Изобретение относится к стеклянным подложкам большого диаметра, пригодным для формирования подложек фотошаблонов стороны матрицы и стороны цветного фильтра в жидкокристаллических панелях на тонкопленочных транзисторах. Сущность изобретения: стеклянную подложку большого размера, из которой образуют подложку фотошаблона, получают путем удаления с нее выравнивающего удаляемого количества материала на основе высотных данных заготовки подложки в вертикальном положении, с добавлением корректирующего деформацию удаляемого количества, которое вычисляют на основании прогиба заготовки подложки под действием ее собственной массы в горизонтальном положении, деформации подложки фотошаблона, вызываемой зажиманием в экспонирующей установке, и точного искривления опорной плиты для поддержания материнского стекла. Предложен также способ изготовления стеклянной подложки большого размера, считываемая компьютером среда записи для записи способа получения стеклянной подложки большого размера и способ экспонирования материнского стекла. Изобретение позволяет получить стеклянные подложки большого размера, пригодные для формирования подложек фотошаблонов, которые имеют высокую плоскостность. 4 н. и 12 з.п. ф-лы, 4 ил., 1 табл.
1. Способ получения стеклянной подложки большого размера, из которой формируют подложку фотошаблона, при этом подложку фотошаблона используют в способе экспонирования материнского стекла, включающем в себя закрепление подложки фотошаблона, имеющей противоположные боковые поверхности, в устройстве экспонирования с помощью средства поддержки противоположных боковых кромок, размещение ниже и вблизи подложки фотошаблона материнского стекла, служащего в качестве подложки стороны матрицы или стороны цветного фильтра в жидкокристаллической панели на тонкопленочных транзисторах, и излучение света из устройства экспонирования к материнскому стеклу через подложку фотошаблона, содержащий этап, на котором обрабатывают заготовку стеклянной подложки большого размера, имеющую переднюю и заднюю поверхности и размер по диагонали по меньшей мере 500 мм и толщину по меньшей мере 4 мм, в стеклянную подложку большого размера путем удаления с нее (1) выравнивающего удаляемого количества материала на основе высотных данных плоскостности и параллельности передней и задней поверхностей заготовки стеклянной подложки большого размера в вертикальном положении с добавлением корректирующего деформацию удаляемого количества материала, при этом корректирующее деформацию удаляемое количество материала вычисляют на основании (2) прогиба заготовки подложки под действием ее собственной массы в горизонтальном положении, вычисляемого на основании толщины и размера заготовки подложки и местоположения опор, когда подложка фотошаблона поддерживается горизонтально, (3) деформации подложки фотошаблона, вызываемой средством поддержки подложки фотошаблона, когда подложка фотошаблона закреплена в устройстве экспонирования, и (4) точного искривления опорной плиты для поддержания материнского стекла, в котором получающаяся в результате стеклянная подложка большого размера имеет такую изогнутую форму в поперечном сечении, что поверхность, являющаяся противолежащей по отношению к материнскому стеклу, является вогнутой, когда удерживается вертикально, и уменьшает вариацию микрозазора между материнским стеклом и подложкой фотошаблона, сформированной из стеклянной подложки большого размера, которая удерживается горизонтально, когда противоположные боковые кромки подложки фотошаблона поддерживаются в устройстве экспонирования.2. Способ по п.1, в котором дополнительно после обработки на этапе выравнивания и коррекции деформации выполняют последующий этап, на котором полируют стеклянную подложку на одной или обеих ее поверхностях, при этом корректирующее деформацию удаляемое количество вычисляют путем дальнейшего добавления (5) изменения плоскостности на последующем этапе полирования.3. Способ по п.1 или 2, в котором на этапе удаления используют обрабатывающий инструмент пескоструйной очистки.4. Способ по п.3, в котором этап удаления с использованием обрабатывающего инструмента пескоструйной очистки выполняют при постоянном давлении.5. Способ по п.3, в котором при пескоструйной очистке используют частицы оксида церия, оксида кремния, оксида алюминия или карбида кремния.6. Способ по п.1, в котором обрабатывают поверхность заготовки подложки в произвольном положении, в то время как перемещают заготовку подложки и/или обрабатывающий инструмент.7. Стеклянная подложка большого размера, из которой формируют подложку фотошаблона, при этом подложку фотошаблона используют в способе экспонирования материнского стекла, включающем в себя закрепление подложки фотошаблона, имеющей противоположные боковые поверхности, в устройстве экспонирования с помощью средства поддержки противоположных боковых кромок, размещение ниже и вблизи подложки фотошаблона материнского стекла, служащего в качестве подложки стороны матрицы или стороны цветного фильтра в жидкокристаллической панели на тонкопленочных транзисторах, и излучение света из устройства экспонирования к материнскому стеклу через подложку фотошаблона, указанную стеклянную подложку большого размера получают путем обработки заготовки стеклянной подложки большого размера, имеющей переднюю и заднюю поверхности и размер по диагонали по меньшей мере 500 мм и толщину по меньшей мере 4 мм, при (1) выравнивающем удаляемом количестве материала, основанном на высотных данных плоскостности и параллельности передней и задней поверхностей заготовки стеклянной подложки большого размера в вертикальном положении, с добавлением корректирующего деформацию удаляемого количества материала,
корректирующее деформацию удаляемое количество вычисляют на основании (2) прогиба заготовки подложки под действием ее собственной массы в горизонтальном положении, вычисляемого на основании толщины и размера заготовки подложки и местоположения опор, когда подложка фотошаблона поддерживается горизонтально, (3) деформации подложки фотошаблона, вызываемой средством поддержки подложки фотошаблона, когда подложка фотошаблона закреплена в устройстве экспонирования, и (4) точного искривления опорной плиты для поддержания материнского стекла, при этом стеклянная подложка большого размера имеет такую изогнутую форму в поперечном сечении, что поверхность, являющаяся противолежащей по отношению к материнскому стеклу, является вогнутой, когда удерживается вертикально, и уменьшает вариацию микрозазора между материнским стеклом и подложкой фотошаблона, сформированной из стеклянной подложки большого размера, которая удерживается горизонтально, когда противоположные боковые кромки подложки фотошаблона поддерживаются в устройстве экспонирования.
8. Стеклянная подложка большого размера по п.7, которая имеет отношение плоскостности поверхности к размеру по диагонали до 4,8·10-5 в горизонтальном положении.9. Стеклянная подложка большого размера по п.7 или 8, которая имеет размер по диагонали до 825 мм и толщину от 3 мм до меньше чем 6 мм.10. Стеклянная подложка большого размера по п.7 или 8, которая имеет размер по диагонали от 800 до 1650 мм и толщину от 6 до 11 мм.11. Стеклянная подложка большого размера по п.7 или 8, которая имеет размер по диагонали от 1800 до 2150 мм и толщину от 9 до 16 мм.12. Стеклянная подложка большого размера по п.7 или 8, которая имеет размер по диагонали от 2151 до 3000 мм и толщину от 9 до 20 мм.13. Способ экспонирования материнского стекла, заключающийся в том, что закрепляют подложку фотошаблона, имеющую противоположные боковые поверхности, в устройстве экспонирования путем поддержания противоположных боковых кромок, размещают ниже и вблизи подложки фотошаблона материнское стекло, служащее в качестве подложки стороны матрицы или стороны цветного фильтра в жидкокристаллической панели на тонкопленочных транзисторах, и излучают свет из устройства экспонирования к материнскому стеклу через подложку фотошаблона, в котором указанную подложку фотошаблона формируют из стеклянной подложки большого размера, которую получают путем обработки заготовки стеклянной подложки большого размера, имеющей переднюю и заднюю поверхности и размер по диагонали по меньшей мере 500 мм и толщину по меньшей мере 4 мм, при (1) выравнивающем удаляемом количестве материала, основанном на высотных данных плоскостности и параллельности передней и задней поверхностей заготовки стеклянной подложки большого размера в вертикальном положении, с добавлением корректирующего деформацию удаляемого количества материала, корректирующее деформацию удаляемое количество материала вычисляют на основании (2) прогиба заготовки подложки под действием ее собственной массы в горизонтальном положении, вычисляемого на основании толщины и размера заготовки подложки и местоположения опор, когда подложка фотошаблона поддерживается горизонтально, (3) деформации подложки фотошаблона, вызываемой средством поддержки подложки фотошаблона, когда подложка фотошаблона закреплена в устройстве экспонирования, и (4) точного искривления опорной плиты для поддержания материнского стекла, при этом стеклянная подложка большого размера имеет такую изогнутую форму в поперечном сечении, что поверхность, являющаяся противолежащей по отношению к материнскому стеклу, является вогнутой, когда удерживается вертикально, подложка фотошаблона удерживается горизонтально, когда противоположные боковые кромки подложки фотошаблона поддерживаются в устройстве экспонирования, в результате чего вариация микрозазора между материнским стеклом и подложкой фотошаблона уменьшается.14. Способ экспонирования материнского стекла по п.13, в котором стеклянная подложка большого размера имеет отношение плоскостности поверхности к размеру по диагонали до 4,8·10-5 в горизонтальном положении.15. Считываемая компьютером среда записи для записи способа получения стеклянной подложки большого размера из заготовки стеклянной подложки большого размера, имеющей переднюю и заднюю поверхности и размер по диагонали по меньшей мере 500 мм и толщину по меньшей мере 4 мм, при этом подложку фотошаблона формируют из указанной стеклянной подложки большого размера, подложку фотошаблона используют в способе экспонирования материнского стекла, включающем в себя закрепление подложки фотошаблона, имеющей противоположные боковые поверхности, в устройстве экспонирования с помощью средства поддержки противоположных боковых кромок, размещение ниже и вблизи подложки фотошаблона материнского стекла, служащего в качестве подложки стороны матрицы или стороны цветного фильтра в жидкокристаллической панели на тонкопленочных транзисторах, и излучение света из устройства экспонирования к материнскому стеклу через подложку фотошаблона, указанная среда снабжена записанной на ней программой для управления компьютером с целью выполнения следующих этапов: этапа вычисления (1) выравнивающего удаляемого количества материала на основании высотных данных плоскостности и параллельности передней и задней поверхностей заготовки стеклянной подложки большого размера, имеющей размер по диагонали по меньшей мере 500 мм и толщину по меньшей мере 4 мм в вертикальном положении, этапа вычисления корректирующего деформацию удаляемого количества материала на основании (2) прогиба заготовки подложки под действием ее собственной массы в горизонтальном положении, вычисляемого на основании толщины и размера заготовки подложки и местоположения опор, когда подложка фотошаблона поддерживается горизонтально, (3) деформации подложки фотошаблона, вызываемой средством поддержки подложки фотошаблона, когда подложка фотошаблона закреплена в устройстве экспонирования, и (4) точного искривления опорной плиты для поддержания материнского стекла, и этапа выдачи команды на обрабатывающее устройство для осуществления обработки для выравнивания и коррекции деформации путем удаления суммарного количества материала, получаемого из выравнивающего удаляемого количества и корректирующего деформацию удаляемого количества.16. Среда записи по п.15, в которой способ дополнительно содержит после обработки на этапе выравнивания и коррекции деформации последующий этап полирования стеклянной подложки на одной или обеих ее поверхностях, программа дополнительно включает в себя этап вычисления суммарного количества материала путем добавления (5) изменения плоскостности на последующем этапе полирования.
