ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ МЕМБРАННОГО ТИПА Российский патент 2005 года по МПК H01L29/84 

Описание патента на изобретение RU2247443C1

Изобретение относится к микроэлектронному приборостроению и может быть использовано в конструкции широкого класса микроэлектронных приборов, оснащенных чувствительным элементом мембранного типа, - датчиков давления и температуры, акселерометров, микрореле и т.д.

Известен чувствительный элемент мембранного типа, содержащий кремниевую подложку с выполненным в ней углублением для образования мембраны и мембранной камеры, и узел съема информативного сигнала, представляющий собой тензосхему, сформированную на поверхности мембранного элемента и подключенную к внешним контактным площадкам (SU 1591776, H 01 L 29/84, G 01 L 1/22, 1994).

Известен также чувствительный элемент мембранного типа, содержащий подложку из монокристаллического кремния n-типа проводимости с базовой ориентацией (100), на тыльной стороне которой выполнено углубление, образующее квадратную в плане мембрану. На планарной стороне мембраны сформирован тензорезистивный мост Уитстона для съема информативного сигнала (RU 93027803, G 01 L 9/04, 1995).

Чувствительность известных устройств лимитируется толщиной монокристаллической кремниевой мембраны. По технологическим соображениям выполнить такую мембрану с толщиной менее 3 мкм не представляется возможным, в связи с чем данные устройства обладают низкой чувствительностью.

Наиболее близким к заявляемому является чувствительный элемент мембранного типа, содержащий подложку из монокристаллического кремния с базовой ориентацией (100), мембрану, изготовленную из нитрида кремния и расположенную над отверстием, выполненным в подложке для образования мембранной камеры, и оптический узел съема информативного сигнала, в качестве которого установлен интерферометр, регистрирующий величину прогиба мембраны под действием приложенного давления (D.Maier-Schneider, J. Maibach, E, Obermeier. Computer-aided characterization of the elastic properties of thin films //Journal of Micromechanics and Microengineering, Vol.2, 1992, p. 173-175).

Чувствительность такого устройства выше, чем при использовании монокристаллической кремниевой мембраны. Тем не менее, прототипное устройство также обладает невысокой чувствительностью.

Технической задачей предлагаемого устройства является повышение чувствительности измерений.

Решение указанной задачи состоит в том, что в чувствительном элементе мембранного типа, содержащем подложку из монокристаллического кремния с базовой ориентацией (100), мембрану, включающую слой нитрида кремния, расположенную над отверстием, выполненным в подложке для образования мембранной камеры, и узел съема информативного сигнала, мембрана дополнительно включает слой карбида кремния (SiC).

Как впервые обнаружено авторами, дополнительный SiC-слой мембраны уменьшает ее начальное внутреннее напряжение, что имеет следствием повышение чувствительности устройства. Данный эффект наблюдается в диапазоне толщин SiC- и Si3N4-пленок, обеспечивающих функционирование нанесенной композиции SiC/Si3N4 как мембраны, в связи с чем значения размерных параметров не заявляются. В зависимости от формы и размеров мембраны толщину SiC- и Si3N4-пленок устанавливают общеупотребительным путем (например, постановкой двухфакторного эксперимента) исходя из требуемого компромисса между чувствительностью и прочностью мембраны. Очевидно также, что последовательность расположения слоев мембраны и направление приложенного давление могут быть любыми.

Узел съема информативного сигнала может быть выполнен тензометрическим или оптическим, как в описанных аналогах. Возможно также выполнение данного узла на базе оптического микроскопа. Наиболее целесообразным является выполнение этого узла на базе торцевого волоконно-оптического интерферометра Фабри-Перо (см., например: P.G.Davis, I.J.Bush, G.S.Maurer. Fiber Displacement Sensor. Proc. SPIE, v. 3489, 1998; S.A.Meller et al. Development of Fiber Optic Sensor for Advanced Aircraft Testing and Control. Proc. SPIE, v. 3541, p.134-139, 1998; http://www.infoline.ru/q23/5495/rusensor.htm, 12.10.02), установленного с возможностью регистрации прогиба мембраны.

На чертеже представлено схематическое изображение предлагаемого чувствительного элемента.

В табл. 1 приведены значения технических характеристик чувствительного элемента в зависимости от материала слоев мембраны.

Чувствительный элемент содержит подложку 1, выполненную из монокристаллического кремния с базовой ориентацией (100), мембрану, расположенную над отверстием 2, выполненным в подложке 1 и образующим мембранную камеру, и узел 3 съема информативного сигнала. Мембрана выполнена двухслойной и включает пленку 4 из нитрида кремния и пленку 5 из карбида кремния. В данном варианте узел 3 съема информативного сигнала содержит торцевой волоконно-оптический интерферометр Фабри-Перо, включающий оптическое волокно 6, лазерный диод 8, фотоприемник 9 и волоконно-оптический ответвитель 7, установленный с возможностью регистрации величины прогиба мембраны под действием приложенного к ней давления Р.

При подаче давления на мембрану происходит ее прогиб, который регистрируется интерферометром.

Оптимальный вариант чувствительного элемента может быть изготовлен следующим образом. На рабочей поверхности подложки 1 из монокристаллического кремния с базовой ориентацией (100) выращивают пленку 4 из Si3N4 толщиной 0,1-0,4 мкм методом пиролиза силана при 850°С в атмосфере аммиака с использованием подслоя SiO2 (не показан).

На пленку 4 наносят пленку 5 из SiC толщиной 0,1-0,4 мкм с помощью магнетронного распыления монокристаллической мишени из SiC в атмосфере аргона при 600°С. На нерабочей поверхности подложки 1 формируют мембранную камеру 2 в форме глухого отверстия квадратного сечения (~1,5×1,5 мм) с помощью жидкостного анизотропного травления участка материала подложки 1 (с подслоем SiO2) до слоя 4. Изготовленный первичный преобразователь оснащают узлом 3 съема информативного сигнала (на чертеже узел 3 представляет собой торцевой волоконно-оптический интерферометр Фабри-Перо).

Технические характеристики предлагаемого чувствительного элемента в сравнении с прототипом, а также устройствами с другим материалом мембраны приведены в табл. 1 по данным авторских испытаний в 5-кратной повторности образцов с мембранами размером 1,46×1,46 мм. Испытания проводили в диапазоне давлений Р=0-200 кПа. Учитывали прогиб центра мембраны в зависимости от приложенного давления и рассчитывали начальное внутреннее напряжение и чувствительность мембраны по следующим формулам:

где σ - начальное внутреннее напряжение мембраны, ГПа;

l - размер мембраны (сторона квадрата), мкм;

h - толщина мембраны, мкм;

k - коэффициент, определяемый экспериментально с использованием аппроксимирующей функции:

где Р - давление, действующее на мембрану, кПа;

y - перемещение центра мембраны от положении при Р=0, мкм;

Е - модуль Юнга мембраны, ГПа;

ν - коэффициент Пуассона мембраны;

где S - чувствительность мембраны, нм/Па.

Формулы 1-3 выведены из описания прототипа применительно к испытываемым образцам.

Всего испытано 6 вариантов материалов мембраны: Si3N4 (прототип - образцы №1 и 2); SiC/Si3N4 (заявляемое техническое решение - образцы № 3 и 4 с толщиной слоя SiC, равной 0,13 и 0,21 мкм соответственно); BN/Si3N4; AlN/Si3N4; Al/Si3N4 и С (слой структуры алмаза) /Si3N4. Для сопоставимости результатов толщина слоя Si3N4 мембраны во всех образцах (кроме образца №1) взята равной 0,25 мкм (как в описании прототипа).

Как видно из таблицы, заявляемые образцы с мембраной SiC/Si3N4 (варианты №3 и 4 табл. 1) обладают чувствительностью S=1,53-3,45 нм/Па, что в 2,1-5,3 раза превышает чувствительность однослойного датчика из Si3N4 прототипа (0,65-0,73 нм/Па). Уровень значимости различий - менее 5%. Этот результат достигнут за счет уменьшения начального внутреннего напряжения мембраны σ в 3-10 раз (0,11-0,30 ГПа в новом устройстве против 0,90-1,08 ГПа в прототипе), что создается компенсацией значительной части начального внутреннего напряжения Si3N4-мембраны ее покрытием пленкой SiC. Чувствительность образца из BN/Si3N4 (№5) составляет 0,94 нм/Па, что хотя и выше, чем в прототипе, но все же существенно ниже, чем в предлагаемом техническом решении. Это связано с недостаточной компенсацией σ слоем BN (σ=0,65 нм/Па). Чувствительность остальных образцов (AlN/Si3N4 - №6; Аl/Si3N4 - №7 и С/Si3N4 - №8) ниже, чем в прототипе и составляет от 0,46 до 0,56 нм/Па. При этом образцы с дополнительным слоем из Аl и AlN нетехнологичны из-за их частичного стравливания при формировании мембранной камеры 2, что подтверждается значительным разбросом значений σ и S, указанным в табл. 1.

В данном примере наилучшим является вариант №6 устройства, в котором толщина слоя SiC равна 0,21 мкм. Этот вариант обладает чувствительностью 3,45±0,05 нм/Па при начальном внутреннем напряжении мембраны 0,11±0,01 ГПа.

Таким образом, использование предлагаемого технического решения обеспечивает повышение чувствительности измерений за счет уменьшения начального внутреннего напряжения мембраны.

Похожие патенты RU2247443C1

название год авторы номер документа
ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ МЕМБРАННОГО ТИПА И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 2007
  • Кривошеева Александра Николаевна
  • Корляков Андрей Владимирович
  • Лучинин Виктор Викторович
  • Ефременко Алексей Михайлович
RU2327252C1
ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СЭНДВИЧ-СТРУКТУРА 3С-SiC/Si, СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ И ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ МЕМБРАННОГО ТИПА С ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ 2008
  • Матузов Антон Викторович
  • Афанасьев Алексей Валентинович
  • Ильин Владимир Алексеевич
  • Кривошеева Александра Николаевна
  • Логинов Борис Борисович
  • Лучинин Виктор Викторович
  • Петров Александр Сергеевич
RU2395867C2
ОПТИЧЕСКИЙ МИКРОФОН И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЕГО ЗВУКОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ МЕМБРАНЫ 2008
  • Ветров Андрей Анатольевич
  • Ильков Владимир Константинович
  • Комиссаров Станислав Сергеевич
  • Корляков Андрей Владимирович
  • Лучинин Виктор Викторович
  • Сергушичев Александр Николаевич
  • Ширшов Андрей Андреевич
RU2365064C1
ДАТЧИК ПЛОТНОСТИ 2006
  • Крапивин Александр Николаевич
RU2330251C1
Чувствительный элемент преобразователя магнитного поля 2018
  • Амеличев Владимир Викторович
  • Генералов Сергей Сергеевич
  • Никифоров Сергей Валерьевич
  • Горелов Дмитрий Викторович
  • Костюк Дмитрий Валентинович
  • Жуков Дмитрий Андреевич
RU2694788C1
Спектрально-селективный поглотитель инфракрасного излучения и микроболометрический детектор на его основе 2018
  • Губарев Владимир Михайлович
  • Кривцун Владимир Михайлович
  • Медведев Вячеслав Валерьевич
RU2702691C1
ПЕРФОРИРОВАННАЯ МЕМБРАНА ДЛЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА МИКРОМЕХАНИЧЕСКОГО ПРИБОРА 2003
  • Корляков А.В.
  • Лучинин В.В.
  • Белых С.В.
RU2265913C2
Способ изготовления гетероэпитаксиальных слоев III-N соединений на монокристаллическом кремнии со слоем 3C-SiC 2020
  • Царик Константин Анатольевич
  • Федотов Сергей Дмитриевич
  • Бабаев Андрей Вадимович
  • Стаценко Владимир Николаевич
RU2750295C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЭЛЕМЕНТОВ С НАНОСТРУКТУРАМИ ДЛЯ ЛОКАЛЬНЫХ ЗОНДОВЫХ СИСТЕМ 2015
  • Преснов Денис Евгеньевич
  • Божьев Иван Вячеславович
  • Крупенин Владимир Александрович
  • Снигирев Олег Васильевич
RU2619811C1
Способ формирования объемных элементов в кремнии для устройств микросистемной техники и производственная линия для осуществления способа 2022
  • Смирнов Игорь Петрович
  • Козлов Дмитрий Владимирович
  • Харламов Максим Сергеевич
  • Шестакова Ксения Дмитриевна
  • Корпухин Андрей Сергеевич
RU2794560C1

Реферат патента 2005 года ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ МЕМБРАННОГО ТИПА

Изобретение относится к микроэлектронному приборостроению и может быть использовано в конструкции широкого класса микроэлектронных приборов, оснащенных чувствительным элементом мембранного типа, - датчиков давления и температуры, акселерометров микрореле и т.д. Сущность: чувствительный элемент содержит подложку из монокристаллического кремния с базовой ориентацией (100), мембрану, включающую слой нитрида кремния, расположенную над отверстием, выполненным в подложке для образования мембранной камеры, и узел съема информативного сигнала. Новым в конструкции является выполнение мембраны двухслойной - она дополнительно включает слой карбида кремния. В качестве узла съема информативного сигнала целесообразно использовать торцевой волоконно-оптический интерферометр Фабри-Перо, который установлен с возможностью регистрации прогиба мембраны. Чувствительность устройства - 1,5-3,5 нм/Па. Технический результат изобретения заключается в повышении чувствительности устройства. 1 з.п. ф-лы, 1 табл., 1 ил.

Формула изобретения RU 2 247 443 C1

1. Чувствительный элемент мембранного типа, содержащий подложку из монокристаллического кремния с базовой ориентацией (100), мембрану, включающую слой нитрида кремния, расположенную над отверстием, выполненным в подложке для образования мембранной камеры, и узел съема информативного сигнала, отличающийся тем, что мембрана дополнительно включает слой карбида кремния.2. Чувствительный элемент по п.1, отличающийся тем, что узел съема информативного сигнала выполнен на базе торцевого волоконно-оптического интерферометра Фабри-Перо, который установлен с возможностью регистрации прогиба мембраны.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2005 года RU2247443C1

D.MAIER-SCHNEIDER, J.MAIBACH E.OBERMEIER
Computeraided characterization of the elastic properties of thin films
J
of Micromechanics and Microengineering
Vol
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов 1917
  • Гордон И.Д.
SU2A1
МИКРОЭЛЕКТРОННЫЙ ДАТЧИК 1987
  • Ваганов В.И.
SU1591776A1
МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЙ ПРИБОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ 1999
  • Лучинин В.В.
  • Корляков А.В.
  • Субботин О.В.
RU2170993C2
ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ 1998
  • Криворотов Н.П.
  • Свинолупов Ю.Г.
  • Хан А.В.
  • Щеголь С.С.
RU2141103C1
US 6365055 В1, 02.04.2002
DE 4309207 A1, 29.09.1994
US 4523964, 18.06.1985.

RU 2 247 443 C1

Авторы

Лучинин В.В.

Корляков А.В.

Белых С.В.

Ильков В.К.

Ширшов А.А.

Даты

2005-02-27Публикация

2003-06-30Подача