Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки кристаллов кремния.
Известны способы обработки кремния: кислотные и щелочные травители, сущность которых состоит в удалении различных примесей и загрязнений [1].
Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей и различных загрязнений, высокие температуры и длительность обработок.
Целью изобретения является полное удаление различных примесей и загрязнений, уменьшение времени и температуры обработок.
Поставленная цель достигается тем, что удаление загрязнений с кремния происходит за счет использования травителя, в состав которого входят азотная кислота -HNO3, фтористоводородная кислота -HF и уксусная кислота -CH3COOH в соотношении компонентов
Сущность способа заключается в том, что кристаллы кремния подвергаются обработке, в травителе, состоящем из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентов 3:2:8. При травлении происходит растворение исходного материала, основанное на окислении его поверхности и последующем удалении образовавшихся окислов и различных загрязнений. В качестве окислителя используется азотная кислота -HNO3, а замедлителем является уксусная кислота -CH3COOH. Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 8±2 минут. По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.
Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.
ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе, состоящем из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентов
Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 15±5 минут.
По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.
Процент выхода годных кристаллов составляет 92%.
ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе состоящей из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентов:
Температура раствора -25°С. Длительность обработки составляет 10±5 минут.
По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.
Процент выхода годных кристаллов составляет 95%.
ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе, состоящем из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентов
Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 8±2 минут.
По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.
Процент выхода годных кристаллов составляет 98%.
Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает полное удаление различных загрязнений и примесей с кристаллов кремния, уменьшение длительности и температуры обработки.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ДЕФЕКТОВ ДИСЛОКАЦИЙ | 2009 |
|
RU2403648C1 |
СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ | 2013 |
|
RU2524137C1 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПЕРЕД НАПЫЛЕНИЕМ ТИТАН-ГЕРМАНИЙ (Ti-Ge) | 2020 |
|
RU2786369C2 |
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЕ | 2013 |
|
RU2534434C2 |
СПОСОБ РЕГЕНЕРАЦИИ ТРАВИТЕЛЯ ДЛЯ КРЕМНИЯ | 1990 |
|
SU1759183A1 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ | 2014 |
|
RU2586266C2 |
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВОЙ ОСНАСТКИ | 2008 |
|
RU2383965C1 |
СПОСОБ УДАЛЕНИЯ КРИСТАЛЛИТОВ С ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНЫ | 2005 |
|
RU2313851C2 |
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЧ ПРИБОРОВ | 2013 |
|
RU2546856C2 |
РАСТВОР ДЛЯ ОБРАБОТКИ КАРБИД-КРЕМНИЕВОЙ ТРУБЫ | 2008 |
|
RU2377690C1 |
Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки кристаллов кремния. Сущность изобретения: в способе обработки кристаллов кремния после высокотемпературных операций обработку кристаллов кремния проводят в травителе, состоящем из азотной кислоты
-НМО3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -СН3СООН, в соотношении компонентов 3:2:8, температура раствора -25°С, длительность обработки составляет 8±2 минут, по окончании проводится промывка в деионизованной воде при комнатной температуре и времени 25±5 минут, процент выхода годных кристаллов составляет 98%. Изобретение обеспечивает полное удаление различных примесей и загрязнений, уменьшение времени и температуры обработки.
Способ обработки кристаллов кремния, включающий обработку кристаллов кремния после высокотемпературных операций в травителе, состоящем из азотной кислоты HNO3, фтористоводородной кислоты HF и уксусной кислоты СН3СООН, отличающийся тем, что в качестве травителя используют травитель, в состав которого входят: азотная кислота (HNO3), фтористоводородная кислота (HF) и уксусная кислота (СН3СООН) в соотношении компонентов 3:2:8, температура раствора -25°С, длительность обработки составляет 8±2 мин, по окончании промывка в деионизованной воде при комнатной температуре и времени равной 25±5 мин, процент выхода годных кристаллов составляет 98%.
А.И.Курносов | |||
Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем | |||
- М.: Высшая школа, 1980 | |||
Горный компас | 0 |
|
SU81A1 |
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ИЗДЕЛИЙ | 1990 |
|
RU1822299C |
JP 2001176862 А, 29.06.2001 | |||
JP 2000353696 А, 19.12.2000 | |||
US 4681657 А, 21.07.1987. |
Авторы
Даты
2009-12-20—Публикация
2008-07-17—Подача