Изобретения относятся к микроэлектронному приборостроению и могут быть использованы в конструкции и технологии производства широкого класса микроэлектронных приборов, оснащенных чувствительным или исполнительным элементом мембранного типа, - датчиков перемещения и давления, акселерометров, микроактюаторов, микрофонов и т.д.
Известен чувствительный элемент мембранного типа, содержащий кремниевую подложку с выполненным в ней углублением для образования мембраны и мембранной камеры, и узел съема информативного сигнала, представляющий собой тензосхему, сформированную на поверхности мембранного элемента и подключенную к внешним контактным площадкам (SU 1591776, Н01L 29/84, G01L 1/22, 1994).
Известен также чувствительный элемент мембранного типа, содержащий подложку из монокристаллического кремния n-типа проводимости с базовой ориентацией (100), на тыльной стороне которой выполнено углубление, образующее квадратную в плане мембрану. На планарной стороне мембраны сформирован тензорезистивный мост Уинстона для съема информативного сигнала (RU 93027803, G01L 9/04, 1995).
Чувствительность данных изделий лимитируется толщиной монокристаллической кремниевой мембраны. По технологическим соображениям выполнить такую мембрану с толщиной менее 3 мкм не представляется возможным, в связи с чем данные изделия обладают низкой чувствительностью.
В известный уровень техники входит также чувствительный элемент мембранного типа, содержащий подложку из монокристаллического кремния с базовой ориентацией (100), мембрану, изготовленную из нитрида кремния и расположенную над отверстием, выполненным в подложке для образования мембранной камеры, и оптический узел съема информативного сигнала, в качестве которого установлен интерферометр, регистрирующий величину прогиба мембраны под действием приложенного давления (D.Maier-Schneider, J.Maibach, E., Obermeier. Computer-aided characterization of the elastic properties of thin films // Journal of Micromechanics and Microengineering, Vol.2, 1992, p.173-175).
Хотя чувствительность такого изделия выше, чем при использовании монокристаллической кремниевой мембраны, тем не менее, она остается низкой.
Наиболее близким к заявляемому является чувствительный элемент мембранного типа, содержащий подложку из монокристаллического кремния с базовой ориентацией (100), двухслойную мембрану, первый слой которой сформирован из нитрида кремния, а второй (компенсирующий) слой - из карбида кремния. Мембрана расположена над отверстием, выполненным в подложке для образования подмембранной камеры. Целевое изделие оснащено тензометрическим или оптическим узлом съема информативного сигнала для подключения к внешней электрической цепи. Компенсирующий SiC-слой мембраны уменьшает ее начальное внутреннее напряжение, что имеет следствием повышение чувствительности целевого изделия. Данный эффект наблюдается в диапазоне толщин SiC- и Si3N4-пленок, обеспечивающих функционирование нанесенной композиции SiC/Si3N4 как мембраны. При этом последовательность расположения слоев мембраны и направление приложенного давления могут быть любыми (RU 2247443, H01L 29/84, 2005).
Однако прототипное изделие не обладает универсальностью применения, поскольку является пассивным, в связи с чем оно не может использоваться для преобразования внешнего электрического сигнала в перемещение, например, в микроактюаторах и особенно в комбинированных технических системах, в которых мембрана попеременно выполняет измерительную и исполнительную функцию.
Решаемой технической задачей устройства является обеспечение универсальности применения целевого изделия.
Решение указанной технической задачи заключается в том, что в чувствительный элемент мембранного типа, содержащий подложку из монокристаллического кремния с базовой ориентацией (100), двухслойную мембрану, первый слой которой сформирован из нитрида кремния, расположенную над отверстием, выполненным в подложке для образования подмембранной камеры, и узел съема информативного сигнала, вносятся следующие изменения:
1) второй слой мембраны сформирован из нитрида алюминия с преимущественной ориентацией оси текстуры <0001> по нормали к поверхности мембраны;
2) соотношение толщин слоев мембраны выполнено из расчета
где h1 и h2 - толщины слоев нитрида кремния и нитрида алюминия соответственно, мкм;
σ1 и σ2 - встроенные механические напряжения в слоях нитрида кремния и нитрида алюминия соответственно, ГПа.
Встроенными механическими напряжениями являются остаточные тепловые и структурные напряжения в слоях сформированной мембраны целевого изделия. Их значение может быть определено, например, методом рентгеновской дифракции (Бокий Г.Б., Порай-Кошиц М.А. Практический курс рентгеноструктурного анализа. Т.1. Изд. МГУ, 1951, 327 с.; Т.2, 1960, 282 с.; В.М.Виноградов. Остаточные напряжения в деталях из пластических масс // Пластические массы, 1975, №4, с.20-31). Возможно также определение σ1 и σ2 согласно описанию прототипа.
Принцип действия предлагаемого устройства основан на впервые установленном авторами явлении компенсации встроенных механических напряжений в системе Si3N4/AlN при соотношении толщин слоев Si3N4 и AlN, указанном в формуле (1).
Техническим результатом, производным от достигнутого, является универсальность использования целевого изделия, поскольку предложенный новый материал компенсирующего слоя - AlN - обладает пьезоэлектрическими свойствами, что дает возможность возбуждения колебаний мембраны от внешнего источника напряжения. При этом признак ориентации оси текстуры <0001> нитрида алюминия по нормали к поверхности мембраны важен для обеспечения работы целевого изделия в области оптимальных значений коэффициента преобразования электрического напряжения в деформацию или наоборот. В частности, при разориентации осей кристаллитов текстуры AlN от нормали более чем на 10° наблюдается значительное снижение пьезоотклика, вплоть до полной потери чувствительности.
Для подключения внешней электрической цепи на свободных поверхностях слоев нитрида алюминия и нитрида кремния могут быть сформированы металлические электроды. При необходимости использования целевого изделия в качестве пьезоэлектрических исполнительного механизма и/или чувствительного элемента электроды выполнены с образованием обкладок плоского конденсатора. В вариантах целевого изделия, предназначенных для определения механических воздействий, целесообразным является выполнение узла съема информативного сигнала на базе интерферометра Фабри-Перро, как это имеет место в прототипе.
На фиг.1 приведена схема варианта предлагаемого целевого изделия; на фиг.2 приведены схемы промежуточных продуктов, полученных по окончании основных стадий изготовления целевого изделия; в табл.1-4 приведены основные технические характеристики целевых изделий к примерам 1-3.
Чувствительный элемент мембранного типа (фиг.1) содержит подложку 1 из монокристаллического кремния с базовой ориентацией (100), двухслойную мембрану, включающую слой 2, сформированный из нитрида кремния, и компенсирующий слой 3 - из нитрида алюминия с преимущественной ориентацией оси текстуры <0001> по нормали к поверхности мембраны. Мембрана расположена над отверстием 4, выполненным в подложке для образования подмембранной камеры. В данном варианте узел съема информативного сигнала (подачи управляющего напряжения) представляет собой электродную систему, в которой верхний электрод 5 и нижний электрод 6 выполнены из никеля на свободных поверхностях слоев 3 и 2 соответственно с образованием обкладок плоского конденсатора. Соотношение толщин слоев 2 и 3 мембраны выполнено в соответствии с формулой (1).
При техническом осуществлении устройства значение толщины h1 слоя Si3N4 может быть выбрано как в прототипе, а именно в диапазоне от 0,1 до 0,4 мкм. Толщина же h2 компенсирующего слоя в заявленном устройстве, устанавливаемая согласно формуле (1), существенно превышает таковую конструкции прототипа (примерно в 3÷5 раз).
При использовании варианта устройства фиг.1 в качестве чувствительного элемента электроды 5 и 6 подключают к внешней электрической измерительной цепи. Механическое воздействие на мембрану приводит к деформации пьезоэлектрического слоя 3, что вызывает изменение тока во внешней измерительной цепи, пропорциональное величине прогиба мембраны.
В режиме исполнительного механизма управляющее напряжение, поданное на электроды 5 и 6, вызывает деформацию пьезоэлектрического слоя, которая используется для перемещения мембраны.
Прототипом способа изготовления предлагаемого чувствительного элемента является патент RU 2247443, H01L 29/84, 2005, как ближайший аналог в отношении получаемого целевого изделия. Известный способ предусматривает выращивание пленки нитрида кремния толщиной 0,1÷0,4 мкм на поверхности подложки из монокристаллического кремния с базовой ориентацией (100) пиролизом силана в атмосфере аммиака с использованием подслоя SiO2, нанесение компенсирующей пленки SiC с помощью магнетронного распыления монокристаллической мишени из SiC и формирование подмембранной камеры со стороны нерабочей поверхности подложки жидкостным анизотропным травлением участка материала подложки (с подслоем SiO2) до слоя Si3N4, и последующее формирование узла подключения целевого изделия к внешней электрической цепи.
Однако прототипный способ не позволяет получить целевое изделие с компенсирующим слоем мембраны, выполненным из нитрида алюминия. Дело в том, что при анизотропном травлении кремниевой подложки с нанесенными на нее слоями Si3N4 и AlN для формирования подмембранного объема общеупотребительными способами, включая прототипный, будет происходить одновременное травление слоя AlN. Кроме того, попытка формирования одного из металлических электродов между слоями мембраны приводит к ухудшению структуры наносимого далее слоя AlN.
Технической задачей способа является обеспечение возможности формирования мембраны Si3N4/AlN с сохранением целостности слоя нитрида алюминия, а также структуры последнего в варианте электродного исполнения.
Для решения указанной технической задачи в способ изготовления чувствительного элемента мембранного типа путем нанесения на поверхность подложки из монокристаллического кремния с базовой ориентацией (100) слоя нитрида кремния пиролизом силансодержащего вещества в атмосфере аммиака с использованием подслоя SiO2, а затем - компенсирующего слоя с помощью магнетронного распыления с последующим формированием подмембранной камеры с тыльной стороны подложки, предусматривающим жидкостное анизотропное травление участка материала подложки, и узла подключения целевого изделия к внешней электрической цепи вносятся следующие изменения:
1) слой нитрида кремния дополнительно выращивают на тыльной стороне подложки;
2) при формировании подмембранной камеры жидкостное анизотропное травление участка материала подложки производят с использованием слоя нитрида кремния на тыльной стороне подложки в качестве маскирующего покрытия;
3) операцию жидкостного анизотропного травления осуществляют на первой стадии формирования подмембранной камеры из расчета образования глухого отверстия в подложке по месту подмембранной камеры для предотвращения разрушения нанесенного слоя нитрида кремния при последующих операциях;
4) далее на поверхность слоя нитрида кремния наносят компенсирующий слой нитрида алюминия толщиной согласно формуле (1) магнетронным распылением алюминиевой мишени в режиме высокочастотного разряда в аргонно-азотной атмосфере;
5) затем производят вторую стадию формирования подмембранной камеры жидкостным изотропным травлением дна образовавшегося глухого отверстия в подложке до слоя нитрида кремния.
Указанные технологические операции и их последовательность обеспечивают возможность получения целевого изделия с сохранением целостности слоя нитрида алюминия, а также структуры последнего в варианте электродного исполнения.
При техническом осуществлении способа значения встроенных механических напряжений, необходимые для установления соотношения толщин слоев Si3N4 и AlN, могут быть определены экспериментально или рассчитаны по кривым зависимости прогиба соответствующих мембран от прикладываемого давления по формуле
где σ - встроенные механические напряжения, Па;
ΔР - шаг изменения давления при испытании мембраны, Па;
а - диаметр или длина стороны мембраны, мкм;
h - толщина мембраны, мкм;
Δw - изменение прогиба центра мембраны, вызванное изменением давления на ΔP, мкм.
При проведении операции пиролиза в качестве силансодержащего вещества наиболее целесообразно использовать дихлорсилан, что обеспечивает повышение прочности мембраны.
Для использования пьезоэлектрических свойств слоя AlN узел подключения к внешней электрической цепи формируют металлизацией внешних поверхностей слоев нитрида кремния и нитрида алюминия мембраны.
Предлагаемые технические решения и существенность их конструктивных параметров и технологических режимов изготовления иллюстрируются следующими примерами.
ПРИМЕР 1. На лицевую и тыльную поверхности подложки 1 из монокристаллического кремния с базовой ориентацией (100) диаметром 76 мм и толщиной 380 мкм наносят слои нитрида кремния (поз.2 и 7 фиг.2а соответственно) пиролизом силана в атмосфере аммиака при температуре 890°С с использованием подслоя 8 из SiO2. В данном примере изготавливают образцы целевых изделий с толщиной слоя Si3H4 h1=0,1÷0,6 мкм. Регулирование толщины данного слоя осуществляют изменением длительности процесса осаждения. В слоях 7 и 8 с помощью установки реактивного ионно-плазменного травления формируют маску для выполняемой далее операции жидкостного анизотропного травления кремния из расчета получения мембраны размером 1,5×1,5 мм. Последнюю операцию проводят с помощью 33 мас.% раствора КОН при 85°С из расчета образования глухого отверстия 4 в подложке по месту подмембранной камеры. Оставленная при этом временно перемычка 9 на дне глухого отверстия 4 в подложке 1 предотвращает разрушение мембраны на последующих этапах технологического процесса (фиг.2б).
Затем формируют компенсирующий слой 3 из нитрида алюминия на поверхности нитрида кремния (фиг.2в) магнетронным распылением алюминиевой мишени в режиме высокочастотного разряда (частота - 13,56 МГц, напряжение смещения на мишени - 330 В) в аргонно-азотной атмосфере при соотношении Ar:N2=1:1, суммарном давлении 3·10-3 мм рт.ст. и температуре подложки 520°С. Длительность распыления мишени устанавливают из расчета получения толщины h2 слоя нитрида алюминия в соответствии с формулой (1). В данном примере значения встроенных напряжений составляют: σ1=0,9 ГПа; σ2=0,33 ГПа. Поэтому, в частности, для образца, где h1=0,4 мкм, номинальное значение толщины наносимого слоя AlN согласно формуле (1) равно:
.
Далее производят жидкостное изотропное травление перемычки 9 образовавшегося глухого отверстия в подложке 1 до слоя 2 нитрида кремния с помощью травителя HNA, содержащего плавиковую, азотную и уксусную кислоты. Операцию проводят при комнатной температуре. При этом происходит удаление кремниевой перемычки 9 до подслоя SiO2, выполняющего стоп-функцию. После этого подслой SiO2 по месту подмембранной камеры удаляют с помощью буферного ВОЕ-травителя (фиг.2в).
В данном примере целевые изделия оснащают узлом съема информационного сигнала, выполненным на базе волоконно-оптического интерферометра Фабри-Перро, выход которого связан с внешней электрической цепью.
Результаты испытания полученных изделий при различных значениях конструктивных и технологических параметров приведены в табл.1. Для удобства сравнения с формулой (1) значения толщины h1 слоя AlN даны в относительных единицах, где коэффициент 0,83 при выражении h1σ1/σ2 соответствует верхнему предельному значению 1,2 коэффициента пропорциональности в формуле (1), а коэффициент 1,25 табл.1 соответствует нижнему пределу (0,8) указанной формулы.
Как видно из таблицы, максимальное значение чувствительности целевого изделия лежит в пределах от 1,0 до 2,2 нм/Па при номинальном значении коэффициента пропорциональности в формуле (1), равном 1,0. При этом с уменьшением толщины слоя Si3N4 от 0,5 до 0,2 мкм чувствительность целевого изделия увеличивается в приведенных пределах. В то же время предельное давление до разрыва мембраны увеличивается с увеличением толщины ее слоев, составляя от 20 до 50 кПа и более. При отклонении оси текстуры <0001> от нормали к поверхности мембраны на 5° наблюдается уменьшение чувствительности целевого изделия не более чем на 20%. При запредельных значениях толщины компенсирующего слоя мембраны чувствительность резко падает из-за недокомпенсации или перекомпенсации встроенных механических напряжений в слое нитрида кремния.
ПРИМЕР 2. Целевые изделия изготавливают, как в примере 1. При этом слои нитрида кремния наносят пиролизом дихлорсилана при температуре 790°С.
Результаты испытаний целевых изделий приведены в табл.2.
Как видно из таблицы, чувствительность целевых изделий, полученных по данному варианту технологии, возросла на порядок. Максимальное значение чувствительности наблюдается при номинальном значении коэффициента пропорциональности в формуле (1) и составляет 20 нм/Па. При этом давление разрыва превышает 80 кПа.
ПРИМЕР 3. Внешние поверхности слоев нитрида кремния и нитрида алюминия чувствительных элементов, изготовленных согласно примеру 1, металлизируют нанесением 0,2 мкм слоя никеля на установке магнетронного распыления при постоянном токе 0,5 А в атмосфере аргона при давлении 10-3 мм рт.ст. в течение 200 с. Сформированные таким образом обкладки конденсатора (слои 5 и 6 фиг.1) подключают к внешней электрической цепи, содержащей коммутируемые источник постоянного или переменного напряжения, или схему измерения напряжения. Для проведения испытаний изделия дополнительно оснащают узлом определения перемещения центра мембраны, выполненным на основе волоконно-оптического интерферометра Фабри-Перро.
Результаты испытания целевых изделий в режиме датчика давления приведены в табл.3. Как видно из таблицы, при номинальном значении коэффициента пропорциональности в формуле (1), равном 1,0, значение чувствительности целевого изделия максимально. С уменьшением толщины слоя Si3H4 от 0,5 до 0,2 мкм максимальная чувствительность целевого изделия с оптимальной ориентацией текстуры слоя AlN увеличивается от 1 до 5 нм/Па соответственно. Линейность выходной характеристики датчиков лежит в пределах давлений от 0 до 5500 Па. При нарушении ориентации текстуры слоя AlN чувствительность изделия не превышает 0,8 нм/Па. При запредельных значениях толщины компенсирующего слоя мембраны чувствительность также резко падает из-за недокомпенсации или перекомпенсации встроенных механических напряжений в слое нитрида кремния.
Результаты испытания целевых изделий в режиме микроактюатора при подключении источника постоянного напряжения приведены в табл.4. Как видно из таблицы, максимальное значение коэффициента преобразования изменения напряжения в прогиб мембраны наблюдается при номинальном значении коэффициента пропорциональности в формуле (1) и составляет от 6,9 до 8,4 нм/В при преимущественной ориентации оси текстуры <0001> слоя AlN по нормали к поверхности мембраны и толщине h1 слоя Si3H4 0,5 и 0,2 мкм соответственно. При существенном отклонении преимущественной ориентации оси текстуры от нормали значение коэффициента преобразования резко снижается (до 1,1÷1,4 нм/В). Изменение полярности источника питания дает практически симметричную характеристику значений прогиба мембраны от приложенного напряжения (фиг.3).
При подключении данного варианта целевого изделия к источнику переменного напряжения 27 В наблюдаются колебания мембраны с амплитудой 0,2 мкм в диапазоне частот задающего генератора от 20 Гц до 200 кГц, что позволяет использовать целевое изделие в составе аудиотехники.
Как пояснено приведенными примерами, в результате использования предлагаемых технических решений достигаются следующие виды положительного эффекта:
1) расширение диапазона используемых средств, а именно нового материала (AlN) в качестве компенсирующего слоя мембраны чувствительного элемента;
2) повышение чувствительности целевого изделия в варианте с формированием слоя Si3N4 мембраны пиролизом дихлорсилана;
3) обеспечение пьезоэлектрического принципа действия мембраны;
4) универсальность применения целевого изделия в отношении возможности преобразования механического воздействия на мембрану в электрический выходной сигнал или обратного преобразования, что открывает перспективу его использования в комбинированных системах не только в качестве чувствительного элемента, но и исполнительного механизма.
0,83h1σ1/σ2
h1σ1/σ2
1,25h1σ1/σ2
1,4h1σ1/σ2
1,9
2,2
2,0
0,2
24
26
29
30
h1σ1/σ2
1,25h1σ1/σ2
1,2
1,0
h1σ1/σ2
1,25h1σ1/σ2
1,0
0,6
0,83h1σ1/σ2
h1σ1/σ2
1,25h1σ1/σ2
1,4h1σ1/σ2
0,9
1,0
0,8
0,1
0,83h1σ1/σ2
h1σ1/σ2
1,25h1σ1/σ2
1,4h1σ1/σ2
17
20
16
9
h1σ1/σ2
1,25h1σ1/σ2
12
9
0,83h1σ1/σ2
h1σ1/σ2
1,25h1σ1/σ2
1,4h1σ1/σ2
1,3
5,0
3,4
0,2
h1σ1/σ2
1,25h1σ1/σ2
1,3
0,9
h1σ1/σ2
1,25h1σ1/σ2
1,0
0,8
h1σ1/σ2
1,25h1σ1/σ2
0,9
0,5
0,83h1σ1/σ2
h1σ1/σ2
1,25h1σ1/σ2
1,4h1σ1/σ2
7,2÷7,4
8,0÷8,4
7,2÷7,8
6,2÷6,5
h1σ1/σ2
1,25h1σ1/σ2
7,7÷7,9
6,6÷6,9
h1σ1/σ2
1,25h1σ1/σ2
6,9÷7,5
5,8÷6,2
0,83h1σ1/σ2
h1σ1/σ2
1,25h1σ1/σ2
1,4h1σ1/σ2
6,2÷6,3
7,4÷7,7
6,4÷6,6
5,0÷5,4
| название | год | авторы | номер документа |
|---|---|---|---|
| ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СЭНДВИЧ-СТРУКТУРА 3С-SiC/Si, СПОСОБ ЕЕ ПОЛУЧЕНИЯ И ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ МЕМБРАННОГО ТИПА С ЕЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ | 2008 |
|
RU2395867C2 |
| ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ МЕМБРАННОГО ТИПА | 2003 |
|
RU2247443C1 |
| Способ формирования объемных элементов в кремнии для устройств микросистемной техники и производственная линия для осуществления способа | 2022 |
|
RU2794560C1 |
| ОПТИЧЕСКИЙ МИКРОФОН И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЕГО ЗВУКОЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ МЕМБРАНЫ | 2008 |
|
RU2365064C1 |
| ПЬЕЗОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ДАВЛЕНИЯ | 1993 |
|
RU2066856C1 |
| ПЕРФОРИРОВАННАЯ МЕМБРАНА ДЛЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА МИКРОМЕХАНИЧЕСКОГО ПРИБОРА | 2003 |
|
RU2265913C2 |
| Чувствительный элемент преобразователя магнитного поля | 2018 |
|
RU2694788C1 |
| ТЕПЛОВОЙ МИКРОМЕХАНИЧЕСКИЙ АКТЮАТОР И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2010 |
|
RU2448896C2 |
| Гетероэпитаксиальная структура с алмазным теплоотводом для полупроводниковых приборов и способ ее изготовления | 2020 |
|
RU2802796C1 |
| СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЙ ДИОД С НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫМ СЛОЕМ И СПОСОБЫ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ПРИМЕНЕНИЯ | 2011 |
|
RU2569638C2 |
Изобретение предназначено для использования в конструкции и технологии производства широкого класса микроэлектронных приборов. Чувствительный элемент (ЧЭ) содержит подложку из монокристаллического кремния, двухслойную мембрану, включающую слой Si3N4 и компенсирующий слой из AlN с преимущественной ориентацией оси текстуры <0001> по нормали к поверхности мембраны и расположенную над отверстием, выполненным в подложке для образования подмембранной камеры (ПМК), и узел съема информативного сигнала. Соотношение толщин слоев Si3N4 и AlN обратно пропорционально встроенным в них механическим напряжениям. ЧЭ изготавливают путем нанесения на поверхность подложки слоя нитрида кремния пиролизом силансодержащего вещества, преимущественно дихлорсилана, в атмосфере аммиака с использованием подслоя SiO2, а затем - компенсирующего слоя с помощью высокочастотного магнетронного распыления с последующим формированием ПМК с тыльной стороны подложки в две стадии - сначала жидкостным анизотропным травлением участка материала подложки по месту ПМК, а после нанесения компенсирующего слоя проводят вторую стадию формирования ПМК с помощью жидкостного изотропного травления дна образовавшегося глухого отверстия в подложке до слоя нитрида кремния. Изобретение обеспечивает расширение арсенала используемых материалов компенсирующего слоя и функциональных возможностей целевого изделия, а именно использования его в качестве микроактюатора. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 3 ил., 4 табл.
где h1 и h2 - толщины слоев нитрида кремния и нитрида алюминия соответственно, мкм;
σ1 и σ2 - встроенные механические напряжения в слоях нитрида кремния и нитрида алюминия соответственно, ГПа.
где h1 и h2 - толщины слоев нитрида кремния и нитрида алюминия соответственно, мкм;
σ1 и σ2 - встроенные механические напряжения в слоях нитрида кремния и нитрида алюминия соответственно, ГПа,
магнетронным распылением алюминиевой мишени в режиме высокочастотного разряда в аргонно-азотной атмосфере, далее производят жидкостное изотропное травление дна образовавшегося глухого отверстия в подложке до слоя нитрида кремния.
| ЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ЭЛЕМЕНТ МЕМБРАННОГО ТИПА | 2003 |
|
RU2247443C1 |
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2005 |
|
RU2284613C1 |
| ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ | 2004 |
|
RU2278447C2 |
| ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ | 1993 |
|
RU2035089C1 |
| DE 19824401 A1, 02.12.1999. | |||
