СПОСОБ ОБРАБОТКИ ФТОРОПЛАСТОВЫХ ИЗДЕЛИЙ Российский патент 2009 года по МПК H01L21/306 

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и ИС, в частности к способам обработки фторопластовых изделий после технологических операций.

Известны способы обработки, сущность которых состоит в удалении различных загрязнений и удаление резистивных слоев в: щавелевой кислоте, калие двухромовокислом и натрие двухромовокислом [1].

Основным недостатком этих способов является неполное удаление загрязнений и резистивных слоев.

Целью изобретения является полное удаление загрязнений и резистивных слоев с фторопластовых изделий.

Поставленная цель достигается использованием раствора, в состав которого входят следующие основные компоненты: серная кислота (H₂SO₄), перекись водорода (H₂O₂) в соотношении 1:1 при температуре обработки - 140±5°С. Затем проводят отмывку во второй ванне с теплой деионизованной водой при температуре, равной 65÷70°С, в течение 5 минут. Далее отмывку ведут в двух ваннах с переливом на четыре стороны и расходом деионизованной воды 450±50 л/ч. Время отмывки - по 5 минут в каждой из ванн.

Сущность способа заключается в том, что с фторопластовых изделий полностью происходит удаление загрязнений и резистивных слоев в растворе, содержащем следующие компоненты: серная кислота (H₂SO₄) и перекись водорода (H₂O₂).

Предлагаемый способ отличается от известного тем, что обработка в кислотах

(H₂SO₄) и перекиси водорода (H₂O₂) позволяет очистить фторопластовые изделия от различных загрязнений и резистивных слоев, внесенных технологическими процессами, так как состояние изделий влияет на качество последующих операций.

Раствор включает следующие соотношения компонентов

H₂SO₄: H₂O₂=1:1 при температуре Т=140±5°С.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 5 штук.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят в две стадии, причем на первой стадии обработку ведут в растворе серной кислоты (H₂SO₄) и перекиси водорода (H₂O₂) в соотношении 3:1 при температуре Т=100°С в течение 5 минут, а на второй стадии проводят отмывку в теплой деионизованной воде (H₂O) при температуре Т=65-70°С в течение 5 минут, далее отмывку ведут в двух ваннах с переливом на четыре стороны и расходом деионизованной воды 450±50 л/ч, время отмывки - по 5 минут в каждой из ванн.

H₂SO₄:H₂O₂=3:1 при температуре Т=100±5°С.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 10 штук.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов

H₂SO₄:H₂O₂=2,5: 1 при температуре Т=110±5°С.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 8 штук.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов

H₂SO₄:H₂O₂=2:1 при температуре Т=120±5°С.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 7 штук.

ПРИМЕР 4. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов

H₂SO₄:H₂O₂=1:1 при температуре Т=130±5°С.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 6 штук.

ПРИМЕР 5. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов

H₂SO₄: H₂O₂=1:1 при температуре Т=140±5°С.

Контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 5 штук.

Как следует из результатов опытов одним из самых эффективных растворов обработки фторопластовых изделий является раствор, состоящий из следующих компонентов: серная кислота (H₂SO₄), перекись водорода (H₂O₂) в следующих соотношениях

H₂SO₄:H₂O₂=1:1 при температуре Т=140±5°С.

Таким образом, обработку фторопластовых изделий от резистивного слоя и различных загрязнений после фотолитографии дает возможность подготовить фторопластовые изделия с определенной чистотой для дальнейших технологических операций.

ЛИТЕРАТУРА

1. А.И.Курносов. Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем. - М.: «Высшая школа», 1980, 327 с.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к способам обработки фторопластовых изделий после технологических операций. Сущность изобретения: способ предусматривает обработку фторопластовых изделий после технологических операций для удаления различных загрязнений и резистивных слоев. Обработку проводят в две стадии, причем на первой стадии обработку проводят в растворе серной кислоты (H₂SO₄) и перекиси водорода

(Н₂О₂) в соотношении 1:1 при температуре Т=140±5°С в течение 5 минут, а на второй стадии проводят отмывку в теплой деионизованной воде (Н₂О) при температуре Т=65-70°С в течение 5 минут, далее отмывку ведут в двух ваннах с переливом на четыре стороны, с расходом воды 450±50 л/ч, время отмывки - по 5 минут в каждой из ванн, контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 5 штук. Техническим результатом изобретения является полное удаление загрязнений и резистивных слоев с фторопластовых изделий.

Способ обработки фторопластовых изделий, включающий обработку фторопластовых изделий после технологических операций для удаления различных загрязнений и резистивных слоев, отличающийся тем, что обработку проводят в две стадии, причем на первой стадии обработку проводят в растворе серной кислоты (H₂SO₄) и перекиси водорода (Н₂O₂) в соотношении 1:1 при температуре Т=140±5°С в течение 5 мин, а на второй стадии проводят отмывку в теплой деионизованной воде (Н₂О) при температуре Т=65-70°С в течение 5 мин, далее отмывку ведут в двух ваннах с переливом на четыре стороны, с расходом воды 450±50 л/ч, время отмывки - по 5 мин в каждой из ванн, контроль очистки проводят под лучом сфокусированного света, количество светящихся точек достигает не более 5 штук.