СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЕ Российский патент 2014 года по МПК H01L21/66 

Описание патента на изобретение RU2534434C2

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к процессам обработки поверхности подложек с целью выявления дефектов линии скольжения.

Известны различные способы выявления дефектов линии скольжения на поверхности подложек: щелочи, кислоты, травители и растворы.

Недостатками этих способов являются: неоднородное распределение температуры по толщине и площади подложек; длительность процесса.

Целью изобретения является получение однородной и ненарушенной поверхности подложек, уменьшение температуры и длительности процесса.

Поставленная цель достигается тем, что выявление линий скольжения проводится погружением подложек в травитель, состоящий из следующих компонентов: фтористоводородной кислоты, азотной кислоты и уксусной кислоты в объемных частях 3:6:3.

Сущность способа заключается в том, что подложки загружают в травитель, состоящий из следующих компонентов: фтористоводородной кислоты, азотной кислоты и уксусной кислоты в объемных частях 3:6:3 при комнатной температуре, время травления - 90 секунд.

Предлагаемый способ отличается от известных тем, что выявление дефектов линий скольжения в травителе позволяет потравить поверхность подложек и выявить дефекты. Линии скольжения, расположенные в центральной части пластины, видны без химической обработки. Эта область выглядит матовой. Отдельные линии представляют собой ступеньки, возникшие в результате действия сжимающих напряжений на центральную область подложки. Предотвращению появления линий скольжения способствует уменьшение температуры процесса ниже того уровня, при котором происходит пластическое течение (для кремния - 1000°С), а также использование бездислокационных подложек и тщательная химическая полировка.

В качестве оборудования используется металлографический микроскоп с увеличением от 40 до 200 крат.

Количество дефектов линий скольжения составляет 25±5 шт./мм.

Сущность изобретения подтверждается следующими примерами.

ПРИМЕР 1. Процесс проводят на установке химической обработки. Эпитаксиальные подложки помешают на дно травильной ванны поверхностью вверх, на которой будут проводиться замеры. Затем медленно наливаем травитель, состоящий из следующих компонентов: фтористоводородной кислоты (HF), азотной кислоты (НNO3) и уксусной кислоты (СН3СООН) в объемных частях 3:8:5 при комнатной температуре, так чтобы над поверхностью эпитаксиальной подложки был слой состава для химического полирования толщиной от 10 до 20 мм. Для этого следует пошевелить травильную ванну легким потряхиванием для продолжения реакции травления. После истечения 70 секунд резко добавить в травильную ванну большое количество деионизованной воды и прекратить тем самым процесс травления. После достаточной промывки эпитаксиальной подложки в деионизованной воде слить воду и убедиться, что измерительная поверхность подложки стала зеркальной.

Область измерений должна составлять всю лицевую поверхность пластин за исключением периферийной области шириной 2 мм. Форма линий скольжения должна представлять собой извилистые линии ямок травления.

Первоначально линии скольжения обнаруживают невооруженным взглядом, затем путем увеличения с помощью микроскопа ведется подсчет числа дефектов травления.

Количество дефектов линий скольжения составляет 45±5 шт./мм.

ПРИМЕР 2. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки, состоящей из следующих компонентов:

HF:НNО3:СН3СООН

3:7:5

при комнатной температуре, время травления 80 секунд.

Количество дефектов линий скольжения составляет 35±5 шт./мм.

ПРИМЕР 3. Способ осуществляют аналогично примеру 1. Процесс проводят на установке химической обработки, состоящей из следующих компонентов:

HF:НNО3:СН3СООН

3:6:3

при комнатной температуре, время травления 90 секунд.

Количество дефектов линий скольжения составляет 25±5 шт./мм.

Предложенный способ по сравнению с прототипом дает возможность получения однородной, ненарушенной поверхности подложки, что позволяет увеличить процент выхода годных приборов, а также улучшить качество поверхности эпитаксиальных структур.

Литература

1. З.Ю.Готра. Технология микроэлектронных устройств. М, Радио и связь, 1991 г., стр.128.

Похожие патенты RU2534434C2

название год авторы номер документа
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ДЕФЕКТОВ ДИСЛОКАЦИЙ 2009
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2403648C1
СПОСОБ УДАЛЕНИЯ КРИСТАЛЛИТОВ С ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЕВОЙ ПЛАСТИНЫ 2005
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2313851C2
СПОСОБ ОБРАБОТКИ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ 2008
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
RU2376676C1
СПОСОБ ХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВ 2013
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шангереева Суйкум Алиевна
RU2524137C1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПОДЛОЖЕК В ЖИДКОСТНОМ ТРАВИТЕЛЕ 2009
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Саркаров Таджидин Экберович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2419175C2
СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ ПЛЕНКИ АЛЮМИНИЯ (Al) 2007
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2363069C2
СПОСОБЫ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ПЛАСТИН ПЕРЕД НАНЕСЕНИЕМ ПОЛИИМИДА 2008
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Шангереева Бийке Алиевна
RU2359357C1
СПОСОБ ОБРАБОТКИ ПЕРЕД НАПЫЛЕНИЕМ ТИТАН-ГЕРМАНИЙ (Ti-Ge) 2020
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
  • Казалиева Эльмира
RU2786369C2
Состав селективного травителя для химических процессов утонения кремниевых пластин 2015
  • Коссов Владимир Григорьевич
  • Горохов Леонид Владимирович
  • Серушкин Константин Ильич
RU2615596C2
ТРАВИТЕЛЬ 2003
  • Тихонов О.В.
  • Макарова Л.Е.
RU2235806C1

Реферат патента 2014 года СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПЛАСТИНЕ

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем, в частности к процессам обработки поверхности подложек для выявления дефектов линий скольжения. Изобретение позволяет получить однородную и ненарушенную поверхность подложек, снизить температуру и длительность процесса. Выявление линий скольжения проводится погружением подложек в травитель, состоящий из следующих компонентов: фтористоводородной кислоты, азотной кислоты и уксусной кислоты в объемных частях 3:6:3 при комнатной температуре, время травления - 90 секунд. В качестве оборудования используется металлографический микроскоп с увеличением от 40 до 200 крат. Количество дефектов линий скольжения составляет 25±5 шт./мм.

Формула изобретения RU 2 534 434 C2

Способ выявления дефектов на полупроводниковой пластине, включающий травление поверхности подложек, отличающийся тем, что обработку ведут в травителе, состоящем из следующих компонентов: фтористоводородной кислоты, азотной кислоты и уксусной кислоты в объемных частях 3:6:3
HF:HNO3:СН3СООН
3:6:3
при комнатной температуре и времени травления - 90 секунд, при этом количество дефектов линий скольжения составило 25±5 шт./мм.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 2014 года RU2534434C2

СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ ДЕФЕКТОВ ДИСЛОКАЦИЙ 2009
  • Исмаилов Тагир Абдурашидович
  • Шангереева Бийке Алиевна
  • Шахмаева Айшат Расуловна
RU2403648C1
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ В МОНОКРИСТАЛЛАХ 1998
  • Скупов В.Д.
  • Смолин В.К.
  • Кормишина Ж.А.
RU2151445C1
Способ выявления дефектов структуры в монокристаллах германия 1989
  • Воронов Игорь Николаевич
  • Ганина Наталия Викторовна
  • Зейналов Джаханкир Аждарович
SU1710605A1
СПОСОБ ВЫЯВЛЕНИЯ ДЕФЕКТОВ НА ПОВЕРХНОСТИ КРЕМНИЯ 1989
  • Русак Т.Ф.
  • Енишерлова-Вельяшева К.Л.
RU1639341C
US 6600557 B1, 29.07.2003
Пломбировальные щипцы 1923
  • Громов И.С.
SU2006A1
Контактная система 1979
  • Татарский Алексей Дмитриевич
  • Човган Анатолий Дмитриевич
  • Фердигалов Иван Васильевич
SU796933A1

RU 2 534 434 C2

Авторы

Исмаилов Тагир Абдурашидович

Шангереева Бийке Алиевна

Шангереева Суйкум Алиевна

Даты

2014-11-27Публикация

2013-01-09Подача