СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА Российский патент 2006 года по МПК C03C10/02 

Описание патента на изобретение RU2278833C1

Изобретение относится к области изготовления пироэлектрических материалов, широко используемых в современной технике (устройства дистанционного теплового контроля производственных процессов, тепловой мониторинг окружающей среды, электронный контроль режима работы двигателей внутреннего сгорания, устройства пожарной сигнализации и т.п.), в частности, к способу получения стеклокристаллического пироэлектрического материала.

Известен способ получения монокристаллического пироэлектрического материала, содержащий оксид сурьмы, оксид ниобия и оксид никеля (патент РФ №2079582, кл. С 30 В 29/22, 1997.05.20). Недостатком этого способа является менее технологичное и в то же время дорогостоящее по сравнению со стеклокерамикой получение монокристаллического материала.

Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является способ получения стеклокристаллического материала на основе Pb5Ge3O11 [О.Ю.Малеванная, В.В.Михневич, С.Р.Сырцов, В.Н.Шут. Влияние микроструктуры на электрофизические характеристики Pb5Ge3O11, полученного по стеклокерамической технологии, ФТТ, 1990, Т.32, №2, С.422, В.В.Михневич, В.Н.Шут, С.Р.Сырцов. Получение и исследование стеклокерамики германата свинца с ориентированными поверхностными слоями, ФТТ, 1991, Т.33, №3, С.802]. Стекла, имеющие молярный состав 5PbO·3GeO2, были приготовлены из материалов PbO и GeO2 марки о. с. ч. (особо чистый). Тщательно смешанную и отожженную шихту плавили в платиновом тигле и выдерживали в расплавленном состоянии в течение нескольких часов с последующей закалкой расплава прессованием между двумя медными пластинами. С целью гомогенизации стекла перемалывали, нагревали выше температуры плавления и закаливали повторно. В результате получали пластины толщиной 0,5-1 мм и площадью до 300 мм2, которые подвергали изотермической обработке при температурах выше 490°С в течении 6 ч. Перед кристаллизацией поверхности стекол полировались. Кристаллизацию осуществляли в изотермических условиях с точностью поддержания температуры ±3°С. В результате получали образцы со следующими характеристиками: диэлектрическая проницаемость ε≈40, коэффициент пироэлектричества γ=4-6 нКл/см2 К. Соотношение γ/ε (пироэлектрическая добротность), являющееся одним из основных показателей качества пироэлектрика, для стеклокристаллического материала на основе Pb5Ge3О5 составило 0,10-0,15 нКл/см2K. Недостатком прототипа является низкая пироэлектрическая добротность γ/ε.

Задачей изобретения является получение стеклокристаллического пироэлектрического материала с улучшенным соотношением γ/ε.

Поставленная задача решается способом получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, включающим расплавление в платиновом тигле шихты, содержащей GeO2, прессование расплава, обеспечивающее получение стеклянных пластин, и кристаллизацию стеклянных пластин, имеющих состав (в мол.%) (23-27) La2O3, (23-27) В2О3, (48-52) GeO2. При этом кристаллизацию стеклянных пластин проводят при 920-980°С в поле температурного градиента 50-100°С/мм в течение 2-8 часов.

Способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала осуществляли по следующей схеме. Шихту составляли с использованием реактивов La2O3, Н3ВО3, GeO2 марки о.с.ч. в соотношениях, обеспечивающих получение стекол составов (в мол.%): (23-27) La2O3, (23-27) В2О3, (48-52) GeO2, и тщательно перемешивали. Варку стекол указанных составов производили при температуре 1300°С в течение 30 мин в электропечи на воздухе в платиновых тиглях. Нагрев до 1300°С вели со скоростью 10 °С/мин. Стекла отливали на металлическую плиту и прессовали другой металлической плитой до толщины 0,8-2 мм. Полученные пластины разрезали до образцов площадью ˜1 см2 и полировали с двух сторон. Полированные стеклянные пластины помещали в градиентную печь, представляющую собой горизонтально расположенные нагреватели из карбида кремния, на которых размещались корундовые подложки, на которые и помещали образцы стекол. Температура выдержки пластин в печи изменялась от 920°С до 980°С при длительности от 2 до 8 часов в зависимости от температуры. Градиент температур создавался за счет направленного сверху на поверхность образцов потока воздуха и создавал разницу температур (по сравнению с температурой корундовой подложки) от 0 до 200°С. Закристаллизованные образцы подвергали поляризации в постоянном электрическом поле напряженностью 4 кВ/мм при температурах от 450°С до комнатной в режиме охлаждения в течение 2-4 ч. Полученные образцы характеризуются следующими показателями: γ=3,5-4,5 нКл/см2К, ε=10-11. Соответственно соотношение γ/ε составило ˜ 0,35 нКл/см2К.

Пример 1. Стекло состава (мол.%): 25La2O3-25В2О3 50GeO2, сваренное в платиновом тигле при 1300°С в течение 30 мин на воздухе в электропечи, кристаллизуют при 950°С в градиентной печи при градиенте температуры 80°С/мм в течение 4 часов. При этом стекло кристаллизуется с образованием текстуры, растущей со стороны «горячей» поверхности образца и состоящей из нитевидных кристаллов стилвеллитоподобного LaBGeO5, сочетающего высокий коэффициент пироэлектричества с низкими значениями диэлектрической проницаемости и диэлектрических потерь при высоком электрическом сопротивлении при повышенных температурах (3·1012 Ом·см при 350°С). Коэффициент пироэлектричества полученной стеклокерамики составляет 4.5 нКл/см2·К, а отношение γ/ε равно 0.45.

Все остальные примеры сведены в таблицу примеров.

При отклонении от технологических параметров, описанных в формуле изобретения, полученный материал либо вообще не обладал пироэлектрическими свойствами, либо они были слабо выражены. Например, отклонение состава за указанные в формуле изобретения допуски приводит либо к повышенному содержанию остаточной стеклофазы в закристаллизованном продукте (пример 3), либо продуктом кристаллизации является фаза, не обладающая пироэлектрической активностью (примеры 5, 7, 8).

При температурах ниже 920°С закристаллизованные стекла содержат высокое содержание стеклофазы, что подавляет пироэлектрический эффект (пример 9), а кристаллизация при температурах выше 980°С сопровождается излишне быстрым ростом кристаллов и формированием грубой микроструктуры, не позволяющей осуществлять поляризацию образца из-за его пробоя (пример 12).

При градиенте температур по толщине образца менее 50°С/мм наблюдается поверхностная кристаллизация, развивающаяся с обеих поверхностей пластины, что приводит к разрыву сплошности текстуры в объеме образца и к деградации пироэлектрических свойств (пример 13). Слишком большой градиент температур (свыше 100°С/мм) приводит к тому, что фронт кристаллизации, распространяющийся с высокотемпературной поверхности образца, останавливается, не достигнув противоположной поверхности. В этом случае пироэлектрический эффект в образце не наблюдался (пример 16).

Малое время выдержки (менее 2 ч) при температуре кристаллизации снижает количество кристаллической фазы и, соответственно, коэффициент пироэлектричества (пример 17). Напротив, выдержка образца более 8 ч приводит к рекристаллизации и ухудшению качества текстуры, что приводит к заметному снижению γ (пример 20).

Таблица примеров№при мераСостав, мол.%Ткр-ции,°СГрадиент,°С/ммВыдержка, чγ, нКл/см2·КПримечания125Lа2O3-25В2O3-50GеO29508044,5223Lа2O3-27В2O3-50GеO29508043,9321Lа2O3-29В2O3-50GеO29508040,6Повышенное количество остаточной стеклофазы427Lа2O3-23В2O3-50GеO29508043,8529Lа2O3-21В2O3-50GеO29508040Кристаллизуется непироэлектрическая фаза624Lа2O3-25В2O3-50GеO29508044,4722Lа2O3-25В2O3-50GеO29508040Кристаллизуется непироэлектрическая фаза825Lа2O3-22В2O3-50GеO295010040Кристаллизуется непироэлектрическая фаза925Lа2O3-25В2O3-50GеO290010040,5Повышенное количество остаточной стеклофазы1025Lа2O3-25В2O3-50GеO292010043,81125Lа2O3-25В2O3-50GеO298010043,61225Lа2O3-25В2O3-50GеO2100010040Грубая текстура, пробой образцов при поляризации1325Lа2O3-25В2O3-50GеO29502040Расслоение текстуры1425Lа2O3-25В2O3-50GеO29505043,21525Lа2O3-25В2O3-50GеO29508054,01625Lа2O3-25В2O3-50GеO295015060Остеклованность «холодной» поверхности образца1725Lа2O3-25В2O3-50GеO295010010,1Повышенное количество остаточной стеклофазы1825Lа2O3-25В2O3-50GеO295010023,11925Lа2O3-25В2O3-50GеO295010084,32025Lа2O3-25В2O3-50GеO2950100100,9Рекристаллизация, грубая текстура

Похожие патенты RU2278833C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА 2009
  • Сигаев Владимир Николаевич
  • Орлова Елена Валерьевна
  • Стефанович Сергей Юрьевич
  • Мосунов Александр Викторович
  • Кругликов Валерий Сергеевич
RU2399594C1
СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ 2010
  • Саркисов Павел Джебраилович
  • Сигаев Владимир Николаевич
  • Стефанович Сергей Юрьевич
  • Лопатина Елена Владимировна
  • Орлова Елена Валерьевна
RU2439004C2
ЛЮМИНЕСЦИРУЮЩАЯ СТЕКЛОКЕРАМИКА 2017
  • Игнатьева Елена Сергеевна
  • Голубев Никита Владиславович
  • Лоренци Роберто
  • Палеари Альберто
  • Сигаев Владимир Николаевич
RU2674667C1
СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ 2012
  • Голубев Никита Владиславович
  • Игнатьева Елена Сергеевна
  • Савинков Виталий Иванович
  • Сигаев Владимир Николаевич
  • Саркисов Павел Джибраелович
RU2494981C1
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ВОЛОКОННО-ТЕКСТУРИРОВАННОЙ СТЕКЛОКЕРАМИКИ 2009
  • Стефанович Сергей Юрьевич
  • Сигаев Владимир Николаевич
  • Окада Акира
RU2422390C1
ОПТИЧЕСКОЕ СТЕКЛО 2017
  • Алексеев Роман Олегович
  • Савинков Виталий Иванович
  • Сигаев Владимир Николаевич
  • Шахгильдян Георгий Юрьевич
RU2672367C1
ЛЮМИНЕСЦИРУЮЩИЙ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ 2015
  • Голубев Никита Владиславович
  • Игнатьева Елена Сергеевна
  • Сигаев Владимир Николаевич
  • Лоренци Роберто
  • Палеари Альберто
RU2604614C1
ЛЮМИНЕСЦИРУЮЩИЙ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ 2020
  • Сигаев Владимир Николаевич
  • Наумов Андрей Сергеевич
  • Савинков Виталий Иванович
  • Лотарев Сергей Викторович
RU2756886C1
МАГНИТООПТИЧЕСКОЕ СТЕКЛО 2010
  • Саркисов Павел Джибраелович
  • Сигаев Владимир Николаевич
  • Голубев Никита Владиславович
  • Савинков Виталий Иванович
RU2452698C2
ОПТИЧЕСКОЕ СТЕКЛО 2021
  • Романов Николай Александрович
  • Алексеев Роман Олегович
  • Савинков Виталий Иванович
  • Сигаев Владимир Николаевич
RU2781350C1

Реферат патента 2006 года СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТЕКЛОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО ПИРОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА

Изобретение относится к области изготовления пироэлектрических материалов, широко используемых в современной технике (устройства дистанционного теплового контроля производственных процессов, тепловой мониторинг окружающей среды, электронный контроль режима работы двигателей внутреннего сгорания, устройства пожарной сигнализации и т.п.). Способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала включает расплавление шихты следующего состава (мол.%): (23-27) La2О3, (23-27) В2О3, (48-52) GeO2, в платиновом тигле, прессование расплава, обеспечивающее получение стеклянных пластин, и кристаллизацию стеклянных пластин. Кристаллизацию стеклянных пластин проводят при температурах 920-980°С в поле температурного градиента 50-100°С/мм в течение 2-8 часов. Полученные образцы стеклокристаллического материала характеризуются следующими показателями: γ=3,5-4,5 нКл/см2K, ε=10-11. Соотношение γ/ε составило ˜ 0,35 нКл/см2K. 1 табл.

Формула изобретения RU 2 278 833 C1

Способ получения стеклокристаллического пироэлектрического материала, включающий расплавление шихты, содержащей GeO2, в платиновом тигле, прессование расплава, обеспечивающее получение стеклянных пластин, и кристаллизацию стеклянных пластин, отличающийся тем, что стеклянные пластины имеют состав, мол.%: La2O3 - 23-27, В2О3 - 23-27, GeO2 - 48-52, а кристаллизацию стеклянных пластин проводят при температурах 920-980°С в поле температурного градиента 50-100°С/мм в течение 2-8 ч.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2006 года RU2278833C1

МАЛЕВАННАЯ О.Ю
и др., Влияние микроструктуры на электрофизические характеристики PbGeO, полученного по стеклокерамической технологии, Физика твердого тела, 1990, том 32, № 2, с
Стрелочный контрольный замок 1924
  • Федотов В.А.
SU422A1

RU 2 278 833 C1

Авторы

Сигаев Владимир Николаевич

Захаркин Дмитрий Александрович

Стефанович Сергей Юрьевич

Сегалла Андрей Генрихович

Сахаров Вячеслав Васильевич

Басков Петр Борисович

Косов Виталий Александрович

Даты

2006-06-27Публикация

2004-11-10Подача