Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем (ИС), в частности к способам обработки подложек для формирования контактных окон.
Известны способы обработки, сущность которых состоит в травлении поверхности подложек в различных травителях (азотная кислота, ацетон, метилэтилкетон, серная кислота и т.п.) [1].
Основными недостатками этих способов является неравномерное травление, неровный рельеф рисунка и длительность процесса.
Целью изобретения является обеспечение качества рисунка, равномерное травление и уменьшение длительности процесса.
Поставленная цель достигается тем, что обработку проводят в травителе фтористоводородной кислоты (HF), фторида аммония (NH4F) и деионизованной воды (H2O) в соотношении 1:2:5 при комнатной температуре в течение 4±1 минут, далее отмывку ведут в двух ваннах с четырехсторонним переливом деионизованной воды при расходе - 400 л/ч, время отмывки - по 5 минут в каждой из ванн. Сушку производят в течение 3 минут. Качество обработки осуществляется под микроскопом на наличие светящихся точек, их составило - 5 штук.
Сущность способа заключается в том, что при жидкостном травлении лучшее качество рисунка обеспечивают буферные травители, так как легче контролировать замедленный процесс травления, например HF:NH4F:H2O=1:2:5:
SiO2+2HF→SiF4+2H2O;
NH4F→NH4++F-;
SiF4+2F-→(SiF6)-2.
Диссоциирующий в растворе фторид аммония связывает газообразный тетрафторид кремния в устойчивый ион, что предотвращает бурное выделение пузырьков тетрафторида кремния, которые оказывают гидромеханическое воздействие на фоторезистивную маску и способствуют отслаиванию.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки (Лада-1), при комнатной температуре в соотношении компонентов:
HF:NH4F:H2O=0,5:1:3
Длительность процесса равно 6±1.
Качество обработки осуществляется под микроскопом на наличие светящихся точек, их составило - 7 штук.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят в соотношении компонентов:
HF:NH4F:H2O=1:1,5:4
Длительность процесса равно 5±1.
Качество обработки осуществляется под микроскопом на наличие светящихся точек, их составило - 6 штук.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов:
HF:NH4F:H2O=1:2:5
Длительность процесса равно 4±1.
Качество обработки осуществляется под микроскопом на наличие светящихся точек, их составило - 5 штук.
Как следует из результатов опытов одним из самых эффективных травителей, является травитель, состоящей из следующих компонентов фтористоводородной кислоты (HF), фторида аммония (NH4F) и деионизованной воды (Н2О) в соотношении 1:2:5.
Таким образом, обработка подложек в жидкостном травителе обеспечивает равномерное травление, улучшение качества рисунка и уменьшение длительности процесса.
Источники информации
1. И.А.Малышева. Технология производства интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1991.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ глубокой очистки поверхности кремниевых пластин | 2020 |
|
RU2750315C1 |
Способ создания антидиффузионного барьера на поверхности пластин из термоэлектрических материалов на основе халькогенидов висмута и сурьмы | 2021 |
|
RU2758989C1 |
СПОСОБ УДАЛЕНИЯ КРИСТАЛЛИТОВ С ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНЫ | 2005 |
|
RU2313851C2 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВОЙ ОСНАСТКИ | 2008 |
|
RU2383965C1 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛАСТИНЫ КРЕМНИЯ | 2006 |
|
RU2323503C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ДИОДА | 2021 |
|
RU2755769C1 |
КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ СУХОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ В ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКОМ ПРОЦЕССЕ | 2013 |
|
RU2524344C1 |
СПОСОБ ИОННО-ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ДВУОКИСИ И НИТРИДА КРЕМНИЯ | 1978 |
|
SU749293A1 |
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ДЕФЕКТОВ ДИСЛОКАЦИЙ | 2009 |
|
RU2403648C1 |
Раствор для травления силицидов металлов | 1991 |
|
SU1795985A3 |
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем, в частности к способам обработки подложек для формирования контактных окон. Техническим результатом изобретения является обеспечение качества рисунка, равномерное травление и уменьшение длительности процесса. Сущность изобретения: обработку подложек проводят в жидкостном травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты (HF), фторида аммония (NH4F) и деионизованной воды (Н2О) при соотношении компонентов 1:2:5 при комнатной температуре в течение 4±1 минут. Качество обработки оценивают под микроскопом на наличие светящихся точек, их количество составило - 5 штук.
Способ обработки подложек в жидкостном травителе, включающий обработку поверхности подложек травителем, в состав которого входят фтористоводородная кислота (HF), фторид аммония (NH4F) и деионизованная вода Н2О, отличающийся тем, что подложки подвергают обработке в травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты (HF), фторида аммония (NH4F) и деионизованной воды (Н2О) при соотношении компонентов 1:2:5 и времени, равном 4±1 мин.
Малышева И.А | |||
Технология производства интегральных микросхем | |||
- М.: «Радио и связь», 1991 | |||
US 2005176243 A1, 11.08.2005 | |||
US 2004168710 A1, 02.09.2004 | |||
Способ восстановления хромовой кислоты, в частности для получения хромовых квасцов | 1921 |
|
SU7A1 |
JP 5047697 A, 26.02.1993. |
Авторы
Даты
2011-05-20—Публикация
2009-06-29—Подача