензорезистор изготавливают из двух резистивных материалов с различными величинами и знаками ТКС, формируют на подложке два соединенных последовательно тензочувствительных элемента, объединенные выводы которых соединяют с контактной площадкой, расположенной с одной стороны подложки, а два оставшихся вывода подключают к контактным площадкам, находящимся в непосредственной близости с другой стороны подложки, осуществляют термокомпенсацию лазерной подгонкой соотношения сопротивлений чувствительных элементов, предварительно определив способ электрического соединения тензочувствительных разнородных элементов. После чего для параллельного способа их соединения расположенные в непосредственной близости контактные площадки соединяют методом контактной сварки или пайки, а в случае последовательного соединения в качестве выводов тензорезистора используют два подсоединенных к близко расположенным с одной стороны подложки контактным площадкам. Техническим результатом является повышение точности термокомпенсации с одновременным снижением трудоемкости изготовления термокомпенсированного пленочного тензорезистора. 1 ил.

Формула изобретения RU 2 244 970 C1

Способ изготовления термокомпенсированного тензорезистора, включающий напыление на гибкую диэлектрическую подложку резистивных слоев, формирование контактных площадок, формирование методом фотолитографии чувствительных элементов тензорезистора, измерение сопротивлений которых в процессе подгонки ТКС тензорезистора осуществляют омметром, подключенным к соответствующим контактным площадкам, отличающийся тем, что тензорезистор изготавливают из двух резистивных материалов с различными величинами и знаками ТКС, формируют на подложке два соединенных последовательно тензочувствительных элемента, объединенные выводы которых соединяют с контактной площадкой, расположенной с одной стороны подложки, а два оставшихся вывода подключают к контактным площадкам, находящимся в непосредственной близости с другой стороны подложки, осуществляют термокомпенсацию лазерной подгонкой соотношения сопротивлений чувствительных элементов, предварительно определив способ электрического соединения тензочувствительных разнородных элементов, после чего для параллельного способа их соединения расположенные в непосредственной близости контактные площадки соединяют методом контактной сварки или пайки и используют для соединения с общим выводом, а в случае последовательного соединения выводы тензорезистора подключают к расположенным с одной стороны контактным площадкам.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2005 года RU2244970C1

КЛОКОВА Н.П
Тензорезисторы: Теория, методики расчета, разработки, Москва, Машиностроение, 1990, с.224
RU 95109765 А1, 27.04.1997
ПЛЕНОЧНЫЙ РЕЗИСТОР 1987
  • Жуков Г.Ф.
  • Тулина Л.И.
  • Смолин В.К.
SU1517640A1
БАССЕЙНОВЫЙ ЯДЕРНЫЙ РЕАКТОР И СПОСОБ АВАРИЙНОГО ОХЛАЖДЕНИЯ БАССЕЙНОВОГО ЯДЕРНОГО РЕАКТОРА 1988
  • Доронин А.С.
  • Зверев С.А.
  • Иванов В.В.
  • Романов С.Е.
SU1648209A1
US 3503030, 24.03.1970
US 4104607, 01.08.1978.

RU 2 244 970 C1

Авторы

Власов Г.С.

Лугин А.Н.

Даты

2005-01-20Публикация

2003-05-16Подача