СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК В ЖИДКОСТНОМ ТРАВИТЕЛЕ Российский патент 2011 года по МПК H01L21/306 

Описание патента на изобретение RU2419175C2

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем (ИС), в частности к способам обработки подложек для формирования контактных окон.

Известны способы обработки, сущность которых состоит в травлении поверхности подложек в различных травителях (азотная кислота, ацетон, метилэтилкетон, серная кислота и т.п.) [1].

Основными недостатками этих способов является неравномерное травление, неровный рельеф рисунка и длительность процесса.

Целью изобретения является обеспечение качества рисунка, равномерное травление и уменьшение длительности процесса.

Поставленная цель достигается тем, что обработку проводят в травителе фтористоводородной кислоты (HF), фторида аммония (NH4F) и деионизованной воды (H2O) в соотношении 1:2:5 при комнатной температуре в течение 4±1 минут, далее отмывку ведут в двух ваннах с четырехсторонним переливом деионизованной воды при расходе - 400 л/ч, время отмывки - по 5 минут в каждой из ванн. Сушку производят в течение 3 минут. Качество обработки осуществляется под микроскопом на наличие светящихся точек, их составило - 5 штук.

Сущность способа заключается в том, что при жидкостном травлении лучшее качество рисунка обеспечивают буферные травители, так как легче контролировать замедленный процесс травления, например HF:NH4F:H2O=1:2:5:

SiO2+2HF→SiF4+2H2O;

NH4F→NH4++F-;

SiF4+2F-→(SiF6)-2.

Диссоциирующий в растворе фторид аммония связывает газообразный тетрафторид кремния в устойчивый ион, что предотвращает бурное выделение пузырьков тетрафторида кремния, которые оказывают гидромеханическое воздействие на фоторезистивную маску и способствуют отслаиванию.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки (Лада-1), при комнатной температуре в соотношении компонентов:

HF:NH4F:H2O=0,5:1:3

Длительность процесса равно 6±1.

Качество обработки осуществляется под микроскопом на наличие светящихся точек, их составило - 7 штук.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят в соотношении компонентов:

HF:NH4F:H2O=1:1,5:4

Длительность процесса равно 5±1.

Качество обработки осуществляется под микроскопом на наличие светящихся точек, их составило - 6 штук.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят при соотношении компонентов:

HF:NH4F:H2O=1:2:5

Длительность процесса равно 4±1.

Качество обработки осуществляется под микроскопом на наличие светящихся точек, их составило - 5 штук.

Как следует из результатов опытов одним из самых эффективных травителей, является травитель, состоящей из следующих компонентов фтористоводородной кислоты (HF), фторида аммония (NH4F) и деионизованной воды (Н2О) в соотношении 1:2:5.

Таким образом, обработка подложек в жидкостном травителе обеспечивает равномерное травление, улучшение качества рисунка и уменьшение длительности процесса.

Источники информации

1. И.А.Малышева. Технология производства интегральных микросхем. М.: Радио и связь, 1991.

Похожие патенты RU2419175C2

название год авторы номер документа
Способ глубокой очистки поверхности кремниевых пластин 2020
  • Пауткин Валерий Евгеньевич
  • Мишанин Александр Евгеньевич
  • Крайнова Ольга Михайловна
RU2750315C1
Способ создания антидиффузионного барьера на поверхности пластин из термоэлектрических материалов на основе халькогенидов висмута и сурьмы 2021
  • Дехтярук Роман Иванович
  • Филатова Анастасия Николаевна
RU2758989C1
СПОСОБ УДАЛЕНИЯ КРИСТАЛЛИТОВ С ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНЫ 2005
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2313851C2
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВОЙ ОСНАСТКИ 2008
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2383965C1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ ПЛАСТИНЫ КРЕМНИЯ 2006
  • Калинкин Игорь Петрович
  • Кукушкин Сергей Арсеньевич
  • Осипов Андрей Викторович
RU2323503C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СВЕТОИЗЛУЧАЮЩЕГО ДИОДА 2021
  • Малевская Александра Вячеславовна
  • Ильинская Наталья Дмитриевна
  • Малевский Дмитрий Андреевич
RU2755769C1
КОМПОЗИЦИЯ ДЛЯ СУХОГО ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНОК ДИОКСИДА КРЕМНИЯ В ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКОМ ПРОЦЕССЕ 2013
  • Гудымович Елена Никифоровна
RU2524344C1
СПОСОБ ИОННО-ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ДВУОКИСИ И НИТРИДА КРЕМНИЯ 1978
  • Булгаков С.С.
  • Косоплеткин А.Р.
  • Красножон А.И.
  • Толстых Б.Л.
SU749293A1
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ДЕФЕКТОВ ДИСЛОКАЦИЙ 2009
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2403648C1
Раствор для травления силицидов металлов 1991
  • Тарасенко Сергей Олегович
  • Ильченко Василий Васильевич
  • Шевчук Петр Павлович
SU1795985A3

Реферат патента 2011 года СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК В ЖИДКОСТНОМ ТРАВИТЕЛЕ

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов и интегральных схем, в частности к способам обработки подложек для формирования контактных окон. Техническим результатом изобретения является обеспечение качества рисунка, равномерное травление и уменьшение длительности процесса. Сущность изобретения: обработку подложек проводят в жидкостном травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты (HF), фторида аммония (NH4F) и деионизованной воды (Н2О) при соотношении компонентов 1:2:5 при комнатной температуре в течение 4±1 минут. Качество обработки оценивают под микроскопом на наличие светящихся точек, их количество составило - 5 штук.

Формула изобретения RU 2 419 175 C2

Способ обработки подложек в жидкостном травителе, включающий обработку поверхности подложек травителем, в состав которого входят фтористоводородная кислота (HF), фторид аммония (NH4F) и деионизованная вода Н2О, отличающийся тем, что подложки подвергают обработке в травителе, состоящем из фтористоводородной кислоты (HF), фторида аммония (NH4F) и деионизованной воды (Н2О) при соотношении компонентов 1:2:5 и времени, равном 4±1 мин.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2011 года RU2419175C2

Малышева И.А
Технология производства интегральных микросхем
- М.: «Радио и связь», 1991
US 2005176243 A1, 11.08.2005
US 2004168710 A1, 02.09.2004
Способ восстановления хромовой кислоты, в частности для получения хромовых квасцов 1921
  • Ланговой С.П.
  • Рейзнек А.Р.
SU7A1
JP 5047697 A, 26.02.1993.

RU 2 419 175 C2

Авторы

Исмаилов Тагир Абдурашидович

Саркаров Таджидин Экберович

Шангереева Бийке Алиевна

Шахмаева Айшат Расуловна

Даты

2011-05-20Публикация

2009-06-29Подача