СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПЕРЕД НАПЫЛЕНИЕМ ТИТАН-ГЕРМАНИЙ (Ti-Ge) Российский патент 2022 года по МПК H01L21/306 

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны перед напылением.

Известны способы обработки кремниевых пластин: в кислотах, щелочных растворах и др. [1-3].

Основным недостатком этих способов является неполное удаление окислов, остатки окислов, высокотемпературная обработка.

Целью изобретения является полное удаление остатков окисла с поверхности обратной стороны кремниевых пластин перед напылением и уменьшение температуры обработки.

Поставленная цель достигается тем, что удаление окисла перед напылением происходит за счет использования раствора, в состав которого входят: азотная кислота - HNO₃, фтористоводородная кислота - HF, деионизованная вода - Н₂О в следующих соотношениях:

HNO₃:HF:H₂O

1:10:35

Сущность способа заключается в том, что с поверхности пластин происходит полное удаление окисла в растворе состоящей из азотной кислоты - HNO₃, фтористоводородной кислоты - HF и деионизованной воды - Н₂О. Процесс удаления окисла считается законченным в том случае, когда раствор скатывается с поверхности обратной стороны кремниевых пластин. Реакция обработки поверхности кремниевой пластин протекает с большой скоростью, длительность процесса составляет не более 25±5 секунд. При этом не происходит ухудшения качества поверхности кремния.

Таким образом, предполагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает удаление остатков окисла с поверхности обратной стороны перед напылением и способствует улучшению адгезии, благодаря которой увеличивается процент выхода годных кристаллов - 98%.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами:

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

HNO₃:HF:H₂O

1:10:45

Температура раствора комнатная. Время обработки 45±5 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 93%.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

HNO₃:HF:H₂O

1:10:40

Температура раствора комнатная. Время обработки равно 35±5 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 95%.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки в одной ванне с последующей отмывкой в деионизованной воде при соотношении компонентов:

HNO₃:HF:H₂O

1:10:35

Температура раствора комнатная. Время обработки равно 25±5 секунд. Процент выхода годных кристаллов составляет 98%.

Таким образом, предлагаемый способ по сравнению с прототипом обеспечивает полное удаление остатков окисла с поверхности обратной стороны кремниевой пластины перед напылением и способствует улучшению адгезии, благодаря которой увеличивается процент выхода годных кристаллов с 93 до 98%.

ЛИТЕРАТУРА

1. Пат. РФ №2359357 «Способ обработки поверхности пластин перед нанесением полиимида» / Т.А. Исмаилов, Б.А. Шангереева, А.Р. Шахмаева.

2. Пат. РФ №2352021 «Способ обработки кремниевых пластин» / Т.А. Исмаилов, Б.А. Шангереева, А.Р. Шахмаева.

3. Шахмаева А.Р., Шангереева Б.А., Шангереев Ю.П. Поверхностная обработка полупроводниковых кремниевых структур (тезисы докладов). Сборник материалов XXXIX итоговой научно-технической конференции преподавателей, сотрудников, аспирантов и студентов ДГТУ. технические науки. - Махачкала: ДГТУ, 2018. - с. 247-248.

Изобретение относится к технологии изготовления кремниевых транзисторов, в частности к способам обработки обратной стороны перед напылением. Способ обработки поверхности пластин перед напылением титан-германий (Ti-Ge) включает обработку поверхности кремниевых пластин перед напылением на обратную сторону пластины, проводят обработку травлением, при этом в качестве травителя используют раствор, в состав которого входят: азотная кислота - HNO₃, фтористоводородная кислота - HF, деионизованная вода - Н₂О следующих соотношениях: HNO₃:HF:H₂O - 1:10:35, а время обработки поверхности кремниевых пластин при комнатной температуре не более 25±5 с. Изобретение обеспечивает полное удаление остатков окисла с поверхности обратной стороны кремниевых пластин перед напылением и уменьшение температуры обработки.

Способ обработки поверхности пластин перед напылением титан-германий (Ti-Ge), включающий обработку поверхности кремниевых пластин перед напылением обратной стороны, отличающийся тем, что в качестве травителя используется раствор, в состав которого входят: азотная кислота - HNO₃, фтористоводородная кислота - HF, деионизованная вода - Н₂О в следующих соотношениях:

HNO₃:HF:H₂O

1:10:35,

время обработки поверхности кремниевых пластин равно не более 25±5 с, при комнатной температуре.