СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ Российский патент 2009 года по МПК H01L21/306 

Описание патента на изобретение RU2376676C1

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки кристаллов кремния.

Известны способы обработки кремния: кислотные и щелочные травители, сущность которых состоит в удалении различных примесей и загрязнений [1].

Основным недостатком этих способов является неполное удаление примесей и различных загрязнений, высокие температуры и длительность обработок.

Целью изобретения является полное удаление различных примесей и загрязнений, уменьшение времени и температуры обработок.

Поставленная цель достигается тем, что удаление загрязнений с кремния происходит за счет использования травителя, в состав которого входят азотная кислота -HNO3, фтористоводородная кислота -HF и уксусная кислота -CH3COOH в соотношении компонентов

Сущность способа заключается в том, что кристаллы кремния подвергаются обработке, в травителе, состоящем из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентов 3:2:8. При травлении происходит растворение исходного материала, основанное на окислении его поверхности и последующем удалении образовавшихся окислов и различных загрязнений. В качестве окислителя используется азотная кислота -HNO3, а замедлителем является уксусная кислота -CH3COOH. Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 8±2 минут. По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе, состоящем из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентов

Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 15±5 минут.

По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.

Процент выхода годных кристаллов составляет 92%.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе состоящей из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентов:

Температура раствора -25°С. Длительность обработки составляет 10±5 минут.

По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.

Процент выхода годных кристаллов составляет 95%.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в растворе, состоящем из азотной кислоты -HNO3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -CH3COOH в соотношении компонентов

Температура раствора -25°C. Длительность обработки составляет 8±2 минут.

По окончании обработки кристаллы кремния промывают в деионизованной воде при комнатной температуре и времени, равном 25±5 минут.

Процент выхода годных кристаллов составляет 98%.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает полное удаление различных загрязнений и примесей с кристаллов кремния, уменьшение длительности и температуры обработки.

Похожие патенты RU2376676C1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ДЕФЕКТОВ ДИСЛОКАЦИЙ 2009
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2403648C1
СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 2013
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шангереева Суйкум Алиевна
RU2524137C1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПЕРЕД НАПЫЛЕНИЕМ ТИТАН-ГЕРМАНИЙ (Ti-Ge) 2020
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Казалиева Эльмира
RU2786369C2
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЕ 2013
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шангереева Суйкум Алиевна
RU2534434C2
СПОСОБ РЕГЕНЕРАЦИИ ТРАВИТЕЛЯ ДЛЯ КРЕМНИЯ 1990
  • Изидинов С.О.
  • Гапоненко В.И.
SU1759183A1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ СОЛНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 2014
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Захарова Патимат Расуловна
  • Литовченко Мария Николаевна
  • Муртузалиев Азамат Ибрагимович
RU2586266C2
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРЕМНИЕВОЙ ОСНАСТКИ 2008
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2383965C1
СПОСОБ УДАЛЕНИЯ КРИСТАЛЛИТОВ С ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНЫ 2005
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2313851C2
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВЧ ПРИБОРОВ 2013
  • Блинов Геннадий Андреевич
  • Пелевин Константин Владимирович
RU2546856C2
РАСТВОР ДЛЯ ОБРАБОТКИ КАРБИД-КРЕМНИЕВОЙ ТРУБЫ 2008
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2377690C1

Реферат патента 2009 года СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

Изобретение относится к технологии изготовления силовых кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки кристаллов кремния. Сущность изобретения: в способе обработки кристаллов кремния после высокотемпературных операций обработку кристаллов кремния проводят в травителе, состоящем из азотной кислоты

-НМО3, фтористоводородной кислоты -HF и уксусной кислоты -СН3СООН, в соотношении компонентов 3:2:8, температура раствора -25°С, длительность обработки составляет 8±2 минут, по окончании проводится промывка в деионизованной воде при комнатной температуре и времени 25±5 минут, процент выхода годных кристаллов составляет 98%. Изобретение обеспечивает полное удаление различных примесей и загрязнений, уменьшение времени и температуры обработки.

Формула изобретения RU 2 376 676 C1

Способ обработки кристаллов кремния, включающий обработку кристаллов кремния после высокотемпературных операций в травителе, состоящем из азотной кислоты HNO3, фтористоводородной кислоты HF и уксусной кислоты СН3СООН, отличающийся тем, что в качестве травителя используют травитель, в состав которого входят: азотная кислота (HNO3), фтористоводородная кислота (HF) и уксусная кислота (СН3СООН) в соотношении компонентов 3:2:8, температура раствора -25°С, длительность обработки составляет 8±2 мин, по окончании промывка в деионизованной воде при комнатной температуре и времени равной 25±5 мин, процент выхода годных кристаллов составляет 98%.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2009 года RU2376676C1

А.И.Курносов
Материалы для полупроводниковых приборов и интегральных схем
- М.: Высшая школа, 1980
Горный компас 0
  • Подьяконов С.А.
SU81A1
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ИЗДЕЛИЙ 1990
  • Изидинов С.О.
  • Гапоненко В.И.
RU1822299C
JP 2001176862 А, 29.06.2001
JP 2000353696 А, 19.12.2000
US 4681657 А, 21.07.1987.

RU 2 376 676 C1

Авторы

Исмаилов Тагир Абдурашидович

Шахмаева Айшат Расуловна

Шангереева Бийке Алиевна

Даты

2009-12-20Публикация

2008-07-17Подача